توانایی مونیتور کردن فعالیت الکتریکی نورون ها در مغز، امکان مطالعه فعالیت های مغزی را برای دانشمندان و محققان فراهم می کند. در دهه های 1980 و 1990 توسعه الکترودهایی که با روش های میکرو الکترونیک ساخته می شوند، امکان ثبت فعالیت بسیاری از نورون ها را فراهم کرده است. امروزه تلاش بر این است که بتوان سیستم ثبت سیگنال های عصبی شامل: میکروالکترودها، مدارات آنالوگ، بخش پردازش و قسمت بیسیم را به صورت مج...

تحقیق حاضربه طراحی وتحلیل ساختاریک ترانزیستور algan/gan-hemtباطول گیت um25/. وهمچنین استفاده ازاین افزاره برای طراحی یک تقویت کننده کم نویزباندباریک درفرکانس ghz10می پردازد.دراین راستا ابتداافزاره موردنظررادرنرم افزارسیلواکو طراحی وپس ازانجام شبیه سازی مشخصه های الکتریکی وهم چنین مشخصه های نویزمایکروویوآن رابررسی می نماییم.عملکردنویزافزاره موردنظرازفرکانس ghz1تاghz20ودروضعیت بایاس های مختلف شبی...

در این پایان نامه، چندین تقویت کننده کم نویز پهن باند و کم توان و با بهره یکنواخت در محدوده فرکانسی از ghz 2 تا ghz 5.5 ، برای استفاده در گیرنده های بی سیم، طراحی شده است. این تقویت کننده های کم نویز، با استفاده از دو ترانزیستور phemt ، که بصورت کاسکودی قرار گرفته اند و به کمک توپولوژی استفاده مجدد از جریان، طراحی شده اند. یکی از بهترین طراحی های انجام شده، که، در سرتاسر محدوده فرکانسی از ghz...

تقویت کننده های کم نویز معمولا اولین بلوک بعد از آنتن هستند و وظیفه آن ها تقویت سیگنال دریافتی از آنتن بدون افزودن هرگونه نویز و اعوجاج است. از مهمترین مشخصات تقویت کننده های کم نویز بهره بالا، توان مصرفی کم، تطبیق مناسب امپدانس ورودی و خروجی، عدد نویز کم و حجم کم آن ها است. از این رو از فناوری cmos به دلیل داشتن مشخصاتی چون ضریب کیفیت بالا، قابلیت مجتمع سازی بالا، توان کم مصرفی و فرکانس قطع با...

در سالهای اخیر ، رشد و توسعه تجهیزات مخابرات سیار و سیستم های قابل حمل سبب شده محققان و طراحان rf بر روی مدارات با ولتاژ و توان مصرفی کم تمرکز بیشتری داشته باشند . امروزه اکثر سیستم ها به صورت بیسیم می باشند و کاهش توان مصرفی امری ضروریست که سبب افزایش طول عمر باطری می شود . یکی از مهمترین بخش های گیرنده تقویت کننده کم نویز است که به عنوان اولین طبقه هر گیرنده محسوب می شود . مهمترین ویژگی lna ع...

با توجه به مزایا و ویژگی های سیستم های باند فوق پهن، استفاده از این سیستم ها در گیرنده های بیسیم در طی سال های اخیر به شدت گسترش یافته است. از مهم ترین ویژگی های سیستم های فوق می توان به سرعت بالای ارسال اطلاعات، مقاومت در برابر چند مسیره شدن سیگنال و توان مصرفیِ اندک آن اشاره نمود. در این پایان نامه مطالعه ای بروی سیستم های باند فوق پهن صورت گرفته است و نهایتا دو ساختار جدید برای پیاده سازی تقو...

در این پایان نامه، جزئیات طراحی یک تقویت کننده کم نویز باند پهن ، در فناوری mcmosµ 18/0 مورد بررسی قرار می گیرد. در مدار ارائه شده ، با استفاده از ساختار گیت مشترک تطبیق امپدانس در پهنای باندghz6/10 -9/3 انجام شده است. با به کارگیری روش استفاده مجدد از جریان تقویت کننده بهره توان بالایی در حدود db18 و عدد نویز در حدود db7/3-4/2 ضریب انعکاس ورودی و خروجی(s11وs22 )به ترتیب کمتر از 10- و 5- به دست...

در این گزارش روند طراحی یک تقویت کننده کم نویز را با تأکید بر پارامتر خطینگی ارائه می دهیم. در ولتاژهای پایین رسانایی درین (gd) حائز اهمیت می شود. درحالی که در ولتاژهای بالا این پارامتر تأثیر چندانی ندارد. با افزایش میزان خطینگی رسانایی، iip3 بهبود می یابد. روش خطی سازی فید فوروارد درصدد افزایش رسانایی درین است؛ که می توان با استفاده از فیلتر lc و نیز استفاده از ساختارهای تا شده به این مهم دست ...

تکنولوژی cmos در ابعاد نانو به طور گسترده ای در مدارات مجتمع rf مورد استفاده قرار می گیرد . تقویت کننده های کم نویز نیز اولین طبقه در ورودی گیرنده های بی سیم می باشند و بیشتر در معرض خرابی توسط تخلیه الکترواستاتیک ( esd) می باشند و باریک شدن لایه اکساید گیت در ابعاد نانو به طور جدی مقاومت در برابر esd را کاهش داده است، و طراحی مدارهای حفاظت esd را برای این بخش ضروری می کند . برای مقابله با خراب...