در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

به منظور بررسی اثرات محیط دی الکتریک پاشنده و جاذب و همچنین خمیدگی فضای فیزیکی بر خواص حالت های کوانتومی فرودی، روابط کوانتش امواج الکترومغناطیسی مبتنی بر رویکرد پدیده شناختی را برای به دست آوردن روابط کوانتومی ورودی- خروجی بین تابش ها در دو طرف تیغه دی الکتریک به کار می بریم. با استفاده از این روابط، همانندی، توابع ویگنر و همچنین همبستگی کوانتومی حالت های خروجی از دی الکتریک را برای وضعیتی که ...

شبیه ­سازی یک بعدی پلاسمای تخلیه ­ی سد دی­ الکتریک صفحه ­ای با استفاده از نرم­ افزار کامسول انجام شد. تأثیر ضخامت و ضریب دی ­الکتریک، ولتاژ و بسامد اعمال­ شده به الکترودها بر تغییرات دما و چگالی الکترون مورد مطالعه قرار گرفت. نتیجه­ های به دست آمده نشان داد که افزایش ولتاژ، بسامد، ضریب گسیل الکترون ثانویه ­ی الکترود و ضریب دی­ الکتریک باعث افزایش چگالی الکترون می­ شود درحالی که افزایش ضخامت دی­...

اگرچه در دو دهه اخیر مفاهیم تخلیه های حایل دی الکتریک (dbds) به خوبی در کاربردهایی نظیر تولید ازون، کنترل آلودگی هوا، صفحات نمایش پلاسما و کنترل فرایندهای شیمیایی، زیستی و پزشکی توسعه داده شده، اما استفاده از آن در فن فشار قوی الکتریکی برای بهبود عملکرد عایقی سیستم (به عنوان جایگزین سیستمهای با عایقی گاز پرفشار 6sf) هنوز کاربردی نشده است. در این روش با ترکیب عایق جامد (به عنوان پوشش دی الکتریک ...

این پژوهش به منظور اندازه گیری در حال جریان غلظت قند شربت چغندر قند با درصدهای بریکس 5/26، 9/37، 7/48، 1/54 و 62 در دو سطح دبی 02/0 و 04/0 لیتر بر ثانیه با جریانی آرام با استفاده از یک حسگر دی الکتریک استوانه ای انجام شد. این حسگر شامل یک استوانه فولادی و مغزی به عنوان قطب های خازن می باشد که توسط کابل هم محور به دستگاه های ژنراتور و تحلیل گر طیف متصل می شود. شربت از طریق مجرای پایینی وارد محفظ...

کاغذهای دی الکتریک آغشته به روغن از اجزای اصلی ترانسفورماتورهای توزیع و تعیین کننده زمان سرویس آن هستند. بنابراین ارتقاء پایداری این نوع کاغذها موجب افزایش طول عمر ترانسفورماتورها می شود. از این رو در این تحقیق از خمیرکاغذ کرافت رنگبری نشده الیاف بلند و ترکیبی از آن با خمیرکاغذ سودای باگاس با نسبت20% به 80% برای ساخت کاغذهای دی الکتریک آغشته به روغن با وزن پایه m2/g60 استفاده شد. سپس تاثیر استف...

در این پروژه ابتدا به بررسی انواع ساختارهای باند ممنوعه پرداخته ایم و سپس آنتن های باند ممنوعه و نحوه کارکرد آن ها را تشریح کرده ایم. در ادامه نحوه طراحی یک آنتن باند ممنوعه با استفاده ازساختارهای دی الکتریک-فلز را نشان داده ایم. این آنتن از دو بخش مجزا تشکیل سده است، لایه superstrate که به همراه صفحه زمین تشکیل یک رزوناتور را می دهد و تشعشع کننده اولیه که برای تحریک ساختار، در داخل رزوناتور قر...

از جدید ترین روشهای بهبود راندمان ماشین کاری تخلیه الکتریکی(edm)، افزودن پودر به دی الکتریک در این فرآیند است. در این مقاله، با افزودن پودر آلومینیم با اندازه کوچکتر از 25 میکرون به دی الکتریک به بررسی تغییر پارامترهای ماشین کاری، مانند اندازه گپ، نرخ براده برداری و زبری سطح، پرداخته و پارامترهای ماشین کاری در شرایط پرداخت و نیمه پرداخت در دو حالت با پودر و بدون پودر مقایسه شده است. نتایج نشان ...

sio2در این مقاله به بررسی رفتار نوری لایه های نازک (teos )تهیه شده به روش سل ژل چرخشی با استفاده از پیش ماده تترااتیل اورتوسیلیکات ، در دماهای مختلف(600– 400) درجه سانتی گراد پرداخته شده uv-vis است. از نتایج حاصل از آزمون برای به دست آوردن لبه جذب و گاف انرژی لایه ها و از آزمون بیضی سنجی (الیپسومتری)  برای به دست آورن ضریب شکست نوری و ضرایب دی الکتریک آنها استفاده شد. نتایج نشان داد که لایه های...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی cmosبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...