برهمکنش بین نور و ماده ی مغناطیسی می تواند باعث پدیده های مغناطواپتیکی بسیاری شود، از جمله ی آن ها می توان به چرخش فارادی و کر اشاره کرد. برای بدست آوردن اثر مغناطواپتیکی می توان از مواد مغناطیسی نوع حجیم استفاده نمود، ولی این چنین اندازه های بزرگ برای استفاده در سیستم های مخابرات نوری (ایزولاتورهای اپتیکی) که دارای اندازه های کوچک هستند مناسب نیستند. یکی از روش ها برای افزایش اثرهای مغناطواپتی...

در این مقاله با استفاده از تقریب های چگالی اسپین موضعی (LSDA) و چگالی اسپین موضعی بعلاوه انرژی هابارد (LSDA+U) در چارچوب نظریه تابعی چگالی ابتدا چگالی حالت های کل ، جزئی و همچنین گشتاور مغناطیسی اتم ها محاسبه و سپس با توجه به نتایج بدست آمده خواص الکترونی و مغناطیسی منگنایت NdMnO3 مطالعه شده است. محاسبه انرژی حالت پایه سیستم نشان داد فاز پایدار سیستم فرومغناطیس است. همچنین این بررسی نشان داد که...

در تحقیق حاضر با اعمال هم‌زمان کشش و سد مغناطیسی به گرافین گاف‌دار که بین دو الکترود فرومغناطیسی قرار گرفته است ضریب عبور و رسانش پیوندگاه بررسی شده و شرایط رسیدن به بیشینه مقاومت مغناطیسی مهیا شده است. نتایج نشان می‌دهند اعمال کشش به تنهایی منجر به ایجاد گاف دره‌ای در ساختار گرافین نمی‌شود و این گاف با اعمال سد مغناطیسی در حضور کشش در ساختار گرافین قابل ایجاد و با تغییر مقدار گاف جرمی زیر لایه...

پس از آنکه در سال 2004 تک لایه دو بعدی گرافین در آزمایشگاه ساخته شد، توجه دانشمندان به بررسی ویژگی های این ماده معطوف گردید. القای خواص ابررسانایی و فرومغناطیسی بوسیله اثر مجاورت در گرافین، موجب شد تا زمینه ی مناسبی برای مطالعه ویژگی های ترابردی اتصالات پایه-گرافینی شامل ابررسانا، فرومغناطیس و عادی (گرافین در حالت عادی) پدید آید. هم چنین مقاومت مغناطیسی غول آسا، gmr، پدیده دیگری است که کشف آن د...

در این مقاله با استفاده از تقریب های چگالی اسپین موضعی (lsda) و چگالی اسپین موضعی بعلاوه انرژی هابارد (lsda+u) در چارچوب نظریه تابعی چگالی ابتدا چگالی حالت های کل ، جزئی و همچنین گشتاور مغناطیسی اتم ها محاسبه و سپس با توجه به نتایج بدست آمده خواص الکترونی و مغناطیسی منگنایت ndmno3 مطالعه شده است. محاسبه انرژی حالت پایه سیستم نشان داد فاز پایدار سیستم فرومغناطیس است. همچنین این بررسی نشان داد که...

در این مقاله با استفاده از تقریب های چگالی اسپین موضعی (lsda) و چگالی اسپین موضعی بعلاوه انرژی هابارد (lsda+u) در چارچوب نظریه تابعی چگالی ابتدا چگالی حالت های کل ، جزئی و همچنین گشتاور مغناطیسی اتم ها محاسبه و سپس با توجه به نتایج بدست آمده خواص الکترونی و مغناطیسی منگنایت ndmno3 مطالعه شده است. محاسبه انرژی حالت پایه سیستم نشان داد فاز پایدار سیستم فرومغناطیس است. همچنین این بررسی نشان داد که...

از زمان کشف پدیده هایی مانند مقاومت مغناطیسی بزرگ و مقاومت مغناطیسی تونل زنی در چند لایه های مغناطیسی، تحقیقات وسیعی بر روی مواد مغناطیسی و لایه های نازک مغناطیسی انجام شده است. تلاش فیزیکدان ها در این زمینه باعث ساختن نانو ساختارها و چند لایه های مغناطیسی و به کار بردن آن ها در فناوری، صنایع حس گرها و ثبت کننده ها شده است. مطالعه ترابرد وابسته به اسپین در نانوساختارها و چند لایه ها به ما در طر...

در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین رسانش الکترونی یک نانو حلقه کربنی را برای موقعیت های مختلف اتصال هادی ها به آن در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی کردیم. نتایج نشان می دهد که با نزدیک شدن هادی ها در نانو حلقه، رسانش تونل زنی در ناحیه گاف بهتر می شود. همچنین اعمال میدان مغناطیسی تأثیر زیادی بر طیف رسانش این نانو حلقه دارد، به گونه ای که وجود میدان باعث می شود مواردی که طیف رسان...

هدف اصلی این تحقیق، تاثیر میدان مغناطیسی روی رسانش الکتریکی نانوساختار در مدل بستگی قوی است. بدین منظور ابتدا فرض کردیم که ذره های باردار و میدان مغناطیسی مستقیماً با یک دیگر برهم کنش ندارند، نتایج نشان می دهد که اثر آهارانف- بوهم روی رسانش الکتریکی حلقه تاثیر می گذارد و رسانش الکتریکی را کمتر می کند. اگر میدان مغناطیسی به اندازه کافی قوی باشد رسانش الکتریکی به طور کامل صفر می شود. در ادامه تا...