نتایج جستجو برای: دیود سد شاتکی

تعداد نتایج: 6820  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد 1388

در این پروژه ابتدا به طراحی و ساخت یک نمونه دستگاه لایه نشانی چرخشی جهت تهیه لایه های نازک و یکنواخت پلیمری پرداخته می شود. سپس لایه نازک ترکیب آلی (pani+pvc) به روش لایه نشانی چرخشی با سرعتهای چرخش مختلف و غلظت های مختلف تهیه شد. طیف اپتیکی لایه ها در ناحیه نور مرئی مورد مطالعه قرار گرفت. ضخامت لایه ها طبق پیک طیف جذبی نزدیک به nm 386 تخمین زده شد. پیک های جذب متناسب با سرعت چرخش و غلظت محلول ...

2010
Shahrzad Motamedi Mehr Majid Taran Ali Baradaran Hashemi Mohammad Reza Meybodi

هذيكچ ذٌضاب يه كشتطه عَضَه لي ُسابسد ِم بٍ تاحفغ صا يا ِػَوجه كشتطه قيلاػ ِم فلتخه ياّ ىاهصاس اي داشفا طسَتٍ ،ذًا ُذض داجيا ذًساد ظاخ عَضَه ىآ ُسابسد دَض يه ُذيهاً بٍ عاوتجا . ِتضزگ ِحفغ ىَيليب لي صا بٍ نجح ُصٍشها ِم اجًآ صا دَض يه شتساَضد صٍس ِب صٍس بٍ تاػاوتجا عيخطت ،تسا صياضفا لاح سد ىاٌچوّ ٍ تسا . يضٍس ِلاقه ييا سد يبيمشت يٌتبه ُذض غيصَت شيگداي ياتاهَتاشب فاشگ يذٌب يطيتساپ ٍ ددشگ يه داٌْطيپ بٍ تاػاوتجا عيخطت ياشب . ىاوّ يداٌْطيپ شٍس نتيسَگلا H...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
عسگر حاجی بدلی a hajibadali faculty of electrical and computer engineering, hakim sabzevari university, sabzevar, iranدانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه حکیم سبزواری، سبزوار مجید بقائی نژاد m baghaei nejhad faculty of electrical and computer engineering, hakim sabzevari university, sabzevar, iranدانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه حکیم سبزواری، سبزوار غلامعلی فرزی gh farzi department of material and polymer engineering, faculty of engineering hakim sabzevari university, sabzevar, iranگروه مهندسی مواد و پلیمر، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه حکیم سبزواری، سبزوار

در این پژوهش دیود شاتکی با ساختار al-pani/mwcnt-au به روش لایه نشانی چرخشی و بخار فیزیکی ساخته شده است. برای این منظور لایه نازکی از طلا بر روی شیشه آزمایشگاهی به روش بخار فیزیکی لایه نشانی شد، سپس پلی آنیلین در محیطی که نانو لوله کربنی پخش شده بود، به روش پلیمریزاسیون رادیکالی پلیمریزه شده و کامپوزیت پلی آنیلین/ نانو لوله کربنی چند دیواره تهیه گردید. فیلم یکنواختی از کامپوزیت حاصل روی سطح طلا ...

بقائی نژاد, مجید, حاجی بدلی, عسگر, فرزی, غلامعلی,

In this research, Schottky diode with Al-PANI/MWCNT-Au structure was fabricated using spin coating of composite polymer and physical vapor deposition of metals. For this purpose, a thin layer of gold was coated on glass and then composite of polyaniline/multi-walled carbon nanotube was synthesized and spin-coated on gold layer. Finally, a thin layer of aluminum was coated on polymer layer. The ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم 1374

با توجه به پیشرفتهای روزافزون تکنولوژی نیمه هادیها و مدارهای تجمعی اهمیت اتصالات فلز - نیمه هادی روز به روز بیشتر می شود. با توجه به سابقه طوللانی تحقیق در زمینه پیوندهای فلز - نیمه هادی، مطالعات زیادی در دهه اخیر صورت گرفته است که نشاندهنده اهمیت کاربردی آنها در تکنولوژی جدید قطعات نیمه هادی می باشد. در این پروژه سعی شده تمام نظریه های اصلی، در مورد پیوندهای فلز - نیمه هادی با توجه به روند تار...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز 1390

استفاده از افزاره های الکترونیکی بر پایه نیمرساناهای گاف پهن بدلیل قابلیت های بالای آن به عنوان سنسور گازی با استقبال مواجه شده است. استفاده از این افزاره ها به عنوان سنسور گازی نسبت به سایر سنسورها دارای مزایایی چون: آشکارسازی گازها در غلظت بسیار پایین، قابلیت کارکردن در دماهای بالا و پاسخ دهی سریع تر می باشد. در این پایان نامه عملکرد سنسورهای هیدروژن فلز-نیمرسانا-فلز (msm) و فلز-عایق-نیمرسانا...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم پایه 1390

با توجه به پیشرفت روز افزون علم و تکنولوژی در باند فرکانسی تراهرتز و با توجه به نیازها و کاربردهای خاص و منحصر به فرد این بازه در صنایع مختلف دفاعی و نظامی و پزشکی ، مطالعه ، طراحی و ساخت آشکارساز فرکانس تراهرتز به عنوان موضوعی برای پایان نامه در نظرگرفته شد. بدین منظور با توجه به مشخصات کاری مورد نظرمان برای آشکارسازی ،از بین آشکارسازهای متداول تراهرتز دو نمونه مطالعه و بررسی شد و با توجه به ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده مهندسی 1392

در این پژوهش، از یک مدل مونت کارلو دو دره ای برای شبیه سازی اتصال شاتکی استفاده شده است. در مدل ارائه شده، پراکندگی های ناخالصی و فونونی درنظر گرفته شده اند و یونیزاسیون برخوردی در ماتریس پراکندگی قرار گرفته است. باندهای انرژی غیرسهموی فرض شده اند و سازوکارهای تونل زنی و گسیل گرمایونی مولفه های جریانی هستند. با اضافه کردن یک لایه نازک غیر هم نوع با نیم رسانا نشان داده شده است که شکل گیری یک مید...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی 1389

در این پایان نامه روش تحلیل و ساخت نوسان ساز rsg-mosfet مبتنی بر فناوری mos ارائه شده است. گیت در این ترانزیستور به صورت معلق روی کانال قرار دارد، و دو طرف آن مقید شده است. هدف نهایی از طراحی این افزاره، مجتمع کردن همه اجزا مورد نیاز مدار مجتمع، بر روی تراشه ای واحد است. ضریب کیفیت نوسان ساز rsg-mosfet در مقایسه با مدار lc، به مراتب بیشتر است. بنابراین نوسان ساز rsg-mosfet، را می توان به عنوان ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید