نتایج جستجو برای: ترانزیستور با تحرک الکترونی بالا
تعداد نتایج: 671783 فیلتر نتایج به سال:
در این تحقیق ابتدا به مطالعه و برررسی نحوه تشکیل چاه کوانتوم دوبعدی در ساختارهای نامتجانس algan و gan میپردازیم . که در این بررسی تمامی پتانسیلهای موجود ، اثر قطبش خود به خودی و پیزوالکتریک که بر چاه کوانتومی تاثیر میگذارند را در نظر خواهیم گرفت . سپس با اعمال پتانسیل خارجی تحرک الکترونی و تراکم الکترونی را محاسبه میکنیم . با مشخص شدن رفتار تراکم الکترونی تحت پتانسیل خارجی میتوان جریان الک...
در این مقاله یک فرآیند ریزماشینکاری نانو و میکرومتری بر روی پلی کریستال سیلیکان در قسمت گیت ترانزیستورهای اثر میدان حساس به یون معرفی می گردد که قابلیت استفاده بعنوان حسگر ph را داراست. تزیین گیت ترانزیستور توسط این نانوساختارها یک عامل مهم در بهبود حساسیت این ترانزیستورها می باشد. با استفاده از لیتوگرافی به کمک اشعه الکترونی نانوستونهای پلی سیلیکانی برروی گیت ترانزیستور شکل داده شده اند. بامقا...
در ترانزیستورهای فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل (cmos) ضخامت گیت اکسید سیلیکون 1 تا 2 نانومتر است. کاهش ضخامت به 1 نانومتر برای تولیدات آتی این ترانزیستورها سبب افزایش جریان تونلی و همچنین جریان نشتی می گردد. از جمله مواد مناسب اکسید هافنیوم است که ثابت دی الکتریک بالایی دارد، گاف نواری آن پهن بوده و در تماس با زیرلایه سیلیکونی دارای تعادل حرارتی است. در کار حاضر فرایندهایی در جهت سنتز hfo2 به کار ...
اساس سیستمهای تصویربرداری ایکس پسپراکنده، پرتوهای بازگشتی هستند که در صنعت و بازرسی دارای کاربردهای بسیاری میباشند. این تصاویر برخلاف روش عبوری، مواد آلی با عدد اتمی پایین مانند مخدر منفجره پراکندگی فوتون بالا، واضحتر دیده میشوند. به علت چندگانه فوتونی معمولاً ماتشدگی دارند. پردازش خروجی میتواند بهبود کنتراست تشخیص کمک کند. تحقیق از وردش برای استفاده شده پرتونگارههای فانتومهایی ارزیابی...
ترانزیستورهای ماسفت با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارند. اما وجود لایه عایق در این ساختارها باعث مشکلاتی مانند اثر بدنه شناور و اثر خودگرمایی میگردند. بهمنظور بالابردن عملکرد الکتریکی، در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه میگردد. ساختار پیشنهادی با نام QSZ-MOSFET ارائه میگردد که در آن چهار ناحیه سیلیسیمی در کانال و در اکسید مدفو...
ترانزیستورهای دوقطبی (bjt ها) هم اکنون در بسیاری از کاربردهای دیجیتال و ریزموجها به عنوان انتخاب اول محسوب می شوند و نقش بسیار مهمی در مداراهای آنالوگ ایفا می کنند. در فناوری bicmos ترانزیستورهای دوقطبی در کنار ترانزیستورهای mosfet ساخته می شوند. قابلیت جریان بالا و بهره زیاد، برتری این ترانزیستورها نسبت به ترانزیستورهای اثر میدان است. بهره جریان امیتر مشترک (?) ترانزیستورهای دوقطبی یکی از مهمت...
یکی از جذاب ترین روش های ماشینکاری مدرن، تخلیه الکتریکی است که در اواخر دهه 1960 معرفی شد. با سیم کاربردهای مختلفی دارد، جمله دقت بالا تمام مواد رسانا مانند فلزات، آلیاژهای فلزی، گرافیت و سرامیک همچنین صنایع هوافضا، خودروسازی سایر صنایع. به منظور افزایش سرعت کاهش زبری سطح عرض شکاف، پارامترهای برش بهینه نقش مهمی انتخاب خروجی دارند. این مطالعه، ورودی (دبی، مدت پالس، فرکانس سیم، کشش جریان دی الکتر...
پایش دمای سطح زمین (LST)، که یکی از پارامترهای مهم زیستمحیطی محسوب میشود، تا کنون با استفاده سنجندههای سنجش دوری دارای توان تفکیک زمانی بالا، همچون سنجندة مادیس (توان روزانه و مکانی یک کیلومتر)، بهطور گستردهای صورت گرفته است. مهمترین مشکلات این سنجندهها پایینبودن آنهاست کارآییشان را، در مواردی شناخت آتش مناطق جنگلی مطالعة جزایر گرمایی شهری، محدود کرده مقابل، سنجندههایی ASTER 90 متر شا...
هدف این پژوهش، طراحی مدل بهینهسازی دوسطحی برای زنجیره تأمین است؛ بهطوریکه تصمیمگیری غیرمتمرکز کمّی و کیفی را در سطوح استراتژی تاکتیکی ادغام کند. کارخانه تولیدی نقش تصمیمگیرنده سطح بالا با ارائه تخفیف مقداری، به دنبال ترغیب مشتریان سفارش خرید بیشتر است. پایین، بهعنوان پایین تمایل دارند مقادیر از طریق مشارکتی، مقیاس اقتصادی دست یابند. یکی نخستین پژوهشهایی است که یافتن راهحلهای بهینه مسئله...
یکی از عوامل محرک برای ایجاد جریان محوری درون روتور سانتریفیوژ به منظور افزایش عملکرد جداسازی، اسکوپ است. با توجه قرار گرفتن در معرض گاز ماخ بالا، دچار شوک شده و گرادیانهای شدیدی اتفاق خواهد افتاد. این پژوهش اطراف حالت دوبعدی (r-θ) روش شبیهسازی مستقیم مونتکارلو (DSMC) استفاده حلگر dsmcFoam فواصل مختلف دیواره شبیهسازی نتایج نشان میدهد که فاصله کاهش زاویه برخورد اسکوپ، سبب بیشینه دما نیروی ...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید