نتایج جستجو برای: گاف نوار فوتونی

تعداد نتایج: 4582  

در این مقاله، ما امواج سطحی قطبیده TM درسطح بلور فوتونی نیمه بی نهایت یک بعدی با لایه کلاهکی که به شکل بلور غیرخطی تک محوری است با استفاده از انتگرال اول معادلات ماکسول بصورت تحلیلی بررسی نموده ایم. لایه کلاهک مورد نظر را به شکل غیرخطی خود-واکانونی کننده در نظر گرفته و با استفاده از روش انتگرال اول معادلات ماکسول، پاشندگی امواج سطحی قطبیده TM را در حضور این لایه کلاهک بطور تحلیلی بدست آورده ایم...

ژورنال: :اپتوالکترونیک نظری و کاربردی 0
طاهره فروتن فرد کمار علیا کارشناس ارشد، فیزیک اتمی و مولکولی، دانشگاه آزاد اسلامی تبریز علی واحدی استادیار، فیزیک اتمی و مولکولی، دانشگاه آزاد اسلامی تبریز

در مقالۀ حاضر بلور فوتونی سه گانه یک بعدی جدیدی معرفی و وابستگی آن نسبت به دما در دو ضخامت مختلف و پهنای شکاف باند در دمای ثابت با تغییرزاویۀ تابش پرتو بررسی شده است. ترکیب دو دی الکتریک و با دو بلورمایع  و  به صورت جداگانه بلور فوتونی پیشنهادی در این مقاله هستند که نشان می دهد پهنای شکاف باند با افزایش دما افزایش می یابدو با افزایش زاویۀ تابش پرتو پهنای شکاف باند بلور فوتونی در دمای ثابت علاوه...

ژورنال: فیزیک کاربردی 2017

در این مقاله خواص ساختاری، الکترونی و اپتیکی ترکیب تلوراید جیوه در فاز هگزاگونال مورد بررسی و مقایسه قرار می‌گیرد. محاسبات با استفاده از روش شبه‌پتانسیل در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از نرم‌افزار کوانتوم اسپرسو صورت گرفته است. . نتایج ساختار نواری نشان‌دهندۀخاصیت نیم‌رسانایی این ترکیب در فاز سینابار می‌باشد. محاسبۀ سهم حقیقی تابع دی‌الکتریک ضریب شکست برای فاز سینابار را 489/4 می‌دهد....

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد - دانشکده شیمی 1392

نانو کامپوزیتهای زمینه پلیمری به دلیل خواص بی نظیر مکانیکی, شیمیایی و فیزیکی که دارند دربین نانو کامپوزیتها بیشترین توجه را به خود معطوف است. در میان آنها نانو کامپوزیت های ساخته شده از سلولز استات به دلیل طبیعی بودن و سازگاری محیطی از اهمیت خاصی برخوردار است. در این تحقیق نانوذرات پلی گونال نقره در فاز آلی با روش کاهش شیمیایی تهیه شد. برای حصول اطمینان از تشکیل نانو ذرات نقره و پی بردن به اند...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده فیزیک 1393

در این تحقیق خواص الکترونی و مغناطیسی نانو ساختارهای گرافینی مورد بررسی قرار گرفته است. ویژگی¬های منحصر به فرد گرافین باعث شده است برای کاربرد¬های الکترونی در مقیاس نانو بسیار مورد توجه باشد. با این وجود، مشکل اصلی کاربرد گرافین در ادوات الکترونیکی، نبود گاف در طیف انرژی آن است. برای غلبه بر این مشکل و ایجاد گاف درساختار الکترونی صفحه گرافین به نوار¬های باریک، نقاط کوانتومی و حلقه¬های کوانتومی ...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
سجاد احمد a ahmad بخش فیزیک رادیولوژی و زیست مهندسی، شری کشمیر، هندوستان م محب الحق m mohib-ul haq مرکز علوم پزشکی، سرینیاگار، هندوستان

رابطه ساده بین الکترونگاتیویتی اپتیکی، گاف انرژی، ضریب شکست و قطبش الکترونی برای نیمه هادی chalcopyrite سه گانه ارایه شده است. گاف انرژی از الکترونگاتیویتی اپتیکی برآورد شده و مقادیر ضریب شکست و قطبش الکترونی از گاف انرژی با در نظر گرفتن یک رابطه خطی بین آنها برآورد شده است. مقادیر محاسبه شده در توافق قابل قبولی با نتایج تجربی وپژوهش های پیشین است. بررسی حاضر نشان دهنده اهمیت رابطه بین این پارا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک 1390

بره ها، بلورهای فوتونی دو بعدی هستند که ضخامت آن ها در جهت عمود بر صفحه تناوب محدود شده است و به دلیل داشتن گاف فرکانسی شبه سه بعدی و امکان ساخت آن ها با فن-آوری های موجود، مورد توجه قرار گرفته اند. با برهم زدن تناوب شبکه ی بلور فوتونی، می توان یک کاواک به وجود آورد. این کار را می توان با تغییر جنس یا اندازه ی یکی از حفره های شبکه انجام داد. ایجاد نقص نقطه ای در بره ها، موجب به وجود آمدن مدهای ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید مدنی آذربایجان - دانشکده علوم 1393

در علم فیزیک و فن آوری، مباحثی چون کاربرد مواد فوتونی و بلورهای نوری که امروزه در عرصه علمی و تکنولوژی از اهمیت بسزایی برخوردار است، از به روزترین مسائل می باشد. در این میان، بررسی ویژگی های بلورهای فوتونی یکی از مباحث مهم جامعه ی علمی است. بیشترین اهمیت بلورهای فوتونی به خاطر وجود باندهای ممنوعه و مدهای نقص آنها است که توانایی کنترل نور را آسانتر می کند.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم پایه 1393

اخیراً با معرفی ماده به عنوان یک تک لایه با گاف انرژی مستقیم دانشمندان را بر آن داشت تا به بررسی ساختار الکترونی این تک لایه بپردازند. در این پایان نامه ابتدا ما به بررسی ساختار الکترونی به صورت حجمی و تک لایه پرداخته و با توجه به کاربرد توابع وانیر در محاسبات ترابرد و خواص اپتیکی موادو... ، از اینرو به محاسبه توابع وانیر نوار های رسانش و ظرفیت برای تک لایه می پردازیم. از آنجا که توابع وانیر ی...

در این تحقیق نانو ساختارهایC20 bowl ، (n=1-5) C20-nSin وn=1-5) ) C20-nGenاز نظر پایداری ترمودینامیکی، گاف انرژی، هدایت الکتریکی و کاربرد آنها در سلول خورشیدی به کمک نظریه تابعی چگالی در سطح محاسبات کوانتومیLSDA/6-31G در دمای اتاق مورد بررسی و مقایسه قرار گرفته اند. پایدارترین ساختارها در 300 کلوین، C17Si3 و C15Ge5 نتیجه شده اند. نتایج نشان میدهند که تعداد استخلاف سیلیکون و یا ژرمانیم تاثیر منظم...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید