ابرشبکه یک نیمرسانای شبه دوبعدی است که از تکرار متوالی دو لایه نازک نیمرسانا با گاف انرژی متفاوت شکل می گیرد. تکنیک ساخت آن ها بروش اپیتکسی باریکه مولکولی (mbe) می باشد متداولترین آنها، ابرشبکه های alxga1-xas/gaas می باشد که gaas بعنوان چاه کوانتومی و algaas نیز سد پتانسیل می باشد. نامتجانس بودن گاف انرژی سبب تشکیل پتانسیل دوره ای می شود و این پتانسیل نیز سبب ساختار باند انرژی بخصوصی می شود که ...

در این پژوهش، با بکارگیری دو ساختار پایه مربعی و شش‏ضلعی برای ساختار پایه بلورهای فوتونی، فیلترهایی برای سامانه های ارتباطی تمام نوری پیشنهاد شد که به ترتیب در مد tm و te قابل استفاده است. این افزاره ها در پنجره مخابراتی 1550 نانومتر قابل تنظیم هستند. نتایج شبیه سازی نشان داد که با استفاده از ساختار پایه می توان بازده گذر 93% و پهنای باند 9/0 نانومتر را بدست آورد. همچنین با بهره گیری از ساختار ...

برای بررسی عبور امواج الکترونی در ابرشبکه گرافین گاف دار، از روش ماتریس گذار استفاده کردیم. در گرافین برخلاف سیلیکون نیم رسانا، بین باندهای هدایت و ظرفیت فاصله ای ندارد. چنین گافی(باند گپی) برای کاربردهای الکترونیکی ضروری است. زیرا به ماده اجازه می دهد که جریان الکترونها را قطع و وصل کند. راه حل برای برطرف کردن این مشکل، ایجاد گاف در طیف گرافین است. از دیدگاه فرمیون های دیراک، این معادل تولید ج...

با در نظر گرفتن نظریه اسپین- فرمیون که از مکانیزم افت و خیز اسپینی برای توجیه جفت شدگی در ابررساناهای دمای بالا استفاده می کند، پذیرفتاری اسپینی یا همان عملگر قطبش را برای مسین های حفره دار و الکترون دار محاسبه نمودیم. در حالتی که گاف انرزی را ثابت در نظر بگیریم بخشی از محاسبات را به طور تحلیلی انجام داده ایم. در مورد گاف وابسته به تکانه ابتدا در دمای صفر رفتار عملگر قطبش برحسب فرکانس را نمایش ...

در این تحقیق به مقایسه سطح مقطع شکافت توسط اشعه گاما (شکافت فوتونی) ایزوتوپهای اورانیوم, U239-230 به کمک شبیه سازی با استفاده ازمدل اپتیکی پرداخته ایم. برای محاسبه سطح مقطع شکافت فوتونی از احتمال گذار سد پتانسیل سه قله ای استفاده کرده ایم. همچنین برای محاسبه چگالی ترازهای هسته مرکب؛ از مدل پیشرفته ابرشاره1 سود جسته ایم. مقایسه سطح مقطع شکافت فوتونی برای این ایزوتوپها در محدود گسترده ای از انرژی...

در این مقاله به ارائۀ یک حسگرِ نانوجابه­جایی بر مبنای بلورِ فوتونی دو بعدی با ساختارِ مثلّثی متشکّل از حفره­های هوا داخل مادّۀ دی الکتریک می­پردازیم. این حسگر از دو قطعه بلورِ فوتونی تشکیل شده که یکی از آن ها ثابت و قطعۀ دیگر در راستای افقی حرکت می­کند. شدّتِ نورِ آشکار شده توسّطِ آشکارساز در این ساختار تابعی از جابه­جایی بین دو قطعه است. در این حسگر ضریب کیفیّتِ کاواک برابر45000 و حساسیّتِ حسگر 54/2 در محدودۀ...

در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین، ویژگی های ترابرد اسپینی در یک نانونوار سیلیسینی زیگزاگ که به دو الکترود نیم نامتناهی فلزی متصل شده است را در حضور میدان های الکتریکی، تبادلی و بی نظمی بررسی می نماییم. محاسبات ما نشان می دهد که در حضور میدان الکتریکی عمود بر ورقه سیلیسین و بی نظمی، گذار فاز فلز- نیم‌رسانا در سامانه رخ می دهد. همچنین با تغییر پهنایی از نوار که میدان الکتریکی به ...

طی سالهای اخیر گرافن به یکی از جالب توجه ترین سوژه های دنیای فناوری تبدیل شده است. خواص عجیب و منحصر به فرد گرافن نسبت به نیم رساناهای استاندارد باعث شده است محققان به سختی بتوانند جایگزینی برای گرافن پیدا کنند. با توجه به ساختار باند گرافن و فاقد گاف بودن آن نمی توان از گرافن در کاربردهایی همچون ساخت ادوات الکترونیکی و اپتیکی استفاده کرد. یکی از راههای ایجاد گاف در گرافن ساخت نقاط کوانتومی است...

برای کاربردهای نانوالکترونیک، ماده گرافن به یک گاف انرژی در طیف انرژی خود نیاز دارد (همانند نیمه رساناهای متداوال). در این رساله با استفاده از معادله دیراک دوبعدی برای ذرات جرم دار، در گرافن دارای گاف انرژی حل دقیقی برای احتمال عبور مربوط به تونل زنی فرمیون های دیراک جرم دار از یک سد پتانسیل در یک نانوترانزیستور گرافنی درنظر n-p-n دوبعدی بدست آوردیم، که این ساختار می تواند بصورت یک پیوند گر...

در این مقاله به آموزش مبتنی بر نرم‌افزار یک دی‌مالتی‌پلکسر چهار کاناله کریستال فوتونی با استفاده از نرم‌افزار آرسافت پرداخته شده است. آموزش ساختار دی‌مالتی‌پلکسر بر مبنای خصوصیات یک فیلتر کریستال فوتونی بنا نهاده شده‌ است. در این تجزیه و تحلیل با تغییر شعاع میله‌های درون نانو‌تشدیدگر حلقوی و شعاع میله‌های پراکندگی در ساختار کریستال ‌فوتونی، پارامتر مهم طول‌موج مرکزی 1573.6 نانومتر در فیلتر بهبو...