ترابرد وابسته به اسپین در سیم های کوانتومی‎ که‎‎‎‎‎‎ قدرت برهمکنش اسپین-مدار راشبا در داخل آنها بصورت تناوبی و شبه تناوبی با ترتیب فیبوناچی تغییر می کند، با استفاده از روش ماتریس انتقال بطور نظری مورد بررسی قرار گرفته است. تاثیر تعداد واحدهای سازنده سیم، طول واحدهای سازنده، قدرت برهمکنش اسپین-مدار راشبا، انرژی الکترون های فرودی و یک واحد نقص، بر روی ضریب عبور و شات نویز و قطبش اسپینی بررسی شده ...

جفت شدگی اسپین-مدار در نیمه رساناها مخصوصاً نانو ساختارها از اهمیت ویژه ای برخوردار است. جدیداً مطالعاتی را بر روی سیستم های کم بعد با در نظر گرفتن اثر جفت شدگی اسپین-مدار قوی انجام داده اند. به عنوان مثال بررسی هایی بر روی یک نقطه ی کوانتومی و همین طور سیم کوانتومی محدود شده در پتانسیل نوسانگر انجام داده اند. در این پایان نامه با استفاده از مکانیک کوانتوم و مکانیک آماری، خواص تک ذره ای از جمله ا...

برای تحلیل و توصیف رفتار حالتهای الکترونی نانو سیم های کوانتومی در حضور ناخالصی هیدروژنی در فصل مشترک ساختارهای چند لایه ای مواد نیمه رسانا که فاقد تقارن وارونگی ساختاری هستند ، با تقریب خوبی می توان از هامیلتونی یک سیم شبه یک بعدی در حضور اتم هیدروژن و اثر اسپین – مدار راشبا استفاده کرد. سطحهای انرژی و همچنین ویژه حالتهای وابسته به اسپین ، از معادله تک الکترونی شرودینگر و به صورت تحلیلی بدست م...

در این پژوهش اثر برهم کنش اسپین– مدار راشبا روی طیف انرژی و ضریب پذیرفتاری غیر خطی مرتبه ی دوم فرآیند جمع فرکانسی در یک نقطه ی کوانتومی کروی با پتانسیل محدود کننده ی سهموی در چار چوب جرم موثر مورد بررسی قرار گرفته است.در ابتدا اثر برهم کنش اسپین– مدار راشبا و میدان مغناطیسی روی طیف انرژی نقطه ی کوانتومی بررسی شده است.نتایج نشان می دهند که انرژی به شدت برهم کنش اسپین- مدار راشبا، شعاع نقطه ی کوا...

در این مقاله، رسانش و قطبش وابسته به اسپین را در یک حلقه گرافینی هگزاگونال (HGR) متصل به سه رابط نیمه بی نهایت و در حضور شار مغناطیسی عمودی و برهمکنش اسپین-مدار راشبا (RSOI) به صورت نظری مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج با استفاده از مدل تنگ بست از طریق فرمالیسم تابع گرین غیر تعادلی به دست آمده است و نشان می دهد در غیاب شار مغناطیسی و در مقادیر مناسبی از قدرت راشبا و انرژی الکترون های ورودی، می ...

جفت شدگی اسپین-مدار به علت استفاده های گوناگون در پدیده های نوین فیزیکی بسیار مورد توجه قرار گرفته است. یکی از مهم ترین این پدیده ها اسپینترونیک است، که شامل مطالعه کنترل فعال و دستکاری درجه آزادی اسپین در سیستم های حالت جامد است. به عبارت دیگر، اسپینترونیک اشاره به الکترونیک اسپینی، پدیده ی ترابرد اسپین های قطبیده در فلزات و نیمه هادی ها دارد. جفت شدگی اسپین-مدار برای تولید جریان اسپین قطبیده ...

در تحقیق حاضر ترابرد اسپینی در یک دیواره حوزه مغناطیسی که در بین دو ناحیه فرومغناطیس با مغناطش پاد موازی قرار دارد مطالعه شده است. معادلات پخش برای مولفه های انباشت اسپینی عرضی با استفاده از معادلات جنبشی در فضای ویگنر و پس از آن افت ولتاژ و مقاومت الکتریکی اضافی از انباشت اسپینی در دیواره مغناطیسی محاسبه شده است. نتایج به دست آمده نشان دهنده این نکته است که انباشت اسپینی عرضی از دو قسمت مستقل ...

در این مقاله به بررسی تأثیر پتانسیل تحدید کوانتومی روی خواص اپتیک خطی و غیرخطی یک سیم کوانتومی چند لایه در حضور برهمکنش اسپین مدار راشبا که هم‌زمان تحت تأثیر میدان‌های الکتریکی و مغناطیسی خارجی قرار دارد، خواهیم پرداخت. بدین منظور ابتدا با حل معادله‌ی شرودینگر، ویژه‌توابع و ویژه‌مقادیر انرژی سیستم در حضور برهمکنش اسپین- مدار و میدان‌های خارجی را محاسبه کرده و با روش‌های عددی ‌ویژه‌مقادیر و ویژه...

در این رساله، ابتدا اثر خصوصیات نقطه کوانتومی روی دینامیک درهمتنیدگی حالتهای اسپین–زیرلایه ای مربوط به یک الکترون در نانونقاط کوانتومی همسانگرد 2d راشبا ساخته شده از inas/gaas یا ingaas/gaas بررسی شده. نتایج نشان می دهند که دوره تناوب و دامنه رفتار فروهش و نمو موجود در درهمتنیدگی قویاً به اندازه نانونقطه و گزینش مواد موجود در ساختار ناهمگن وابسته است. محاسبات و نتایج مذکور بر اساس این فرض هستند ...

در سال¬های اخیر بررسی اثر اسپین مربوط به جفت¬شدگی اسپین- مدار در ساختارهای کوانتومی نیم¬رسانا به ویژه نقاط کوانتومی توجه بسیاری از محققان را به خود جلب نموده است. کنترل اسپین مستلزم این است که اسپین، تمیز پذیر باشد و این بدین معنی است که تبهگنی اسپینی باید از میان برداشته شود. یکی از راه¬های کنترل حالت¬های اسپینی، به کار بردن یک میدان مغناطیسی برای حذف تبهگنی کرامرز است که در نتیجه آن امکان دست...