گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های III-V جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم eV 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای GaAs هستند ب...

در این پژوهش لایه های نازک اکسید وانادیوم روی بستر شیشه با استفاده از روش اسپری پایرولیزیز با انتخاب پارامترهای متفاوت دمای بستر (300، 350، 375، 400، 450، °c 500)، غلظت¬ محلول اولیه (0/05، 0/1، 0/15، mol/lit 0/2) و آهنگ¬ لایه نشانی (3، 5، 7، ml/min 10) رشد یافتند. مطالعه و بررسی اثر پارامترهای لایه نشانی روی خواص ساختاری لایه¬های نازک اکسید وانادیوم نشان داد که برای تشکیل فاز بتا-پنتاکسید واناد...

دراین رساله ضمن ساخت و مطالعه حالت جامدی لایه نازک نامتجانس نیمه هادی ‏‎n-cds/p-cdte‎‏ شرایط بهینه ساخت و پارامترهای انباشت تعیین شدند. ما پس از مطالعه اپتیکی ، اپتوالکترونیکی و ساختاری لایه های ‏‎cds‎‏ و ‏‎cdte‎‏ به کمک طیف نگاری ، ‏‎xrd‎‏، ‏‎rbs‎‏ و ‏‎sem‎‏ ، ساختار کریستالی لایه ، صفحات رشد و فواصل آنها، پارامترهای نوری ، توپولوژی سطح و ناخالصیهای لایه را به دست آوردیم. از مقایسه این منحنی ه...

در این تحقیق، لایه های نازک نیمرسانای شفاف اکسید روی آلائیده با فلوئور zno:f) ) به روش اسپری پایرولیزیز بر روی بسترهای شیشه ای تهیه شده است. تاثیر ناخالصی فلوئور بر روی خواص ساختاری، الکتریکی، اپتیکی، ترموالکتریکی و فوتورسانایی لایه های نازک zno) ) بررسی شد. نسبت های اتمی فلوئور به روی (x=[f]/[zn]) از 0 تا 80% در محلول اسپری تغییر داده شد. نتایج به دست آمده از آنالیز xrd تشکیل ساختار بس بلور ور...

در این تحقیق، لایه های نازک نیمرسانای شفاف اکسید روی آلاییده با نیکل zno:ni) ) به روش اسپری پایرولیزیزیر روی بسترهای شیشه-ای تهیه شده اند. تأثیر ناخالصی نیکل بر روی خواص ساختاری، الکتریکی، اپتیکی، ترموالکتریکی و فوتورسانایی لایه های نازک zno) ) بررسی شد. نسبت¬های اتمی نیکل به روی (x=[ni]/[zn]) از 0/0 تا 12% در محلول اسپری تغییر داده شد. نتایج به¬دست آمده از آنالیز پراش پرتو-x تشکیل ساختار بس¬بل...

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های iii-v جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم ev 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده ی گسترده ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای gaas از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای gaas هستند ب...

نانومیله­ های اکسیدروی به روش رسوب حمام شیمیایی (CBD) روی بستر سیلیکون بذردار به صورت عمودی و یکنواخت رشد داده شدند. از لایه نازک اکسیدروی که به روش کندوپاش بر روی بستر سیلیکونی لایه ­نشانی شد به عنوان لایه بذر استفاده شد. اثرات دما و زمان رشد بر خواص ساختاری و مورفولوژیکی نانومیله­ های اکسید روی با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی و پراش اشعه ایکس بررسی شد. مطالعات انجام شده نشان داد که است...