در این مطالعه، طیف تراگسیل یک بلور فوتونی ناهمسان‌گرد یک بعدی با بهره‌گیری از روش ماتریس انتقال برای هر دو حالت قطبش TE و TM مطالعه شده است. نشان دادیم به دلیل وجود لایه ناهمسان‌گرد در ساختار بلور فوتونی مورد مطالعه، گاف براگ موسوم به گاف باند فوتونی ناهمسان‌گرد ایجاد می‌شود. نتایج نشان داد که گاف براگ ناهمسان‌گرد به شدت به جهت محور نوری لایه ناهمسان‌گرد و زاویه پرتوی فرودی وابسته است. ساختار م...

در این مقاله تاثیر گاف ‎نوار فوتونی بر سرعت انتشار پالس انعکاسی از یک بره دی الکتریک آلاییده شده با اتم های دو ترازی یا سه‎ترازی مطالعه می‎شود. فرض می شود بره دی الکتریک میان یک محیط یکنواخت (مانند خلاء) و یک بلور فوتونی یک بعدی قرار دارد. نشان داده می شود که اگر فرکانس حامل پالس گوسی فرودی به بره در ناحیه گاف ‎نوار فوتونی قرار بگیرد انتشار پالس انعکاسی از بره آلاییده شده توسط اتم های دوترازی (...

تمرکز این مقاله روی پتانسیل مواد با ضریب شکست منفی به منظور بهتر نمودن مشخصه های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی یک بعدی می باشد. ما قابلیت مواد دوگانه-منفی در مقایسه با مواد معمولی در بلورهای فوتونی مغناطیسی را بررسی کرده ایم. به عنوان یک نتیجه، دریافتیم که یک پهن شدگی در طیف های اپتیکی و مگنتواپتیکی ساختارهای بلور فوتونی مغناطیسی شامل مواد دوگانه-منفی رخ می دهد. در واقع، نتایج نش...

بلورهای فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوبی هستند که بصورت مصنوعی ساخته شده و قادر به کنترل کامل انتشار نور می باشند. در واقع هدف اصلی در مطالعه بلورهای فوتونی بررسی انتشار امواج الکترومغناطیسی در این بلورها می باشد. بلورهای فوتونی دارای ساختار باندهایی می باشند که از مشخصه های بلور بوده و شامل نوارهای فرکانسی مجاز و ممنوعه است. چنانچه تناوب ضریب دی الکتریک در دو جهت باشد بلور فوتونی دو بعدی اس...

در این مقاله با استفاده از ساختارهای بلور فوتونی دو بعدی، یک میکروسنسور جابه‌جایی طراحی کردیم. این ساختار شامل یک شش‌ضلعی است که در هر ضلع آن 7 حفره قرار گرفته است. جنس حفره‌ها هواست که در یک زمینۀ سیلیکونی قرار داده شده است. حفره‌ها در یک آرایش مثلثی چیده شده‌اند. در این میکروسنسور ابتدا با استفاده از شبیه‌سازی روش تفاضل محدود حوزۀ زمان مقادیر بهینه فرکانس کاری و ثابت شیکه بلور فوتونی محاسبه ش...

تمرکز این مقاله روی پتانسیل مواد با ضریب شکست منفی به منظور بهتر نمودن مشخصه‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی یک بعدی می‌باشد. ما قابلیت مواد دوگانه-منفی در مقایسه با مواد معمولی در بلورهای فوتونی مغناطیسی را بررسی کرده‌ایم. به عنوان یک نتیجه، دریافتیم که یک پهن‌شدگی در طیف‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی ساختارهای بلور فوتونی مغناطیسی شامل مواد دوگانه-منفی رخ می‌دهد. در واقع، نتایج نش...

بلورهای فوتونی ساختارهای جالبی هستند که توانایی کنترل جریان های فوتونی بوسیله تشکیل گاف باند فوتونی را دارند. رفتار فوتونها در بلورهای فوتونی مشابه رفتار الکترونها درون بلورهای نیمرساناست که بوسیله باند های رسانش و ممنوعه کنترل می شوند، به همین دلیل امروزه از فوتونهای با سرعت بالا بجای الکترونهای کند برای انتقال اطلاعات استفاده می شود. در طراحی وساخت بلورهای فوتونی از انواع مختلف مواد اعم از دی...

در این پایان نامه، با استفاده از روش بسط موج تخت، ساختار نواری موجبر بلور فوتونی دو بعدی در دو شبکه مربعی و مستطیلی مورد بررسی قرار گرفته است. ابتدا ساختار نواری موجبر مربعی متشکل از المان هایی به اشکال و ابعاد گوناگون مورد بررسی قرار گرفته و سپس تاثیر ایجاد یک لایه درون هر المان و تغییر شکل و اندازه آن ها بررسی شده است. سپس ساختار نواری موجبرهایی با شبکه های مستطیلی قائم و افقی بررسی شده و با ...

در این پایان نامه، ساختار نواری و اثر چرخش فاراده در بلور فوتونی دو بعدی مغناطیسی- اپتیکی متشکل از نانو استوانه هایی با المان‏های بیضوی در شبکه مربعی مورد بررسی قرار گرفته است.

در این مقاله آرایه­ای متناوب مثلثی شکل از بلورهای فوتونی دو بعدی در صفحه­ی x-z ایجادشده است.در این ساختار میله­های شش­ضلعی سیلیکونی در زمینه هوا قرار دارند.با قرار دادن یک منبع نور گوسی در سمت چپ و مرکز ساختار میزان انتشار و انعکاس در اطراف بلور فوتونی به دست آمد. روش تفاضل متناهی حوزه زمان (fdtd)جهت شبیه­سازی استفاده شده است که از جمله روش­های عددی است.با توجه به نتایج شبیه­سازی، بلور فوتونی د...