با کشف مدارات مجتمع، پیشرفت های خیره کننده ای در چهار دهه، در فناوری های الکترونیکی که بر اساس سیلیکون کار می کردند، اتفاق افتاد. این فرآیند در ابتدا توسط پشتیبانی از ترانزیستورهای ماسفت در ابعاد فیزیکی کوچک بدست آمد که در نهایت منجر به تولیدات موفقیت آمیز بسیاری در ساخت ادوات شد که باعث افزایش چگالی و بهبود عملکردی ترانزیستورها گردید. بیشتر کارشناسان بر این باورند که اگر همین مسیر مقیاس را ادا...

با افزودن درصدی ناخالصی در حدود 25% از اتم های بور در نانولوله کربنی می توان به نانولوله ترکیبی bc3 دست یافت که خواص الکترونی ویژه ای دارد. در این پژوهش با استفاده از روش تنگ بست و رهیافت تابع گرین، مدل نیوز- اندرسون و فرمول بندی لانداور، خواص الکترونی نانولوله ی تک دیواره bc3 نوع زیگ زاگ که بین دو الکترود فلزی ساندویچ شده، مورد بررسی قرار گرفت. با توجه به اینکه دو نوع ساختار زیگ زاگ برای این ن...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

هدف اصلی این پایان نامه، بررسی چگالی حالت های نانونوارهای گرافینی آرمچیر و زیگزاگ با تغییر ساختار هندسه ی آنها،از لحاظ تعداد لایه و عرض میباشد. هامیلتونی نانونوارهای گرافینی را در تقریب تنگ بست در کوانتش دوم بدست آورده، و با استفاده از رهیافت تابع گرین معادله ی حرکت مربوط به الکترونهای ظرفیت سیستم مورد نظر را نوشته، سپس با داشتن تابع گرین و استفاده از نرم افزار متلب (matlab) چگالی حالت های نانو...

در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش...

جریان خاموشی بالا و کم بودن نسبت جریان روشن به خاموش در ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانونوار گرافن، یکی از معایب و مشکلات مجتمع سازی این نوع افزاره ها است. در نتیجه بر آن شدیم تا ساختار هایی را معرفی کنیم که این مشکلات را به حداقل برسانیم. در این پایان نامه عملکرد ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانونوار گرافن و همچنین مهندسی اتصالات سورس و درین در این ترانزیستورها به منظور کاهش جریان ...

در این تحقیق، خواص الکترونی نانولوله های کربنی تحت تأثیر میدان های خارجی توسط مدل تنگ بست مورد مطالعه قرار گرفته است. نانولوله های کربنی هنگامی که از روش زون فولدینگ استفاده می کنیم و از اثرات پیچش و هیبریداسیون اوربیتال های ? و ? صرف نظر می کنیم با توجه به قطر و آرایش مارپیچیشان می توانند یک فلز یا نیمه رسانا باشند. ابتدا، با استفاده از تقریب تنگ بست رابطه انرژی پراکندگی گرافن را محاسبه می کنی...

در این مقاله در قالب رهیافت نظریه ابررسانایی مبتنی بر نوارهای ناخالصی به بررسی آلایشهای مختلف در الماس می پردازیم تا به این سوال پاسخ دهیم که کدام عنصر بیشترین چگالی حالات فاز نرمال را برای نوار ناخالصی ایجاد می کند. محاسبات اصل اولیه ما نشان می دهد که تهی جاهای کربنی با غلظت از حدود چند درصد قادرند نوار ناخالصی با بیشترین تعداد حالات در سطح فرمی را ایجاد کنند. در ادامه برای بررسی اثرات بی نظمی...

در پایان¬نامه ی حاضر، اثر تنش تک محور بر روی انحنای بری گرافین مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات با فرض این که، اعمال تنش به نرمی و آرامی در فضا و مکان رخ داده، صورت گرفته است. نتایج به دست آمده نشان دهنده ی اثرات متنوع تنش اعمالی به گرافین می باشد که می توان از مشاهده ی اثر هال، پمپاژ بار، امکان وجود مغناطش مداری در غیاب هرگونه ماده ی مغناطیسی در سیستم و تولید نیروی الکتروموتیو به عنوان نمونه...

در این پایان نامه، به بررسی و تحلیل عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافنی می پردازیم. همچنین اثرات افزودن نقص به کانال ترانزیستور و تغییر فاصله اتم ها در لبه نانو نوار را مورد بررسی قرار می دهیم. برای شبیه سازی این ساختار از نرم افزار nano tcad vides، siesta و matlab استفاده شده است. در این راه شیوه بدست آوردن هامیلتونی نانو نوار آرمچیر با رویکرد تنگ بست توضیح داده می شود. برای بالاتر ب...