در سال¬های اخیر برهم¬کنش اسپین ـ مدار در ساختارهای نیم رسانا به دلیل کاربرد بالقوه ای که در ادوات اسپینترونیک (الکترونیک مبتنی بر اسپین الکترون) دارد، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. در نیم رساناهای متداول دو نوع برهم¬کنش اسپین ـ مدار وجود دارد. یکی برهم¬کنش اسپین ـ مدار درسلهاوس که به وسیله بی¬تقارنی وارون حجمی (نظیر ساختارهای روی ـ سولفید) و دیگری برهم¬کنش اسپین ـ مدار ناشی از بی¬تقارنی وا...

نانوالکترونیک شاخه¬ای از علم و فناوری نانو است که بیشتر درباره الکترونیک وابسته به اسپین یا اسپینترونیک بحث می کند. از سال 1990 که ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر برهم کنش اسپین-مدار پیشنهاد شد تاکنون کوشش زیادی برای تزریق و آشکارسازی جریان¬های اسپین قطبیده در ماده نیمه رسانا انجام گرفته است که باعث گسترش اسپینترونیک شده است. مطالعه ی خواص ترابردی بار و اسپین در حضور برهم¬کنش اسپین- مدار ...

در این رساله با استفاده از فرمول بندی پراکندگی لاندائو-بتیکر به بررسی رسانش در گرافین تک لایه می پردازیم . گرافین تک لایه یک نیمرسانای بدون گاف است که اخیرا توجه زیادی را به خود جلب کرده است . ما نشان خواهیم داد با حضور جفت شدگی اسپین مدار می توان در این ماده دو بعدی گاف ایجاد نمود . نتایج نشان می دهند جفت شدگی اسپین مدار راشبا علاوه بر ایجاد گاف در نوار، می تواند روی ترابرد اسپین حامل های ...

هدف این رساله مطالعه ی پدیده ی چگالش بوز-انیشتین در اتم های فراسرد در حضور میدان های پیمانه ای مصنوعی است. در قسمت اول‏، گازی از اتم های بوزونی بدون برهم کنش را در تله ی حقلوی شبه دوبعدی در نظر گرفته و با استفاده از رهیافت نیمه کلاسیکی به تحقیق امکان چگالش در آن پرداخته ایم. سپس جفت شدگی اسپین-مدار راشبا و درسل هاس با سهم های مساوی و نیز میدان زیمان خارجی را به عنوان میدان های پیمانه ای مصنوعی ...

تقارن های نسبیتی هامیلتونی دیراک سال های بسیار پیش کشف شده است اما در سالهای اخیر وجود این تقارن ها به طور تجربی با استفاده از طیف نمایی هسته و هادرون ها اثبات شده است مفهوم تقارن شبه اسپین با حل معادله دیراک برای پتانسیل های قابل حل دقیق و تحلیلی از قبیل پتانسیل نوسانگر ناهماهنگ و با جفت شدگی اسپین مدار بر حسب k با استفاده از متد نیکیفوروف-اوواروف (un) بررسی می شود و ویژه مقادیر انرژی فرمیون ه...

در این تحقیق با استفاده از روش بستگی قوی و هامیلتونی بسط داده شده بر پایه اوربتال¬های اتمی و فرمول¬بندی تابع گرین به بررسی برهمکنش¬های الکترون-الکترون، الکترون-فونون، الکترون-فوتون و اسپین-مدار راشبا بر روی خواص الکترونی، مغناطیسی و ترابرد در نانو ساختارهای کربنی می¬پردازیم. وجود لبه¬های زیگزاگ در نقاط کوانتومی کربنی موجب جایگزیدگی اسپین بر روی لبه¬ها و مغناطش خالص در نانوساختار می¬شود. برای بر...

در سال های اخیر بررسی اثر اسپین مربوط به جفت شدگی اسپین- مدار در ساختارهای کوانتومی نیم رسانا به ویژه نقاط کوانتومی توجه بسیاری از محققان را به خود جلب نموده است. در این ساختارها محدودیت فضایی، سبب کوانتیدگی ترازهای انرژی الکترون ها در نوار رسانش شده، خصوصیات فیزیکی این سیستم های نیم رسانا را دگرگون می سازد. یکی از مهمترین مشخصه های نقطه های کوانتومی امکان گذار بین زیرنوارها در نوار رسانش یا ظر...

چکیده از زمان پیشنهاد طرح ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر برهمکنش اسپین- مدار راشبا در سال 1990 تا کنون تلاش های زیادی برای تزریق و آَشکارسازی جریان های اسپین قطبیده در یک ماده ی نیم رسانا منجر به گسترش حوزه های مگنتوالکترونیک و اسپینترونیک گردیده است. لذا مطالعه ی خواص ترابرد بار و اسپین حلقه های مزوسکوپی بالیستیک نظیر مقاومت مغناطیسی تونل زنی، تشدیدهای رسانندگی، جریان های پایدار بار و ا...

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.