در این پایان نامه، یک تکنیک جدید خطی سازی در تقویت کننده های کم نویز فرکانس بالا ارائه شده است. در فرکانس های موج میلی متری به دلیل کاهش گین ذاتی ترانزیستور ها برای تامین بهره ی مناسب تقویت کننده از ساختار های چند طبقه استفاده می شود که این امر علاوه بر افزایش توان مصرفی، میزان خطسانی بلوک طراحی شده را نیز کاهش می دهد. بیشتر تکنیک های خطی سازی فرکانس پایین در این باند، مشخصات اولیه ی تقویت کنند...

هدف از این مطالعه، آشنایی بیشتر با انواع ساختارهای تقویت کننده های کم نویزباند فوق پهن می باشد. تقویت کننده فوق، باید در یک عرض باند وسیع، دارای بهره توان بالا، تطبیق ورودی مناسب و عدد نویز کمی باشد و توان مصرفی و سطح اشغالی آن بر روی تراشه نیز تا حد ممکن کم باشد. طی چند سال اخیر، روش های مختلفی برای پیاده سازی تقویت کننده کم نویزباند فوق پهن، در تکنولوژی cmos ارائه شده است. از روش های پیاده سا...

در سال های اخیر تکنولوژی های مخابراتی پیشرفت بسیار زیادی داشته است، رشد فوق العاده صنعت بی سیم، دسترسی جهانی به اینترنت و افزایش تقاضای انتقال اطلاعات با سرعت بالا، برداشتن گام های بزرگ در زمینه تکنولوژی های مخابراتی را ضرورتی اجتناب ناپذیر می نماید. یک گیرنده مخابراتی به عنوان یکی از ارکان سیستم های مخابراتی سیگنالی در حدود نانو ولت را دریافت می کند، بنابراین تقویت کننده کم نویز به عنوان دومین...

سیستم های فراپهن باند با قابلیت انتقال داده با سرعت بالاتر و مصرف توان کمتر، توجه زیادی را به خود جلب نموده اند. تقویت کننده کم نویز یک بلوک حساس در گیرنده های فراپهن باند می باشد که باید مشخصات دقیق زیادی را نظیر امپدانس ورودی پهن باند، بهره کافی، عدد نویز پایین، مصرف توان کم و مساحت تراشه کوچک فراهم آورد. برای تقویت کننده کم نویز مسئله تأمین بهره کافی و ایجاد نویز کم اهمیت ویژه ای می یابد، چو...

تحقیق حاضربه طراحی وتحلیل ساختاریک ترانزیستور algan/gan-hemtباطول گیت um25/. وهمچنین استفاده ازاین افزاره برای طراحی یک تقویت کننده کم نویزباندباریک درفرکانس ghz10می پردازد.دراین راستا ابتداافزاره موردنظررادرنرم افزارسیلواکو طراحی وپس ازانجام شبیه سازی مشخصه های الکتریکی وهم چنین مشخصه های نویزمایکروویوآن رابررسی می نماییم.عملکردنویزافزاره موردنظرازفرکانس ghz1تاghz20ودروضعیت بایاس های مختلف شبی...

تقویت کننده های کم نویز معمولا اولین بلوک بعد از آنتن هستند و وظیفه آن ها تقویت سیگنال دریافتی از آنتن بدون افزودن هرگونه نویز و اعوجاج است. از مهمترین مشخصات تقویت کننده های کم نویز بهره بالا، توان مصرفی کم، تطبیق مناسب امپدانس ورودی و خروجی، عدد نویز کم و حجم کم آن ها است. از این رو از فناوری cmos به دلیل داشتن مشخصاتی چون ضریب کیفیت بالا، قابلیت مجتمع سازی بالا، توان کم مصرفی و فرکانس قطع با...

با توجه به مزایا و ویژگی های سیستم های باند فوق پهن، استفاده از این سیستم ها در گیرنده های بیسیم در طی سال های اخیر به شدت گسترش یافته است. از مهم ترین ویژگی های سیستم های فوق می توان به سرعت بالای ارسال اطلاعات، مقاومت در برابر چند مسیره شدن سیگنال و توان مصرفیِ اندک آن اشاره نمود. در این پایان نامه مطالعه ای بروی سیستم های باند فوق پهن صورت گرفته است و نهایتا دو ساختار جدید برای پیاده سازی تقو...

در این گزارش روند طراحی یک تقویت کننده کم نویز را با تأکید بر پارامتر خطینگی ارائه می دهیم. در ولتاژهای پایین رسانایی درین (gd) حائز اهمیت می شود. درحالی که در ولتاژهای بالا این پارامتر تأثیر چندانی ندارد. با افزایش میزان خطینگی رسانایی، iip3 بهبود می یابد. روش خطی سازی فید فوروارد درصدد افزایش رسانایی درین است؛ که می توان با استفاده از فیلتر lc و نیز استفاده از ساختارهای تا شده به این مهم دست ...

توانایی مونیتور کردن فعالیت الکتریکی نورون ها در مغز، امکان مطالعه فعالیت های مغزی را برای دانشمندان و محققان فراهم می کند. در دهه های 1980 و 1990 توسعه الکترودهایی که با روش های میکرو الکترونیک ساخته می شوند، امکان ثبت فعالیت بسیاری از نورون ها را فراهم کرده است. امروزه تلاش بر این است که بتوان سیستم ثبت سیگنال های عصبی شامل: میکروالکترودها، مدارات آنالوگ، بخش پردازش و قسمت بیسیم را به صورت مج...

تکنولوژی cmos در ابعاد نانو به طور گسترده ای در مدارات مجتمع rf مورد استفاده قرار می گیرد . تقویت کننده های کم نویز نیز اولین طبقه در ورودی گیرنده های بی سیم می باشند و بیشتر در معرض خرابی توسط تخلیه الکترواستاتیک ( esd) می باشند و باریک شدن لایه اکساید گیت در ابعاد نانو به طور جدی مقاومت در برابر esd را کاهش داده است، و طراحی مدارهای حفاظت esd را برای این بخش ضروری می کند . برای مقابله با خراب...