نتایج جستجو برای: افت وخیزهای تابع گاف

تعداد نتایج: 30761  

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
حسن ربانی h rabani shahrekord universityدانشگاه شهرکرد محمد مردانی m mardaani shahrekord universityدانشگاه شهرکرد آذر اسماعیلی a esmaeili shahrekord universityدانشگاه شهرکرد

در این مقاله به مطالعه رسانش و چگالی حالت های الکترونی یک بسپار شانه-مانند با انرژی پرش متناوب متصل به دو زنجیره ساده یک بعدی در رهیافت بستگی قوی پرداخته شده است. روابطی برای ضریب عبور الکترونی و چگالی حالت ها به کمک تابع گرین سامانه به صورت تحلیلی ارائه شده اند. نتایج نشان می دهند که طیف رسانش الکتریکی بسپارهای پلی استیلن-مانند در غیاب انرژی پرش پیوند کربن-هیدروژن دارای یک گاف انرژی متناسب با ...

در این مقاله با استفاده از نظریه تابعی چگالی به بررسی رفتار و تغییرات بسامدهای پلاسمونی انبوهه ای ایجاد شده در بلور الماس تحت اعمال فشارهای هیدرواستاتیک در بازه ی 0 تا 100 گیگا پاسکال می پردازیم. علاوه بر این، خصوصیت اپتیکی دیگری نظیر ضریب بازتاب نیز محاسبه می شود. نتایج ساختار الکترونی، چگالی احتمال گذار و طیف افت انرژی نشان می دهند که با افزایش فشار هیدرواستاتیک تا 100 گیگا پاسکال علاوه بر با...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
زهره کارگر z kargar shiraz universityدانشگاه شیراز وحید دهقانی v dehghani

در این مقاله فرمول بندی بهینه مدل bcs با استفاده از تابع توزیع احتمال هم دما ارائه و تأثیر افت و خیز های آماری بر رفتار ترمودینامیکی هسته های بررسی شده است. در ابتدا مقدار میانگین پارامتر گاف و سپس انرژی، آنتروپی و ظرفیت گرمایی محاسبه شده اند. نتایج حاصله با نتایج مدل استاندارد bcs و نتایج روش تقریب مسیر ایستایی باضافه تقریب فاز کاتوره ای(spa+rpa) مقایسه شده اند. نشان داده ایم که رفتار ظرفیت گر...

در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین، ویژگی های ترابرد اسپینی در یک نانونوار سیلیسینی زیگزاگ که به دو الکترود نیم نامتناهی فلزی متصل شده است را در حضور میدان های الکتریکی، تبادلی و بی نظمی بررسی می نماییم. محاسبات ما نشان می دهد که در حضور میدان الکتریکی عمود بر ورقه سیلیسین و بی نظمی، گذار فاز فلز- نیم‌رسانا در سامانه رخ می دهد. همچنین با تغییر پهنایی از نوار که میدان الکتریکی به ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان - دانشکده علوم پایه 1391

اثر کازیمیر در واقع اُفت وخیزهای نقطه ی صفر میدان الکترومغناطیسی کوانتومی را به صورت نیروی جاذبه ی بین ورقه های تخت رسانا آشکار می کند. همچنین مواد دی الکتریکِ خنثای الکتریکی در دمای اُتاق، به دلیل وجود اُفت وخیزهای میدان الکترومغناطیسی در داخل شان، تحت چارچوب نظریه ی لیفشیتز با یکدیگر برهم کنش می کنند که بسته به تابع های پاسخ دی الکتریک آن ها نیروی لیفشیتز می تواند جاذبه و یا دافعه باشد. شواهد ت...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده علوم 1392

گرافن یکی از نانوساختارهای پرکاربرد در زمینه های مختلفی از جمله حسگری، الکترونیک و غیره می باشد. اخیراً ترکیبات نیمه رسانای دیگری مانند نیتریدبور، کربید سیلیسیم و اکسید برلیوم نیز در این ساختار کریستالی مورد بررسی های تجربی و تئوری دانشمندان قرار گرفته است. در این پروژه با استفاده از محاسبات اصول اولیه در قالب نظریه تابعی چگالی به بررسی خواص الکترونی و اپتیکی تک لایه گرافنی اکسید برلیوم (beo)و ...

نظریه تابعی چگالی (DFT) و نظریه اختلال بس ذره‌ای G0W0 به منظور بررسی تغییر خواص الکترونی پلیمر پلی‌تیوفین (PT) در مجاورت گرافین به کار گرفته شدند. نتیجه تحلیل تغییر چگالی بار نسبت به قبل از برهمکنش متقابل، نشان دهنده‌ی شکل-گیری دوقطبی الکتریکی قوی و جذب از نوع فیزیکی در سطح می‌باشد. تغییر پتانسیل الکتریکی محاسبه شده نشان‌دهنده‌ی تغییر تابع کار به مقدار از مقدار اولیه آن است. نتایج به دست آمده ا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده فیزیک 1392

خواص سیستم های ابررسانای منزوی در مقیاس نانو ، از جمله خواص ترمودینامیکی آن ها ، به شدت به پاریته تعداد الکترون ها وابسته است . در حالت عادی الکترون ها در یک حلقه ابررسانا به صورت زوجهای کوپر در حرکتند . اگر تعداد الکترون ها فرد باشد ، یک الکترون جفت نشده باقی می ماند که انرژی آن برابر با گاف انرژی ابررسانا است . در صورتیکه در مقیاس نانو این الکترون فرد به زوج های کوپر اضافه شود و حلقه شامل یک ...

در این مقاله خواص الکترونی و اپتیکی ترکیبات کلکوژنید  در حالت سطح در راستای (001) مورد مطالعه قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش شبه‌پتانسیل در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی (DFT) با استفاده از نرم‌افزار کوانتوم ‌اسپرسو با تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) انجام شده است. گاف نواری ترکیبات CuSbX2(X=Se,S) در حالت انبوهه به‌ترتیب 80/0 و93/0 الکترون ولت است اما در حالت ...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
حمیده شاکری پور h shakeripour department of physics, isfahan university of technology, isfahan, iranدانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان، اصفهان

فهم و شناخت سازوکار جفت شدگی الکترون ها در ابررساناهای جدید، از مسائل بنیادین در زمینه ابررسانایی است. سازوکار جفت شدگی الکترون ها، با پارامتر نظم و در واقع با ساختار گاف یک ابررسانا رابطه مستقیم دارد. ابررساناهای متعارف موج s، دارای ساختار گاف متقارن در اطراف سطح فرمی هستند. حضور این ساختار پارامتر نظم متقارن، موجب می شود که بسیاری از خواص فیزیکی ماده در دماهای پایین، رفتار نمایی نسبت به دما ن...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید