با پیشرفت تکنولوژی نانو و کاهش ابعاد ادوات نیمه هادی، مشکلات قابل ملاحظه¬ای از جمله اثرات نامطلوب کانال کوتاه بوجود آمده اند. لذا به منظور افزایش کارآیی و قابلیت اطمینان قطعه، کاهش اثرات منفی کانال کوتاه مهم است. به دلیل مزایایی که تکنولوژی سیلیسیم رو عایق در مقایسه با ترانزیستورهای بدنه¬ی سیلیسیمی دارد، ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق جایگزین مناسبی برای ابعاد کوچکتر ترانزیستورها می¬باشند. تران...

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

اگر به بررسی موبیلیتی (µ) در ترانزیستورهای لایه نازک آلی در سال های اخیر بپردازیم یک روند افزایشی را در آن به سه دلیل (1-ترکیب نیمه هادی های آلی جدید 2-اتصالات سورس ودرین وشکل بندی کلی ترانزیستور بهینه شده است 3-پارامترهای لایه رسوب شده نیمه هادی آلی بهینه شده اند) مشاهده می کنیم که ما نیز جهت رسیدن به موبیلیتی قابل قبول تحت ولتاژاعمالی گیت پایین روی آنها تمرکز می کنیم. مثلاٌ pentance یکی از عمد...

زمینه و هدف: خونریزی از عوارض شایع عمل لوزه می باشد که نیاز به کنترل دقیق در حین عمل دارد از روشهای مختلفی برای کنترل خونریزی استفاده می شود. در این مطالعه دو روش الکتروکواگولاسیون بای پولار و بخیه در شرایط یکسان مقایسه شده است و هدف یافتن تکنیک آسان، مطمئن و سریع برای کنترل خونریزی حین عمل لوزه می باشد.روش کار: مطالعه بطور آینده نگر از خرداد ماه 1383 تا مهر ماه 85 بر روی 100 بیمار که کاندید عم...

در این پایان نامه،مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر میدان نفوذ افقی با تکنولوژی سیلسیم روی عایق(soi-ldmos) مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین دو ساختار جدید برای بهبود پارامترهای الکتریکی این نوع ترانزیستور نیز پیشنهاد شده است. در این ساختارها با توجه به کاربردهای این افزاره در الکترونیک قدرت و مخابرات ،بهبود همزمان مشخصه های dc وفرکانسی مد نظر قرار گرفته است. در ساختار پیشنهادی اول قطعه فلزی از ج...

در این مقاله یک مدار دومینو جدید برای کاهش توان مصرفی گیت های عریض بدون کاهش چشم گیر سرعت پیشنهاد می شود. در تکنیک مداری پیشنهادی از مقایسه جریان شبکه پایین کش با جریان مرجع جهت تولید خروجی مناسب استفاده می شود. بدین طریق دامنه تغییرات دو سر شبکه پایین کش کم شده و توان مصرفی کاهش می یابد. همچنین از یک ترانزیستور در حالت دیودی به صورت سری با شبکه پایین کش استفاده شده است تا جریان نشتی زیر آستانه...

زمینه و هدف: خونریزی از عوارض شایع عمل لوزه می باشد که نیاز به کنترل دقیق در حین عمل دارد از روشهای مختلفی برای کنترل خونریزی استفاده می شود. در این مطالعه دو روش الکتروکواگولاسیون بای پولار و بخیه در شرایط یکسان مقایسه شده است و هدف یافتن تکنیک آسان، مطمئن و سریع برای کنترل خونریزی حین عمل لوزه می باشد.روش کار: مطالعه بطور آینده نگر از خرداد ماه 1383 تا مهر ماه 85 بر روی 100 بیمار که کاندید عم...

در این رساله یک ماسفت سیلیکون برعایق جدید به منظور کاهش اثرات کانال کوتاه ارائه شده است. ترانزیستور استفاده شده دارای دو گیت مجزا دارای طول های متفاوت می باشد. در این ساختار پیشنهادی بایاس گیت دوم که نزدیک درین قرار دارد به ولتاژ درین وابسته می باشد؛ به عبارتی به وسیله ولتاژ درین کنترل می شود. هدف این است که با انتخاب ولتاژ مناسب برای گیت دوم، از تاثیر ولتاژ درین بر پتانسیل کانال جلوگیری شود. د...

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور DM-DG ارائه‌شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق HfO2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین‌طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (C-DG) شده است. ناحیه عایق HfO2 به‌طور قابل‌توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می‌دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

در این مقاله یک ساختار جدیدی از ترانزیستور دو گیتی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق پیشنهاد شده است. در این تکنولوژی، اکسید مدفون به عنوان یک لایه عایق نسبت به سیلیسیم، هدایت گرمایی پایین تری دارد که باعث بروز مشکلاتی برای ماسفت های در مقیاس نانو می گردد. در این مقاله یک پنجره سیلیسیمی زیر ناحیه کانال جایگزین قسمتی از اکسید مدفون می گردد تا باعث کاهش ماکزیمم دمای افزاره گردد زیرا قابلیت انتقال حرار...