In this paper, we report a new structure for bipolar junction transistors based on concept of surface inversion. This structure is made up of only one PN junction and a metal with appropriate work function connected to the p region which results in an inversion of electrons in the semiconductor near the metal-semiconductor interface, this inversion layer plays the role of emitter n+ region. Sim...

ترانزیستور لیزری (tl) یک ترانزیستور دو قطبی پیوند نامتجانس است که یک چاه کوانتومی در بیس آن تعبیه شده است که باعث گسیل نور در یک طول موج وسیع می شود. شدت نور خروجی با استفاده از چاه کوانتومی در بیس tl افزایش می یابد. ترانزیستور لیزری که به عنوان یک ترانزیستور و یک لیزر به طور همزمان عمل می کند امپدانس خروجی زیاد با بهره جریان در محل پیوند بیس-کلکتور و گسیل لیزر حاصل از بازترکیب الکترون-حفره در ...

اصطلاح مدل قطعه در استخراج اتوماتیک پارامترهای مدار معادل سیگنال کوچک، برای طراحان ic های مدرن بسیار حائز اهمیت است. ihp در سپتامبر سال 2009 با انجام یک سری شبیه سازی در فرکانس بالا بر روی ترانزیستورها، به مشخصاتی برای sige:c bicmos ها دست یافتند که فرکانس قطع و فرکانس ماکزیمم بالا( >ghz 120) از آن دسته مشخصات اند. hbt های sige:c امروزه به عنوان مهمترین ترانزیستورها در تکنولوژی bicmos استفاد...

افزایش روز افزون تقاضا برای ایجاد ظرفیت بیشتر در شبکه های ارتباطی موجب علاقه مندی بیشتر پژوهشگران ‏برای استفاده از ادوات نوری در سرعت های بسیار بالا برای پردازش نوری گشته است و این امر جز با استفاده از ‏ادوات بسیار سریع و تماماً نوری امکان پذیر نمی باشد. از طرفی دیگر استفاده از موجهای تراهرتز علاوه بر مزیت ‏های منحصر بفردی که در مخابرات نوری، کاربردهای حسگری و تصویربرداری و همچنین اپتوالکترونیک ...

هدف این پروژه طراحی و ساخت پروب میدان های پالسی و توسعه آن برای استفاده در رادارهای پلاریمتریک uwb است. پالس مبنا برای طراحی پروب، دوبلت گوسی با طول یک نانو ثانیه می باشد. آنتن دوقطبی کوچک به عنوان سنسور d-dot کاملا شناخته شده است. طول موثر آن رزنانسی است و خروجی آن، به علت امپدانس ورودی خازنی، متناسب با مشتق اول زمانی میدان الکتریکی است . در این پروژه از آنتن دوقطبی کوچک مایکرواستریپ استفاده ش...

در این تحقیق ، به مطالعه بر روی مراجع ولتاژ پرداختیم با استفاده از جریان زیر آستانه ماسفت ها و روش مفهوم اصل ولتاژ باندگپ معکوس (البته با در نظر گرفتن بتا ترانزیستور اتصال دوقطبی) ، مداری طراحی کردیم که قادر به جبران دمایی مرتبه دوم بود. هدف پیشنهادی این پایان نامه ، توسعه مرجع ولتاژ باندگپ با ترجیحا عملکرد ولتاژ پایین و همچنین تضمین پایداری در ولتاژ مرجع بود. با استفاده از نرم افزار hspice و ...

امروزه روش¬های کنترلی متنوعی برای افزایش بازده و هم¬چنین کاهش هزینه¬ی موتورهای القایی، پیشنهاد شده است که کنترل برداری یکی از این روش‏ها است. روش¬های مختلفی برای پیاده¬سازی کنترل برداری وجود دارد. یکی از به¬صرفه¬ترینِ این روش¬ها استفاده از مبدل‏های فرکانسی است. اوایل از مبدل¬های کلاسیک ac-dc-ac که از عناصر راکتیو برای ذخیره¬سازی انرژی بهره می¬گرفتند، استفاده می¬شد. وجود این عناصر راکتیو علاوه بر...

در این پایان نامه به بررسی مفصل تأثیر مقاومت بدنه بر مکانیسم شکست و ولتاژ شکست حالت روشن ترانزیستورهای ماسفت نفوذی افقی سیلیکون روی عایق پرداخته شده است. همچنین در این پایان نامه به بررسی و مقایسه ی فرآیند شکست ترانزیستور ماسفت نفوذی افقی با اتصال بدنه ی معمولی و اتصال بدنه ی لوزی شکل، با بررسی نتایج عملی موجود و انجام شبیه سازی، پرداخته شده است.

در این مقاله ساختاری نوین برای  طراحی و ساخت هیدروفن‌های حساس باندپهن فرکانس پایین ارائه شده است. ساختار پیشنهادی از یک ترانزیستور با گیت معلق تشکیل شده‌است. با برخورد امواج آکوستیکی به گیت معلقی که روی یک ترانزیستور اثر میدانی قرار دارد، فاصله بین گیت و کانال ترانزیستور و به‌تبع آن ظرفیت خازنی معادل بین گیت و کانال ترانزیستور تغییر می‌کند که این امر به تغییر در جریان و ولتاژ خروجی ترانزیستور م...

در این مقاله یک هیدروفن با استفاده از ترانزیستور گیت معلق دندانه شانه ای در فرکانس‌های پایین طراحی و شبیه‌سازی شده است. مکانیزم عملکرد این مبدل بر اساس تغییر خازن گیت-سورس در ترانزیستور ماسفت است. گیت ترانزیستور توسط دو میله به صورت معلق بالای کانال ترانزیستور قرار گرفته است. در پاسخ به موج آکوستیکی ورودی، گیت ترانزیستور دچار خمش شده و منجر به تغییر ظرفیت خازن گیت-سورس می‌شود. در نتیجه موج آکوس...