زمانی که جسمی با سطح ناهموار? تحت تابش نور لیزر قرار می گیرد، جسم نورتابانده شده را پراکنده می کند. نورهای پراکنده شده از سطح جسم با هم تداخل کرده و تشکیل یک الگوی دانه دانه ای را می دهند که به الگوی پیسه لیزری معروف است. الگوهای پیسه ای? از پراکندگی نوردر انعکاس از سطح تشکیل می شوند و می توانند حامل اطلاعات مفیدی از سطح باشند. این روش کاربرد های گوناگونی در صنعت، نجوم و پزشکی دارد که از جمله آ...

در این تحقیق سعی بر این است که بتوان با استفاده از یک جاذب‌ دینامیکی جدید و کارا، لرزش‌های سکوی دریایی مرتعش شده توسط امواج را کنترل نمود. در دو دهه اخیر، تولید مواد هوشمند و کاربرد آنها در طراحی ابزارهای کنترلی پیشرفت قابل ملاحظه‌ای داشته است. آلیاژهای حافظه‌دار یکی از این مواد هوشمند بوده و قابلیت زیادی در مستهلک نمودن ارتعاشات دارند. بنابراین، در تحقیق پیش‌رو، از میراگر جرمی آلیاژ حافظه‌دار ...

میکروسکوپ نیروی اتمی (atomic force microscope) یا به اختصار afm، ابزاری قدرتمند و ضروری در نانوتکنولوژی است که برای مطالعه، تصویر­برداری و شناسایی مواد مختلف با تفکیک اتمی بکار می­رود و در سه مد تماسی، غیر تماسی و کوبشی کار می­کند. در این مقاله ارتعاشات خمشی تیر یکسر­گیردار مورد استفاده در این دستگاه که در مد غیر تماسی نمونه هایی با سختی سطح متفاوت را اسکن می­کند بررسی می­شود. یافتن فرکانسهای ط...

در این تحقیق کاتالیست fe3o4/sio2/hpg/hpg/cooh/pd سنتز گردید. سپس فعالیت کاتالیستی آن در واکنش-های جفت شدن کربن-کربن مورد بررسی قرار گرفت. برای این منظور ابتدا نانو ذرات مگنتیت طبق روش هم رسوبی از نمک های آهن کلرید (??) و (???) با نسبت مولی 1:2 در محیط قلیایی سنتز شدند. گاز بی اثر نیتروژن به طور دائم به منظور اکسیژن زدایی از محلول واکنش عبور داده شد. زیرا حضور اکسیژن منجر به اکسید شدن ذرات مگنتی...

در این تحقیق، ارتعاش آزاد ورق‌های قطاعی ایزوتروپیک کوپل شده با لایه پیزوالکتریک بر مبنای تئوری تغییر شکل برشی مرتبه اول مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. معادلات دیفرانسیل حاکم بر رفتار دینامیکی ورق‌های قطاعی کوپل شده با لایه پیزوالکتریک با بکارگیری اصل همیلتون و معادله الکترواستاتیکی ماکسول بدست آمده است. معادلات دیفرانسیل کوپل حاکم بر ورق مرکب مرتعش، با بکارگیری روش جداسازی متغیرها و توابع پ...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

چندلایه ای مغناطیسی   /fe(20å)(xå)/ag(åfe(20 xrdلایه نشانی شدند. خواص ساختاری نمونه­ها توسط mbar6-10× 2  توسط دستگاه تبخیرحرارتی در خلأ کاری ag با ضخامت­های متغییرلایه­جداکننده و همچنین پاسخ مغناطیسی نمونه­ها دردماهای پایین توسط دستگاه اندازه گیری خواص فیزیکی و دردمای اتاق توسط مغناطیس سنج نمونه مرتعش بررسی شد. محورآسان مغناطش برای این نمونه ها درون صفحه­ای اندازه­گیری شد. با کاهش ضخامت لایه جد...

این مقوله پس از بررسی چند روش مهم اندازه گیری مغناطیس به بحث و بررسی دستگاه v.s.m می پردازد. v.s.m مگنتومترهایی هستند که نمونه در میدان مغناطیسی ارتعاش میکند و اساس آن روی القایی الکترومغناطیسی است . ولتاژ القایی درون سیم پیچهای گیرنده دستگاه و همچنین چگونگی تغییرات ولتاژ و شار مغناطیسی بر حسب فرکانس و دامنه ارتعاش نشان داده شده است . با بررسی روی منحنی های equi-singnal موقعیت مکانی سیم پیچهای ...