امروزه دارو رسانی هدفمند به بافت سرطانی و افزایش دمای بافت سرطانی یکی از روش‏های جدیدی است که برای مقابله با سرطان استفاده می‏شود. نانوذرات سوپرپارامغناطیسی اکسید آهن بواسطه تطابق خوب با محیط بیولوژیک به طور گسترده برای حمل مواد دارویی به محل بافت سرطانی و آزادسازی دارو مورد استفاده قرار گرفته است. میدان مغناطیسی علاوه بر سازگاری یا محیط زنده قابلیت کنترل و هدایت نانوذرات و افزایش دما در بافت س...

در کار حاضر، اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی طبیعی با استفاده از روش شبکه بولتزمن شبیه‌سازی شده است. دیواره‌ عمودی سمت چپ محفظه در دمای ثابت گرم و دیواره عمودی سمت راست محفظه دارای سه شرط مرزی دمایی مختلف (۱- دمای ثابت سرد، ۲- دمای خطی و ۳-دمای ثابت گرم) است. دو دیواره دیگر محفظه در دمای ثابت سرد قرار دارند. مانعی لوزی شکل که در مرکز محفظه قرار دارد در چهار حالت مختلف (۱- سرد، ۲- رسا...

چکیده کهورک علف هرز مهاجم و مشکل ساز مناطق گرم و خشک و بنابراین مدیریت آن از اهمیت بالایی برخوردار است. به منظور بررسی عوامل موثر بر جوانه زنی بذر کهورک، آزمایشی در سال 1390 در بخش تحقیقات علف های هرز موسسه تحقیقات گیاه پزشکی با هدف بررسی زیستایی بذر، اثر دماهای ثابت و متناوب و عمق کاشت، اثر خراش دهی شیمیایی و فیزیکی بذر، اثر تنش خشکی یعنی غلظت های 0، 100، 200، 300، 400، 500 و 600 میلی مولار مح...

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی‌الکتریک گاز الکترونی نانوسیم‌های نیم‌رسانایInAs  وZnO  پوشیده شده با یک محیط دی‌الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان ‌داده‌ایم هنگامی که این نانوسیم‌ها با محیطی با ثابت دی‌الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی‌الکتریک نانوسیم نیم‌رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می‌یابد. در حالی که در محیطی ...

سابقه و هدف: سیب‌زمینی در طول دوره رشد و انبارمانی با آفت و خرابی‌های متعددی روبه‌رو می‌شود، که برخی از این خرابی‌ها در اثر شرایط محیطی و یا تنش‌های مکانیکی به وجود می‌آیند و این صدمات هیچ‌گونه اثری در سطح محصول باقی نمی‌گذارند اما بر کیفیت محصول تأثیر منفی می‌گذارند. برای تشخیص این خرابی‌ها، چندین روش موجود است که یکی از آنها به کارگیری امواج میکروویو است. لذا پژوهش حاضر با هدف امکان سنجی جداس...

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایinas  وzno  پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیم رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی ب...

جدا سازی و تخلیص گازها یکی از مهمترین فرایندهای صنعتی می باشد. در این مقاله، جذب و نفوذ اکسیژن و نیتروژن از میان جاذب های غربال مولکولی کربنی (cms) که از پیرولیز رزین فنولی در سه دمای مختلف ℃ 500، ℃ 700 و ℃800 ساخته شده، مورد مطالعه قرار گرفت. نفوذ میکروپور اکسیژن و نیتروژن در این سه جاذب با کمک روش حجم سنجی در دستگاه جذب ناپیوسته، با استفاده از معادله نفوذ شامل حالتهای زمان کوتاه و زمان طولانی...