هدف از این پایان نامه طراحی و ساخت یک حسگر مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی گلایوم آرسناید با روش رشد رونشستی پرتوهای مولکولی mbe می باشد. اثر هال یک خاصیت فیزیکی مواد می باشد که در مواد حامل جریان الکتریکی هنگامی که تحت تاثیر میدان مغناطیسی قرار می گیرند به وجود می آید. در این خاصیت یک ولتاژ الکتریکی در دو سر ماده تولید می شود که این ولتاژ متناسب با حاصلضرب چگالی الکتریکی و میدان مغناط...

اگر gیک گراف ساده متناهی باشد و برای راس vیک مجموعه(لیست) متناهی از رنگ ها تخصیص داده شده باشد، مساله اصلی پیدا کردن شرایطی است که تحت آن شرایط بتوان گراف gرا با این تخصیص لیستی طوری رنگ آمیزی کرد که رئوس مجاور رنگ متمایز دریافت کنند.شرط لازم برای چنین رنگ آمیزی شرط هال نامیده می شود.

دراین پایان نامه خواص ترابردی نیمرسانای ‏‎gaas‎‏ از نوع ‏‎p‎‏ مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل سه نمونه نیمرسانایی ‏‎gaas‎‏ هستند به ترتیب با عناصر ‏‎cr‎‏، ‏‎fe‎‏ و ‏‎co‎‏ آلاییده شده اند. این ناخالصی ها ناهمگنی زیادی را در شبکه ‏‎gaas‎‏ به وجود می آورند و از این لحاظ مکانیزم پراکندگی خاصی را برای حاملین بار در ‏‎gaas‎‏ ایجاد می کنند. در این کار تجربی رسانندگی الکتریکی، م...

در این مقاله اثر صحیح کوانتومی هال با اعمال ناخالصی, به دو صورت تابع دلتای دیراک و تابع گوسی به روش تبدیل پیمانه ای بررسی شده است. در حضور این ناخالصیها, ترازهای لاندائو به دو دسته ترازهای گسترده و جایگزیده تبدیل شده و پله هال ایجاد می گردد. در ادامه یک ناخالصی به صورت نقطه کوانتومی به سیستم دارای ناخالصی, اضافه می شود و مشاهده می گردد که افزایش پهنا و ارتفاع نقطه کوانتومی در جهت از بین بردن پل...

سنسور میدان مغناطیسی مبدلی است که میدان مغناطیسی را به یک سیگنال الکتریکی تبدیل می کند. سنسورهای نیمه هادی گالوارنومگنتیک ، با توجه به نیروی لورنتس که به حاملهای بار وارد می شود، به میدان مغناطیسی حساس می باشند. در این پایان نامه ابتدا به فیزیک اثر هال که یکی از مشهودترین آثار گالوانومگنیک می باشد، در نیمه هادیها پرداخته شده است . ابتدا یک تحلیل تقریبی ارائه شده و سپس روابط دقیقتر برای ضرایب اس...

رشد لایه های رونشستی gaas برای اولین بار در ایران با رونشستی پرتو مولکولی mbe انجام شد. این لایه ها عموما" با نرخ یک میکرون در ساعت و با ناخالصی سیلیسیم بر زیرلایه های gaas(001) رشد داده شده است . کیفیت بلوری لایه ها همزمان با انجام رشد توسط سیستم پراش بازتابی الکترون پر انرژی (rheed) تحت مراقبت قرار می گرفت . توسط توزیع نگار خازن - ولتاژ الکتروشیمیایی (ecvp) توزیع چگالی ناخالصی در عمق و نیز ضخ...

سلنید قلع (snse) یکی از نیم رساناهای iv-vi است. این نیم رساناها مدت بیش از یک دهه است که بخاطر خواص بی نظیرشان در اپتو الکترونیک مانند دیود های نور گسیل، دیود های لیزری، کلید زنهای حافظه ای و تولیدات مادون قرمز توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. برای تهیه فیلم های سلنید قلع با کیفیت بالا از روش های مختلفی مانند نهشت بخار شیمیایی، رونهشتی باریکه مولکولی، الکتروشیمیایی، تبخیر و کندوپاش استفاده می...

نظریه های علمی را می توان در بستر فرهنگی شکل گیری خود مطالعه و عوامل شکل گیری آن ها را تحلیل کرد. یکی از نظریات فرهنگی مطرح در اواخر سده بیستم و اوایل سده بیست ویکم، نظریه فرهنگی استوارت هال است. این مقاله درصدد روش شناسی انتقادی مبانی معرفتی و غیرمعرفتی نظریه فرهنگی هال است. نتایج بررسی حاضر نشان می دهد که مبانی غیرمعرفتی نظریه استوارت هال را می توان در شخصیت حاشیه نشین وی و روزگار حاکمیت تاچر...

محاسبه ضریب هال در رهیافت نیمه کلاسیک نیاز به مشتق های اول و دوم انرژی در نزدیک سطح فرمی دارد. بدین منظور ما از توابع وانیر بیشینه-جایگزیده استفاده می کنیم و ویژه مقادیر انرژی و مشتقات آنها را در پایه این توابع، در هر نقطه اختیاری k در فضای وارون، به دست می آوریم. در این کار توابع وانیر بیشینه - جایگزیده را برای فلزات مکعبی pb ، pd ، li ، cu ، au ، ag و al محاسبه کردیم. سپس با استفاده از آنها ر...

در این مقاله پاسخ زیرترازهای لاندائو نسبت به تغییر شار در ناخالصیهای ناهمسانگرد بررسی شده است. در حضور این ناخالصیها, ترازهای لاندائو که به صورت تابع دلتا بوده اند, به دو دسته ترازهای گسترده و جایگزیده تبدیل شده و پله هال ایجاد می شود. مشاهده می شود اگر توزیع ناخالصی در جهت جریان, نسبت به جهت دیگر بیشتر باشد, در آن صورت ترازهای جایگزیده, نسبت به حالت توزیع همسانگرد, از مبدا دورتر می شوند و پله ...