با ترکیب معادله دیراک نسبیتی و معادل? بوگلیبوف دژن بازتاب آندریف را در اتصال فلز- ابررسانا در یک سیستم گرافنی بررسی میکنیم . که بازتاب آندریف در گرافن چندین ویژگی غیر معقول دارد 1- الکترون و حفره در ساختار نواری دره های مختلفی را اشغال میکنند 2- در بازتاب نرمال علی رغم عدم تطابق طول موج فرمی در دو طرف اتصال بین فلز و ابررسانا، تبدیل الکترون به حفره با احتمال واحد رخ میدهد 3- زاویه بازتاب ممکن ا...

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

نانو تکنولوژی با ساختارهای مختلفی از مواد سروکار دارد. شاید بتوان گفت جالب ترین نانو ساختارها با کاربردهای بالقوه، نانو لوله های کربنی است . با برش دادن دیواره نانو لوله کربنی تک دیواره در راستای طول، یک صفحه از اتم های کربن به نام گرافن به دست می اید.در این تحقیق تجزیه وتحلیل ساختار الکترونی بر همکنش نانو صفحات گرافنی با فلزات واسطه توسط نظریه کوانتومی اتم ها در مولکول ها مورد ارزیابی قرار می ...

ترانزیستورهای ماسفت با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارند. اما وجود لایه عایق در این ساختارها باعث مشکلاتی مانند اثر بدنه شناور و اثر خودگرمایی می‌گردند. به‌منظور بالابردن عملکرد الکتریکی، در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه می‌گردد. ساختار پیشنهادی با نام QSZ-MOSFET ارائه می‌گردد که در آن چهار ناحیه سیلیسیمی در کانال و در اکسید مدفو...

در این تحقیق، روش نوین فرایند غنی‌سازی گاز طبیعی موازی با فرایند تشکیل هیدرات گازی معرفی شده و تاثیر نانوساختارهای گرافنی شامل نانوصفحات گرافنی، گرافن نانومتخلخل و گرافن هامرز بر این فرایند بررسی شده است. ابتدا نانوصفحات گرافنی به دو روش رسوب‌دهی بخار شیمیایی (CVD) و هامرز، سنتز و پس از آن نانوصفحات گرافنی و گرافن نانومتخلخل، عامل دار شدند تا اثر آن‌ها بر فرایند نیز سنجیده شود. سپس ساختار کریست...

در این مقاله یک فرآیند ریزماشینکاری نانو و میکرومتری بر روی پلی کریستال سیلیکان در قسمت گیت ترانزیستورهای اثر میدان حساس به یون معرفی می گردد که قابلیت استفاده بعنوان حسگر ph را داراست. تزیین گیت ترانزیستور توسط این نانوساختارها یک عامل مهم در بهبود حساسیت این ترانزیستورها می باشد. با استفاده از لیتوگرافی به کمک اشعه الکترونی نانوستونهای پلی سیلیکانی برروی گیت ترانزیستور شکل داده شده اند. بامقا...

طراحی، ساخت و نتایج اندازه‌گیری یک تقویت کننده توان متعادل در باند فرکانسی 1-3 گیگاهرتز با توان خروجی 160 وات ارائه شده است. در تقویت کننده ارائه شده از دو ترانزیستور 90 واتی به صورت متعادل (با استفاده از دو کوپلر 90 درجه 3dB) استفاده شده است. برای طراحی مدار تطبیق ورودی و خروجی هر یک از تقویت کننده‌ها از داده‌های سورس‌پول/لود‌پول و همینطور مدل پارامترهای ایکس ترانزیستور استفاده شده است که هر د...

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

گرافن به عنوان پدیده سال های اخیر با داشتن خواص فیزیکوشیمیائی بی نظیر، جای خود را در علم مواد باز کرده است. اگر بتوان ویژگی های گرافن را با سایر نانو مواد تلفیق نمود، می توان نانو کامپوزیت های بی نظیری ساخت که یکی از این راه ها آرایش صفحات گرافنی با نانوبلورها می باشد. از سوی دیگر استفاده از فلزات صفر ظرفیتی برای پاکسازی پساب های آلوده فناوری با مقبولیت گسترده است. در این تحقیق کامپوزیت گرافنی ...

با توجه به مصرف بالای انرژی در جهان و آلودگی ناشی از سوخت‌های فسیلی، هیدروژن به عنوان یک سوخت پاک مورد توجه بسیاری از دانشمندان قرار گرفته است. لذا در این راستا، فرایند خالص‌سازی گاز هیدروژن نیز می‌تواند بسیار مهم باشد. از میان روش‌های متفاوت جداسازی هیدروژن، روش‌های غشایی به عنوان یکی از روش‌های مهم در خالص‌سازی هیدروژن مورد توجه قرار گرفته‌اند. در میان غشاهای جداساز هیدروژن، غشاهای غیرآلی نیز...