نتایج جستجو برای: تقویتکننده کسکود تمامتفاضلی

تعداد نتایج: 40  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهران 1380

در دهه 90 با پیشرفت سیستمهای مخابراتی باند پایه، نیاز به سیستمی به وجود آمد که قابلیت انتقال اطلاعات را به شکل متقارن بر روی یک زوج سیم داشته باشد. سیستم ‏‎hdsl2‎‏ در پاسخ به این نیاز به وجود آمد. سیستم مزبور قابلیت انتقال اطلاعات را با سرعت ‏‎1/5mbps‎‏ به طور متقارن دارا می باشد. سیستم ‏‎hdsl2‎‏ نیاز به مبدل آنالوگ به دیجیتالی به پهنای باند ‏‎600khz‎‏ و دقت 15 یا 16 بیت دارد. ولتاژ تغذیه 3 ولت...

در کار پژوهشی حاضر از پلیآنیلین (PANI) به عنوان پلیمر رسانا و از کربوکسی متیل سلولز (CMC) به علت دارا بودن خواص آنتیباکتریال و همچنین زیستسازگاری و زیست تخریبپذیری مناسب، به عنوان بیوپلیمر استفاده شد. نانوذرات 2TiO نیز به عنوان تقویتکننده خواص برای تهیه نانوکامپوزیت 2 PANI-CMC-TiO با درصدهای وزنی مختلف در نظر گرفته شد. نتایج به دست آمده از بررسی خواص آنتیباکتریال نشان داد که نانوکامپوزیتها با د...

در این مقاله، یک مدار تقویت‌کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm CMOS18/0 برای استفاده در سیستم‌های مخابرات نوری ارائه می‌شود. در این مدار یک پیش‌تقویت‌کننده RGC در ورودی استفاده شده است. ساختار RGC در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار RGC به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت‌کننده امپدانس انتقالی میشود. د...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه زنجان - دانشکده مهندسی برق 1391

از آنجایی که سیگنالهای با مدولاسیون دامنه بطور مستقیم نمی توانند به ورودی تقویت کننده های توان خطی اعمال شوند لذا از ساختار های خاص تقویت کننده توان سوئیچینگ برای جمع کردن دامنه و فاز سیگنال استفاده می شود. در سال 2010 میلادی روش جدیدی برای سیگنالهای با پوش متغیر توسط آقای دانیل سیرا به نام مدل مورد نظر تقویت کننده توان کسکود مدوله شده کلاس e ارائه شد. مزیت اصلی این مدل داشتن توان خروجی با رنج ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه زنجان - دانشکده فنی 1393

در این پایان نامه طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده تفاضلی سرعت بالا و گین کافی برای مبدل آنالوگ به دیجیتال pipeline با رزولوشن10-bit و فرکانس 150ms/s با طبقات درونی 4 بیتی ارائه می شود. هسته اصلی این تقویت کننده، ساختار کسکود تاشده با ورودی های تفاضلی nmos بوده و برای افزایش icmr، در طبقه ورودی علاوه بر زوج تفاضلی nmos، از زوج تفاضلی pmos نیز استفاده شده است. از آنجایی که گره های خروجی دارای ام...

در این مقاله به طراحی و شبیه‌سازی تقویت‌کننده کم نویز (LNA) در فرکانس 2.4GHz در فناوری CMOS پرداخته شده است. فرایند شبیه‌سازی با نرم‌افزار HSPICE RF انجام‌گرفته است. استفاده از ساختار کسکود به توان مصرفی پایین‌تر همراه با بهره ولتاژ و بهره توان بالاتر منجر می‌شود. شبکه‌ی تطبیق اضافه‌شده در این مقاله باعث بهبود پارامتر S11به مقدار قابل قبولی شده و باعث شده است که کنترل خوبی بر قسمت حقیقی امپدانس...

در این مقاله به طراحی و شبیه‌سازی تقویت‌کننده کم نویز (LNA) در فرکانس 2.4GHz در فناوری CMOS پرداخته شده است. فرایند شبیه‌سازی با نرم‌افزار HSPICE RF انجام‌گرفته است. استفاده از ساختار کسکود به توان مصرفی پایین‌تر همراه با بهره ولتاژ و بهره توان بالاتر منجر می‌شود. شبکه‌ی تطبیق اضافه‌شده در این مقاله باعث بهبود پارامتر S11به مقدار قابل قبولی شده و باعث شده است که کنترل خوبی بر قسمت حقیقی امپدانس...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی کرمان - پژوهشکده برق و کامپیوتر 1393

در سالهای اخیر استفاده از مداراتrf که بخش جدایی ناپذیر ارتباطات بیسیم می باشد، اهمیت زیادی پیدا کرده است در این میان نیازمند توازن در مشخصاتی نظیر بهره، توان، نویز و حتی تطبیق امپدانس خواهیم بود. همین امر موجبات طراحی و استفاده از روش های ترکیب سیگنال ها و مدارات برای دست یابی به این اهداف را پس از چندین دهه تجربه در ساخت تراشه های نیمه هادی فراهم آورده است. در این اثر تمرکز بر کاربرد روشهای طر...

Journal: :مهندسی برق دانشگاه تبریز 0
پرویز امیری دانشگاه شهید رجائی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر محمود صیفوری دانشگاه شهید رجائی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر بابک آفرین دانشگاه شهید رجائی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر آوا هدایتی پور دانشگاه شهید رجائی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر

در این مقاله، یک مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm cmos18/0 برای استفاده در سیستم های مخابرات نوری ارائه می شود. در این مدار یک پیش تقویت کننده rgc در ورودی استفاده شده است. ساختار rgc در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار rgc به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت کننده امپدانس انتقالی میشود. د...

پایان نامه :دانشگاه رازی - کرمانشاه - پژوهشکده الکترونیک 1393

در این پایان نامه یک تقویت کننده کم نویز(lna)باولتاژاعمالی کم و توان مصرفی پائین و پهنای باند بیسار (uwb)در باند فرکانسی3.1-10.6ghz با استفاده از تکنولوژی90nm cmosبا استفاده از نرم افزارads طراحی و شبیه سازی شده است.در تقویت کننده ی کم نویز ارائه شده برای تطبیق ورودی از ساختار سلف دژنراسیون و برای افزایش پهنای باند از روش کسکود و سلف سری و فیدبک مقاومتی استفاده شده است.برای افزیش خطی سازی(iip3)...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید