در این تحقیق، خواص ساختاری، الکترونی و ارتعاشی فاز مکعبی BaHfO3 به روش شبه پتانسیل، در چارچوب نظریه تابعی چگالی و با دو تقریب  LDA و GGA مورد بررسی قرار می گیرند. اجرای محاسبات در بسته نرم افزاری کوانتوم اسپرسو نشان می دهد که ساختار نواری BaHfO3 شامل یک گاف نواری مستقیم eV  3.67 و eV  3.88 در نقطه ی G (مرکز شبکه وارون) برای تقریب های LDA و GGA  است که الکترون های ظرفیت اتم O Ba در پایین ترین نو...

در این پژوهش ما رفتار ناشی از آثار سطحی لبه های یک دستگاه نواری شکل ابررسانا را که در یک میدان مغناطیسی اعمالی متناوب عمود قرار گرفته بررسی می کنیم. توزیع میدان مغناطیسی و چگالی جریان الکتریکی را به دست می آوریم و با رسم منحنی مغناطش برای دستگاه هایی با تعداد نوار متفاوت، نشان می دهیم همانگونه که انتظار داریم افزوده شدن سد هندسی لبه به دستگاه می تواند مانع از تخلیه کامل شار مغناطیسی از دستگاه ش...

در سال های اخیر لایه های نازک اکسیدکادمیم (cdo) به دلیل داشتن رسانایی الکتریکی خوب و عبور بالا در ناحیه ی مرئی به عنوان ماده مطلوب جهت ساختن قطعات اپتوالکترونیکی همچون حسگرهای گازی، سلول های خورشیدی و دیودهای نوری مورد توجه قرار گرفته اند. cdo ذاتا یک نیمرسانای نوع n با ساختار بلوری مکعبی است، که دارای گاف نواری مستقیم با انرژی ev7/2-2/2 و گاف نواری غیرمستقیم با انرژی ev 98/1 می باشد. لایه های ...

در این مقاله ویژگی‌های ساختاری، الکترونی و فونونی ایندیم نیترید در فاز ساختاری ورتسایت مورد بررسی قرار گرفته است.محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل، در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از کد محاسباتی کوانتوم- اسپرسو انجام شده است.در محاسبات برای جملۀ تبادلی همبستگی ,تقریب های LDA،GGA و PBE0 به کار گرفته شده است. نتایج نشان می‌دهد که ایندیم نیترید در فاز ساختاری هگزاگونال یک گاف نواری مس...

در این مقاله به بررسی رفتار بلور فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی­الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه­ها به صورت glass/(mgf2-ge)n/air پرداخته شده است. شبیه­سازی این بلور انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه­سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش زاویه ...

اخیراً توجه زیادی به فیلترهای بلور فوتونی تنظیم پذیر در امر ارتباطات اپتیکی شده است. با توجه به کاربردهای وسیع این فیلترها، طرح های مختلفی جهت ساخت آنها ارائه شده است و از مواد مختلفی نظیر نیمه هادی ها و فرو الکتریک ها در ساخت آنها استفاده شده است. اما مهمترین مسأله در ساخت فیلترهای بلور فوتونی با مواد معمولی این است که به سختی می توان به اختلاف ضریب شکست بالا بین دو محیط دست یافت تا بلور فوتونی...

در این مطالعه با بکارگیری روش (fp-lapw) و در چارچوب نظریه تابعی چگالی خواص الکترونی و اپتیکی ترکیبات بور bnxp1-x، bnxas1-x و bpxas1-x در غلظت های (1 و 75/0 ،50/0 ، 25/0 ،0 x=) انجام شده است. آلیاژهای نیمرسانا محلولهای جامدی هستند که از دو یا تعداد بیشتری عنصر تشکیل می شوند و از نظر فناوری خصوصاً در صنایع الکتریکی و الکترواپتیکی بسیار مورد توجه اند. یکی از راههای تغییر کارایی و عملکرد نیمرساناها ...

پاسخ‌های اپتیکی و مغناطواپتیکی بلورهای مغناطوفوتونی با لایه نقص مغناطیسی که در بین دو آینه براگ دی‌لکتریک احاطه شده است، مورد بررسی قرار گرفته است. این ساختارها دارای پتانسیل بالقوه‌ای برای کاربرد در ابزارهای مغناطواپتیکی و اپتیک مدارهای مجتمع می‌باشند. آینه‌های براگ، متشکل از ساختارهای چندلایه از مواد SiO2  و Ta2O5  می‌باشد. با معرفی ماده Ce:YIG به عنوان لایه نقص مغناطیسی، افزایش عبور و زاویه ...

در این مقاله، خواص الکتریکی گرافین و بورن نیترید دو بعدی مورد مطالعه قرار گرفته است. تاثیر وجود لایه‌ها روی همدیگر و هم‌چنین پیچش لایه‌ها روی همدیگر مطالعه می‌شود. وجود لایه-ی اضافه موجب ایجاد تراز‌هایی اضافه می‌شود که در مورد گرافین همچنان رسانندگی این ماده را حفظ می‌کند ولی تحرک پذیری آن را به شدت کم می‌کند. اثر پیچش در گرافین و بورن نیترید موجب افزایش تعداد نوار‌های انرژی به هشت عدد می‌شود ک...

چکیده: در سالهای اخیر بلورهای فوتونی کاربری های زیادی پیدا کرده اند. این بلورها به دلیل دارا بودن ساختار متناوب خواص جالبی در زمینه های مختلف اپتیکی از خود نشان می دهند. علاوه بر ساختارهای متناوب، ساختارهای شبه متناوب هم خواص مشابهی از خود بروز می دهند. از جمله مهمترین ساختارهای شبه پریودیک می توان به ساختارهای فیبوناچی ،تو- مورسو دو دورهای اشاره کرد.در این پروژه خواص اپتیکی خطی و غیر خطی ساختا...