چکیده: در ایـن مقاله طراحی یک مبدل زمان به دیجیتال 12 بیتی رزولوشن بالا و توان مصرفی کم مبتنی بر اسیلاتور حلقوی چند­مسیره (Multi-Path Gated Ring Oscillator) در تکنولوژی nm-CMOS130 بیان شده است. برای افزایش رزولوشن دو مسیر گیت با رزولوشن­های متفاوت، رزولوشن درشت و رزولوشن ریز، به­صورت ساختار ورنیر استفاده شده است. تأخیر گیت هر مسیر تعیین­کننده رزولوشن آن مسیر و به دلیل به ­کار بردن آن­ها در ساخت...

با افزایش فرکانس کاری مدارهای الکترونیکی، نیاز به حلقه های قفل فاز با جیتر کم بیش از پیش نمایان می گردد. از جمله پارامترهای اثرگذار در مقدار جیتر خروجی، پهنای باند حلقه است. می توان برای هر کاربرد خاص از حلقه قفل فاز، پهنای باند بهینه ای را یافت که در آن جیتر شکل موج خروجی کمترین مقدار ممکن باشد، اما با تغییر فرکانس ورودی پهنای باند حلقه قفل فاز از حالت بهینه خارج می شود و عملکرد جیتری مختل می ...

در این پایان نامه با مطالعه حلقه های آرمنداریز به بررسی ویژگی آرمنداریز در حلقه هم حاصل ضرب از k-جبرها می پردازیم. سپس حلقه های پوچ آرمنداریز را که تعمیمی از حلقه های آرمنداریز می باشند مورد مطالعه قرار می دهیم و ساختار مجموعه ای از عناصر پوچ توان در حلقه های آرمنداریز و پوچ آرمنداریز را بررسی می نماییم. هم چنین به بررسی توسیع چند جمله ای حلقه های پوچ آرمنداریز می پردازیم. در پایان با مطالعه حل...

این پایان نامه ، شامل طراحی و شبیه سازی یک ‏‎pll‎‏ ، با توان مصرفی کم و ‏‎jitter‎‏ پائین در رنج فرکانسی ‏‎1ghz-2ghz‎‏ ، در تکنولوژی ‏‎cmos,0/35um‎‏ می باشد.به منظور بدست آوردن فرکانس بالا و توان مصرفی کم ، یک اسیلاتورحلقوی با دو ‏‎delay stage‎‏ معرفی می شود.ساختار دیفرانسیلی این اسیلاتور موجب کاهش نویز تغذیه تزریق شده به مدار می گردد. علاوه بر آن بخاطر ‏‎swing‎‏ ولتاژ بالا، ‏‎phase noise‎‏ در م...

نوسان ساز های کنترل شده با ولتاژ با مشخصاتی از قبیل نویز فاز کم ،گستره تنظیم وسیع ، و مصرف توان کم یکی از نیازهای اساسی در صنعت الکترونیک و مخابرات می باشد. از جمله چالش های موجود در زمینه کاری نوسان ساز های کنترل شده با ولتاژ مصرف توان بالا و نویز فاز می باشدهدف از این پایان نامه طراحی و شبیه سازی اسیلاتور کنترل شده با ولتاژ شبه کولپیتسی است که ضمن حفظ مشخصه نویز فاز مناسب نوسان ساز های کول پی...

امروزه تقاضا برای سیستم های بی سیم سرعت بالا، سیر صعودی یافته است. عبارت هایی نظیر توان پایین و سطح مجتمع سازی بالا (ics)، موارد کلیدی در توسعه ی سیستم های ارتباطی بی سیم هستند. از این رو در چند سال اخیر، کارهایی در زمینه ی مصرف جریان کم و مجتمع سازی بالا صورت گرفته است. به منظور رسیدن به سطح مجتمع سازی بالا و مصرف توان پایین، مدارات نوسان ساز و مخلوط کننده را با استفاده از فرآیندهای gaas و bi-...

رشد سریع و نمایی مخابرات بی سیم ، منجر به احساس نیاز به محصولات بی سیم با هزینه پایین ، توان مصرفی کم و اندازه کوچک شده است. در حال حاضر جهت کلی حرکت به سمت استفاده از تکنولوژی cmos برای ساخت اجزای rf سیستمهای بی سیم مانند تقویت کننده های کم نویز (lna) ، ضرب کننده ها (mixers) و اسیلاتورهای کنترل شونده با ولتاژ (vco) می باشد . مزیت چنین کاری استفاده از ظرفیت های عظیم ساخت تکنولوژی cmos در کنار ف...