نتایج جستجو برای: تقویت کننده های نوری نیمه هادی

تعداد نتایج: 508480  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کردستان - دانشکده مهندسی 1393

در این پایان نامه، ویژگی تقویت کننده نوری نیمه هادی که سبب می شود به عنوان یک آشکارساز استفاده شود بررسی شده است. نشان داده شده که یک آشکارساز علاوه بر آشکارسازی، سیگنال نوری را تقویت کننده نیز می کند. پس از آن مدل سازی دقیقی از رفتار آشکارسازی تقویت کننده نوری برای پالس های در حوزه پیکو ثانیه و فمتو ثانیه انجام شده است. بدین منظور از معادله شرودیگر بهبود یافته که بیان کننده نحوه تغیرات پالس در...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کردستان - دانشکده مهندسی 1393

در شبکه های مخابرات نوری، تقویت کننده های نوری نیمه هادی عنصر بسیار مهمی بحساب می آیند.از میان انواع مختلف این تقویت کننده ها، تقویت کننده نوری نیمه هادی انعکاسی، به دلیل دارا بودن خصوصیاتی از جمله نرخ خاموشی و بهره نوری بیشتر از اهمیت بسزایی برخوردار است. پالس های انتشاری در محیط تقویت کننده توسط مجموعه ای از معادلات دیفرانسیلی غیر خطی کوپل شده رفت و برگشتی توصیف می شوند که برای حل آنها از رو...

پایان نامه :0 1391

در این پایان نامه با توجه به قابلیت های پردازش تمام نوری به طراحی و شبیه سازی گیت یونیورسال nor می پردازیم. برای این کار از دو تکنولوژی متفاوت تقویت کننده های نوری نیمه هادی مبتنی بر نانوکریستال و همچنین شفافیت االقایی دو قطبی بهره برده ایم ولی تاکید پایان نامه روی تکنولوژی نیمه هادی مبتنی بر نانوکریستال با توجه به قابلیت های فراوان آن می باشد. علت انتخاب گیت nor در این حقیقت نهفته است که این گ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کردستان - دانشکده علوم پایه 1389

در این پایان نامه، مدلسازی دقیق رفتار پالس های نوری فوق باریک در تقویت کننده نوری نیمه هادی با استفاده از معادلات انتشار غیرخطی شرودینگر بهبود یافته انجام شده است. برای این منظور، مدلی عددی مبتنی بر روش تفاضل محدود-انتشار پرتو جهت مطالعه و تحلیل انتشار پالس های فوق باریک در تقویت کننده های نوری نیمه هادی ارائه شده است. اثرات کلیه پدیده های غیرخطی شناخته شده در حوزه پیکو ثانیه و فمتو ثانیه، نظیر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز - دانشکده مهندسی برق 1392

پردازش سیگنال تمام نوری یکی از مباحث مهم در زمینه سیستم های مخابراتی و محاسباتی محسوب می شود، که با استفاده از آن می توان از مزایا و ظرفیت های پهنای باند زیاد و سرعت بالای این سیستم ها بهره برد. گیت های منطقی تمام نوری یکی از قطعات کلیدی سیستم های پردازش سیگنال نوری هستند که به کمک آنها عملگرهای اساسی این سیستم ها از جمله تطبیق الگو، شناسایی هدر، سوییچینگ و ... قابل پیاده سازی می باشند. در این ...

ژورنال: :مهندسی برق مدرس 0
mohammad razaghi tarbiat modares university vahid ahmadi tarbiat modares university abas zarifkar iran telecommunication research center

برای تحلیل تقویت کننده نیمه هادی از شیوه ای مبتنی بر روش ماتریس انتقال استفاده شده است. ورودی تقویت کننده، سیگنال نوری تک فرکانس مدوله شده است و از مدولاسیون سیگنال بایاس الکتریکی صرف نظر شده است. مشاهده می شود که هر چه فرکانس مدولاسیون ورودی کمتر باشد، بهره دچار اعوجاج بیشتری می شود اما در فرکانسهای مایکروویو، بهره مقدار متوسطی خواهد داشت و شکل موج خروجی از ورودی تبعیت می کند.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس 1389

در‏ این رساله از مدلی عددی مبتنی بر روش تفاضل محدود برای مطالعه و تحلیل انتشار پالس‏های فوق‏باریک در تقویت‏کننده‏ها‏‏ی نوری نیمه‏رسانا استفاده کرده‏ایم‏‏.‏ این‏‏ معادلات با دقت بالایی توانایی مدل‏سازی‏‏ پالس‏های تا پهنای 120 فمتوثانیه را دارا هستند. خواص سوییچینگی ماخ‏زندر‏ نامتقارن در حوزه پیکو‏ثانیه‏‏ و فمتوثانیه، خصوصیات چرپ خروجی از هر تقویت‏کننده و نیز خروجی نهایی سوییچ مورد بررسی قرارگرفت...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز 1381

هدف از این پایان نامه بررسی ویژگیها و شبیه سازی تقویت کننده نوری نیمه هادی با ساختار ‏‎index-guided‎‏و از نوع ‏‎t.w.a‎‏می باشد. با افزایش چشمگیر کاربرد نور به ویژه در مخابرات نوری استفاده از قطعاتی همچون تقویت کننده های نوری هر روز گسترش می یابد. این قطعات دارای نقش مهمی در مخابرات فواصل دور ( که تکرار کننده مورد نیاز است ) می باشند. یکی از متداولترین و بهترین نوع تقویت کننده های نوری تقویت کنن...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی 1390

در این تحقیق خوردگی سرب در دو حالت الکتروشیمیایی و فتوالکتروشیمیایی بررسی شده،در مطالعه الکتروشیمیایی خوردگی سرب که در محیط کلراید سدیم در محدوده غلظتی 1/0 تا 1 مولار توسط روشهای تافل و امپدانس الکتروشیمیایی انجام شده با استفاده از الکترود سرب با قطر cm 1 افزایش غلظت محلول عاملی در افزایش خوردگی سرب بوده و داده های تافل و ا مپدانس مبین این مسئله می باشند اما در قسمت دیگر این تحقیق که عملا به نو...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید