در این تحقیق، نانوسیم‏های بس لایه مس/ پالادیم با استفاده از روش رسوب دهی الکتروشیمیایی درون قالب پلی کربنات رشد داده شدند. رشد نانوسیم‏ها در هنگام رسوب با پتانسیل ثابت با استفاده از نمودار جریان- زمان مورد بررسی قرار گرفت. خواص ریخت شناختی نانوسیم‏ها توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی ( sem ) مورد مطالعه قرار گرفت و نتایج نشان داد که تقریبا طول تمام نانوسیم‏ها برابر بوده و حدود 4 میکرومتر می‏باشد و ...

بلورهای فوتونیک ساختارهای متناوب از مواد دی¬الکتریکی¬اندکه مهم¬ترین مشخصه¬ی آن¬ها داشتن گاف نواری فوتونیک است. فرمول¬بندی و روابط فیزیکی مربوط به بلورهای فوتونیک، امواج بلوخ، تقارن¬ها، نقص در بلورهای فوتونیک و ... معرفی می¬گردد. بلورهای فوتونیک مغناطیسی، نوعی از بلورهای فوتونیک¬اند که در آن¬ها اجزای مغناطیسی در کنار مواد دی¬الکتریکی قرار داده می¬شود و با به¬کاربردن میدان مغناطیسی خارجی، خاصیت م...

لایه های نازک اکسید روی آلایش یافته با ناخالصی نیتروژن (ZnO:N) به روش اسپری پایرولیزیز بر روی شیشه و نیز لایه واسط اکسید روی خالص در دمای 0C450 به روش اسپری پایرولیزیز سنتز شدند. طیف XRD نمونه ها نشان دهنده رشد نمونه ها به صورت بس بلوری در فاز ششگوشی بوده در حالی که جهتگیری ترجیحی رشد در آنها تغییر پیدا کرده است. این تاثیر گذاری در خواص اپتیکی لایه ها نیز بخوبی مشهود بوده به طوری که عبور اپتیکی...

در این پروژه ابتدا نانوسیم های کبالت- پلاتین به روش الکتروانباشت تهیه و سپس به بررسی خواص مغناطیسی آن ها پرداخته شد. برای بررسی خواص مغناطیسی نانوسیم های بس لایه ای و آلیاژی کبالت- پلاتین، این نانوسیم ها در نانوحفره های ایجاد شده در سطح زیرلایه سیلیکون، انباشت داده شدند. با محاسبات مغناطومقاومت مشخص شد که با کاهش ضخامت لایه-های بس لایه ای، مغناطومقاومت بزرگ به مغناطومقاومت ناهمسانگرد تبدیل می ش...

لایه های نازک اکسید روی آلایش یافته با ناخالصی نیتروژن (zno:n) به روش اسپری پایرولیزیز بر روی شیشه و نیز لایه واسط اکسید روی خالص در دمای 0c450 به روش اسپری پایرولیزیز سنتز شدند. طیف xrd نمونه ها نشان دهنده رشد نمونه ها به صورت بس بلوری در فاز ششگوشی بوده در حالی که جهتگیری ترجیحی رشد در آنها تغییر پیدا کرده است. این تاثیر گذاری در خواص اپتیکی لایه ها نیز بخوبی مشهود بوده به طوری که عبور اپتیکی...

هدف از انجام این پایان نامه ساخت و بررسی برخی از ویژگی های فیزیکی دیودهای نورافشان آلی بر پایه ی نانوکامپوزیت ها بود. بدین منظور، دو دسته دیود ساخته شد که در هر دو دسته، لایه های نازکی از اکسید قلع ایندیوم، بس (استایرن سولفونات) آلاییده با بس (3و4- اتیلن دی اکسی تایفین) ، بس (9- وینیل کاربازول)، تریس (هیدروکسی کوینولیناتو) آلومینیوم، لیتیوم فلوراید و آلومینیوم به ترتیب به عنوان آند، لایه ی تزری...

  Amorphous GeOx/SiO2 multilayers (1<x<2) were prepared by successive evaporation of GeO2 and SiO2 powders onto the Si substrates maintained at 100°C. Structural study by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Fourier transform infrared-absorption (FTIR) spectrometry, and transmission electron microscopy (TEM) was carried out. These techniques allowed us to follow the structural evolution, and...

نانوسیم های مغناطیسی آلیاژی در سال های اخیر، بواسطه ی خواص gmr فوق العاده ای که در چند لایه های مغناطیسی / غیر مغناطیسی از خود نشان می دهند، به طور گسترده مورد تحقیق واقع شده اند. به-منظور بهینه سازی شرایط الکترو انباشت برای ساخت و آماده سازی چند لایه های مغناطیسی /غیرمغناطیسی، اثر شرایط الکتروانباشت پالسی روی کاهش مغناطش نانوسیم های آلیاژی fecocu در غلظت های مختلف cu مورد بررسی و مطالعه قرار د...

در این مقاله, لایه های نازکی از ترکیبات سرمت zr-zro2 به روش اسپاترینگ مگنترون بر روی زیر لایه هایی از si و نیز کوارتز همجوشیده جایگذاری شده, پاسخ اپتیکی نمونه ها به تغییر فشار جزیی اکسیژن و نیز تاثیر بازپخت لایه ها بر ساختار بلوری لایه و طیف نوری نمونه ها مورد بررسی تجربی قرار گرفته است. نتایج حاصل از xrd حاکی از بی شکل بودن ترکیبات کامپوزیت تهیه شده بود؛ اما آزمایشها نشان دادند که بازپخت در خل...

الکتروانباشت یکی از روشهای ساده ولی در عین حال پرکاربرد و قوی در زمینه رشد لایه های نازک فلزی است. با استفاده از این روش لایه های نازک ni و ni-co-cu از محلول های سولفاتی- سیتراتی تهیه گردیدند. به منظور بررسی رفتار پتانسیودینامیکی الکترولیت، منحنی cv مربوط به آنها تهیه و مورد مطالعه قرار گرفت. سپس با انتخاب ولتاژهای مناسب از روی این منحنی ها، عملیات لایه گذاری انجام گرفت. لایه ها تحت شرایط مختلف...