نتایج جستجو برای: جریان زیرآستانه
تعداد نتایج: 38048 فیلتر نتایج به سال:
امروزه با پیشرفت تکنولوژی و رشد سریع سیستم های قابل حمل مانند کامپیوترهای laptop، تلفن همراه و نیز تراشه های قابل کاشت در بدن انسان مدارات کم توان بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. به منظور کاهش توان مصرفی در مدارهای دیجیتال که حجم غالب مدارهای مجتمع را به خود اختصاص داده اند تاکنون روش های مختلفی چه در سطح مدار و چه در سطح سیستم پیشنهاد شده اند. از جمله ی این روش ها می توان کاهش ولتاژ تغذیه ، کا...
با کوچک شدن روزافزون تکنولوژی و افزایش چگالی مدار های vlsi، اهمیت کاهش مصرف انرژی و توان در این مدار ها بیش از پیش به چشم می خورد. در بسیاری از وسایل، مصرف انرژی پایین به منظور افزایش طول عمر باتری در اولویت اول طراحی قرار می گیرد. یکی از گزینه های بسیار مناسب برای این موارد، مدارهایی هستند که در ناحیه زیرآستانه کار می کنند. با این وجود با پیشرفت تکنولوژی و اضافه شدن امکانات جانبی نیاز به کاهش ...
چکیده: پژوهش حاضر با هدف بررسی تأثیر تحریک های زیرآستانه ای بر بازشناسی تظاهرات هیجانی چهره و همچنین مقایسه ی دو گروه کودکان با ناتوانی یادگیری و عادی در بازشناسی تظاهرات هیجانی چهره صورت گرفت. دویست و هفتاد آزمودنی در پژوهش حاضر شرکت کردند: نمونه ی پژوهش شامل 135دانش آموز عادی و 135 دانش آموز با ناتوانی یادگیری می شد. آزمودنی ها برای مقایسه تأثیرات پیام های زیرآستانه ای صوتی، تصویری و لغت در...
انزجار از جمله هیجانات اصلی است که در آسیب شناسی روانی اختلال وسواس- اجبار به ویژه نوع آلودگی آن نقش مهمی را ایفا می کند. این هیجان به طور گسترده ای از طریق شرطی سازی ارزشی (ec) ایجاد می شود و از طریق ایجاد سوگیری توجه بر رفتار تأثیر می گذارد. پژوهش حاضر با مقایسه ی ارائه های زیرآستانه ای و فراآستانه ای در یک الگوی متشکل از تصویر-واژه، در پی بررسی آن است که آیا شرطی سازی ارزشی مثبت می تواند واک...
تحقیقات صورت گرفته در مورد اثربخشی تحریک زیرآستانه ای همواره دو پهلو و نامطمئن بوده اند.این پژوهش به دنبال اثر تحریک زیرآستانه ای بر پیگیری ناهشیار هدف است.پیگیری ناهشیار هدف حوزه جدیدی است که به پژوهشگران فرصت می دهد تا به مطالعه فضای ناهشیار شناختی بپردازند.در این تحقیق 40 دانشجوی دختر و پسر دانشگاه علامه طباطبایی شرکت کردند.آنها به طور تصادفی به چهار گروه آزمایشی تقسیم شدند.دو گروه اول و دوم...
بررسی و شبیه سازی ساختارهای جدید در کاهش اثرات کانال کوتاه در ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی
در این پایان نامه به بررسی و شبیه سازی ساختارهای جدید ارائه شده در بهبود اثرهای کانال کوتاه از قبیل جریان نشتی، نوسان های زیرآستانه و کاهش سد ناشی از القای درین پرداخته شده است.هم چنین یک ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی جدید به منظور کاهش اثرهای کانال کوتاه ارائه شده است.برای شبیه سازی این افزاره ی پیشنهادی از حل خودسازگار معادله های پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی، برای حل معاد...
هدف: این پژوهش به دنبال بررسی تاثیر ارائه محرک های زیرآستانه ای ولع آور و خنثی بر پاسخ هدایتی پوست و میزان ولع در افراد وابسته به کراک هروئین است. روش: آزمودنی های وابسته به کراک هروئین (15n=) در ابتدا پرسش نامه میل به مواد را پر کردند. سپس به هر دو گروه آزمایش و کنترل (15n=) تصاویر زیرآستانه ای ولع آور و خنثی ارائه شد. همزمان پاسخ هدایتی پوست آنها ثبت گردید. پس از انجام تکلیف،گروه آزمایش مجدد...
عملکرد منطقی پر سرعت با مصرف توان پایین عنصر کلیدی انواع میکروپروسسورها، ابرکامپیوترها، ارتباطات دوربرد و پردازش سیگنالهای دیجیتال است. از آنجاییکه مدارات دینامیک در مقایسه با مدارات cmos استاتیک مرسوم دارای سرعت سوئیچینگ بالاتری بوده و مساحت کمتری را مصرف مینمایند، کاربرد وسیعی در مدارات vlsi پیدا کردهاند. جهت دستیابی به سرعت عملکردی بالای مدار با توان مصرفی پایین، از میان ساختارهای مختلف د...
در سال های اخیر به دلیل افزایش سیستم های قابل حمل که منابع تغذیه ی قابل دسترسی محدودی دارند، مصرف توان به یکی از مفاهیم اساسی در طراحی سیستم ها تبدیل شده است. در تکنولوژی های cmos این مصرف توان به دو بخش توان استاتیکی و توان دینامیکی تقسیم می شود. توان استاتیکی معمولا در مدار های با فشردگی پائین قابل صرفنظر است، اما با مقیاس بندی تکنولوژی و افزایش چگالی ترانزیستورها در تراشه ها، بخش عمده ای از ...
در این پایان نامه یک مدار مرجع ولتاژ پایین با توان پایین ارایه گردیده است. در مدار مرجع پیشنهادی تمامی ترانزیستورهای mos در ناحیه زیرآستانه بایاس گردیده اند. در ساختار مدار برای کاهش حجم اشغالی بر روی ویفر و همچنین کاهش توان تلفاتی، از مقاومت استفاده نشده است، برای سازگاری بیشتر با تکنولوژی cmos و جلوگیری از پیچیدگی مراحل ساخت، در مدار فقط از ترانزیستور mos استفاده گردیده است. این مدار شامل سه ...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید