چکیده : در این پژوهش نانو ذرات سولفید کادمیوم به روش حمام شیمیایی بر روی زیر لایه ی شیشه رشد داده شد. با مطالعه ی طیف مرئی- فرابنفش نمونه ها تغییرات گاف انرژی به صورت تابعی از دمای باز پخت مورد بر رسی قرار گرفت. همچنین ریزساختار لایه¬های نازک سولفید کادمیوم با تحلیل نمایه¬ی پراش پرتوهای x مشاهده شده و نرم افزار محاسباتی ecmwp تعیین گردید. تأثیر دمای بازپخت بر چگالی دررفتگی، درصد و نوع سامانه ه...

در این پایان نامه خواص الکترونیکی شامل چگالی ابرالکترونی، ساختار نواری، چگالی حالت ها و گاف انرژی و خواص اپتیکی از جمله تابع دی الکتریک، هدایت اپتیکی، بازتابندگی، ضریب شکست و ضریب خاموشی محاسبه شده است. کلیه ی محاسبه ها با هردو روش gga و gga+u در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی dftانجام شده است. مقدار u برای ترکیبات batio3 و cazro3، ryd 52/0 و برای ترکیب ba0.5ca0.5ti0.5zr0.5o3 ، ryd 7/0 انتخاب شده ا...

در این پژوهش خواص الکترونیکی و اپتیکی بلورهای bi0.5na0.5tio3 (bnt)، bi0.5na0.5ti0.5zr0.5o3 (bntz) و bi0.5na0.5zro3 (bnz) در فاز تتراگونال مورد بررسی قرار گرفت. از جمله ی این خواص می توان به چگالی ابر الکترونی، ساختار نواری، چگالی حالت ها و خواص دی الکتریک، هدایت اپتیکی، بازتابندگی، ضریب شکست و ضریب خاموشی اشاره کرد. محاسبات با تقریب شیب تعمیم یافته (gga) در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی (dft) انجا...

در پایان نامه حاضر سعی شده است تا پس از یک مرور سریع بر مدلهای توصیف کننده ترمولومینسانس ، خواص نیمرساناها به خصوص گاف انرژی و میزان تغییرات آن حین کاهش سایز مورد توجه قرار گیرد که در این قسمت در نظر گرفتن اثر چاه کوانتمی و اثر اکسیتونی و اثرات آنها حین کاهش سایز بر افزایش گاف انرژی ضروری می باشد . به دلیل پیچیدگی های رفتاری نانوذرات مدلهای موجود در زمینه ترمولومینسانس برای توصیف رفتار ترمولومی...

چکیده ندارد.

لایه های نازک تیتانیوم با روش تبخیر به وسیله باریکه الکترونی با ضخامت 70 نانومتر تهیه و سپس در دماهای مختلف  k 573-300 در حضور شار ثابت اکسیژن بازپخت شدند. نانو ساختار و جهت های  کریستالو گرافی با استفاده از آزمایش پراش پرتو-x تحلیل و خواص اپتیکی نمونه ها با استفاده از دستگاه اسپکتروفوتومتر بررسی شد. با بازپخت  نمونه ها نتایج حاصل از xrd شکل گیری جهت کریستالی a(004) مربوط به فازآناتاس دی اکسید ...

در این پژوهش اندازه گیری هایac بر روی لایه های نازک فتالوسیانین مسcupc با الکترود های آلمینیومی در محدوده ی فرکانس های 102 تا 105 هرتز و درفاصله دمایی 300 تا420 درجه کلوین بررسی شده است. مقدار ظرفیت وعامل اتلاف با افزایش فرکانس کاهش می یابند و ظرفیت با افزایش دما افزایش پیدا می کند. نتایج نشان می دهند که غالب شدن مدل های جهشی با برد متغیر(vrh) وتئوری نواری در مکانیسم رسانش وابسته به شرایط اعمال...

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های III-V جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم eV 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای GaAs هستند ب...

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های iii-v جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم ev 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده ی گسترده ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای gaas از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای gaas هستند ب...

بر اساس نظریه سیستمهای کوانتومی واداشتهی دورهای، بواسطه اعمال نور بر سیستمهای حالت جامد مسیر جدیدی برای یافتن فازهای توپولوژیک میتوان ایجاد نمود. در اینجا ما به صورت نظری یک شبکه یک بعدی را به صورت سیم کوانتومی در نظر میگیریم که تحت اعمال یک پرتو لیزر با قطبش خطی قرار دارد. با استفاده از نظریهی فلوکه هامیلتونی وابسته به زمان سیستم را به صورت هامیلتونی مستقل از زمان مینویسیم و به بررسی طیف شبه ا...