در این پژوهش فرایندهای تونل زنی وابسته به اسپین الکترون ها را از ساختارهای نامتجانس مغناطیسی به صورت فرومغناطیس/نیمرسانا/فرومغناطیس مورد بررسی قرار داده و تاثیر دو برهم کنش اسپین- مدار درسل هاس و راشبا را به طور جداگانه بر این فرایندها به دست آورده ایم. سپس این دو برهم کنش اسپین- مدار را در یک ساختار مرکب به صورت فرومغناطیس/نیمرسانا (با برهم کنش درسل هاس)/نیمرسانا(با برهم کنش راشبا)/فرومغناطیس ...

در این مقاله به بررسی تأثیر پتانسیل تحدید کوانتومی روی خواص اپتیک خطی و غیرخطی یک سیم کوانتومی چند لایه در حضور برهمکنش اسپین مدار راشبا که هم‌زمان تحت تأثیر میدان‌های الکتریکی و مغناطیسی خارجی قرار دارد، خواهیم پرداخت. بدین منظور ابتدا با حل معادله‌ی شرودینگر، ویژه‌توابع و ویژه‌مقادیر انرژی سیستم در حضور برهمکنش اسپین- مدار و میدان‌های خارجی را محاسبه کرده و با روش‌های عددی ‌ویژه‌مقادیر و ویژه...

جفت شدگی اسپین-مدار در نیمه رساناها مخصوصاً نانو ساختارها از اهمیت ویژه ای برخوردار است. جدیداً مطالعاتی را بر روی سیستم های کم بعد با در نظر گرفتن اثر جفت شدگی اسپین-مدار قوی انجام داده اند. به عنوان مثال بررسی هایی بر روی یک نقطه ی کوانتومی و همین طور سیم کوانتومی محدود شده در پتانسیل نوسانگر انجام داده اند. در این پایان نامه با استفاده از مکانیک کوانتوم و مکانیک آماری، خواص تک ذره ای از جمله ا...

در سال¬های اخیر بررسی اثر اسپین مربوط به جفت¬شدگی اسپین- مدار در ساختارهای کوانتومی نیم¬رسانا به ویژه نقاط کوانتومی توجه بسیاری از محققان را به خود جلب نموده است. کنترل اسپین مستلزم این است که اسپین، تمیز پذیر باشد و این بدین معنی است که تبهگنی اسپینی باید از میان برداشته شود. یکی از راه¬های کنترل حالت¬های اسپینی، به کار بردن یک میدان مغناطیسی برای حذف تبهگنی کرامرز است که در نتیجه آن امکان دست...

در این پایان نامه با در نظر گرفتن اثرات زیر لایه بر روی گرافین واحتساب ترم راشبا و با معرفی معادله نیمه کلاسیکی در دو بعد ویژه حالات و باندهای جدید اسپینی سیستم به دست آمده و اثر ناخالصی ها و پتانسیلهای خارجی بر روی ترابرد اسپینی با محاسبه جریان اسپینی و انباشت اسپینی محاسبه خواهد شد. همچنین اثر ناخالصی ها در مقاومت مغناطیسی نیز محسوب خواهد شد

اثر اسپینی هال (she) نامی است که به مجموعه ای از پدیده هایی گفته می شود که دو خصوصیت اساسی و مهم دارند: (1) جریان الکتریکی طولی در نمونه ای از نیمه رسانای پارامغناطیسی یا فلزی منجر به جریان اسپینی عرضی و انباشتگی اسپینی در لبه های عرضی می شود؛ (2) she نیازی به اعمال میدان مغناطیسی خارجی و یا نظم مغناطیسی نمونه در حالت تعادل ندارد. در عوض متکی بر حضور جفت شدگی های اسپین- مدار (so) در نمونه می با...

در این پایان¬نامه ما با استفاده از روش تابع گرین غیر تعادلی i-v و مشخصات اسپینترونیکی یک حلقه¬ی کوانتومی گرافینی کنار¬جفت را مورد محاسبه قرار داده¬ایم. محاسبات ما در رژیم همدوس انجام گرفته و جریان الکتریکی و اسپینی و همچنین نوسانات جریان سیستم بر حسب پارامتر¬های ولتاژ و قدرت راشبا مورد محاسبه قرار گرفته است. و اثرات مهمی از جمله اثر آهارانوف¬کشیر و اثر آهارانوف¬بوهم در سیستم¬های مورد نظر دیده ش...

از زمان پیشنهاد طرح ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر برهم کنش اسپین-مدار راشبا در سال 1990، تاکنون تلاش های زیادی برای تزریق و آشکارسازی جریان های اسپین قطبیده در یک ماد? نیم رسانا صورت گرفته است که منجر به گسترش حوزه های مگنتوالکترونیک و اسپینترونیک گردیده است. لذا مطالع? خواص ترابرد بار و اسپین در حضور برهم کنش اسپین-مدار از اهمیت بنیادی و کاربردی زیادی برخوردار است. در این پایان نامه ض...

در این تحقیق با استفاده از روش بستگی قوی و هامیلتونی بسط داده شده بر پایه اوربتال¬های اتمی و فرمول¬بندی تابع گرین به بررسی برهمکنش¬های الکترون-الکترون، الکترون-فونون، الکترون-فوتون و اسپین-مدار راشبا بر روی خواص الکترونی، مغناطیسی و ترابرد در نانو ساختارهای کربنی می¬پردازیم. وجود لبه¬های زیگزاگ در نقاط کوانتومی کربنی موجب جایگزیدگی اسپین بر روی لبه¬ها و مغناطش خالص در نانوساختار می¬شود. برای بر...