در پایان نامه حاضر سعی شده است تا پس از یک مرور سریع بر مدلهای توصیف کننده ترمولومینسانس ، خواص نیمرساناها به خصوص گاف انرژی و میزان تغییرات آن حین کاهش سایز مورد توجه قرار گیرد که در این قسمت در نظر گرفتن اثر چاه کوانتمی و اثر اکسیتونی و اثرات آنها حین کاهش سایز بر افزایش گاف انرژی ضروری می باشد . به دلیل پیچیدگی های رفتاری نانوذرات مدلهای موجود در زمینه ترمولومینسانس برای توصیف رفتار ترمولومی...

چکیده ندارد.

لایه های نازک تیتانیوم با روش تبخیر به وسیله باریکه الکترونی با ضخامت 70 نانومتر تهیه و سپس در دماهای مختلف  k 573-300 در حضور شار ثابت اکسیژن بازپخت شدند. نانو ساختار و جهت های  کریستالو گرافی با استفاده از آزمایش پراش پرتو-x تحلیل و خواص اپتیکی نمونه ها با استفاده از دستگاه اسپکتروفوتومتر بررسی شد. با بازپخت  نمونه ها نتایج حاصل از xrd شکل گیری جهت کریستالی a(004) مربوط به فازآناتاس دی اکسید ...

در این پژوهش اندازه گیری هایac بر روی لایه های نازک فتالوسیانین مسcupc با الکترود های آلمینیومی در محدوده ی فرکانس های 102 تا 105 هرتز و درفاصله دمایی 300 تا420 درجه کلوین بررسی شده است. مقدار ظرفیت وعامل اتلاف با افزایش فرکانس کاهش می یابند و ظرفیت با افزایش دما افزایش پیدا می کند. نتایج نشان می دهند که غالب شدن مدل های جهشی با برد متغیر(vrh) وتئوری نواری در مکانیسم رسانش وابسته به شرایط اعمال...

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های III-V جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم eV 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای GaAs هستند ب...

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های iii-v جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم ev 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده ی گسترده ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای gaas از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای gaas هستند ب...

بر اساس نظریه سیستمهای کوانتومی واداشتهی دورهای، بواسطه اعمال نور بر سیستمهای حالت جامد مسیر جدیدی برای یافتن فازهای توپولوژیک میتوان ایجاد نمود. در اینجا ما به صورت نظری یک شبکه یک بعدی را به صورت سیم کوانتومی در نظر میگیریم که تحت اعمال یک پرتو لیزر با قطبش خطی قرار دارد. با استفاده از نظریهی فلوکه هامیلتونی وابسته به زمان سیستم را به صورت هامیلتونی مستقل از زمان مینویسیم و به بررسی طیف شبه ا...

ساختار گاف انرژی ابررسانایی، در ابررساناهای غیرمتعارف برای فهم خواص فیزیکی این دسته از ابررساناها بسیار مهم است. در طی دو دهه ی گذشته، ابررساناهای غیرمتعارف با تقارن هایی متفاوت با ابررساناهای موج s معمولی، شامل فرمیون های سنگین(hf) ، ابررساناهای با دمای گذار بالا و ابررساناهای ارگانیک یافت شدند. عدم تقارن وارونی در شبکه بلوری در مقایسه با موردی که دارای تقارن مرکزی است، هم در خصوصیات ابررسا...

مدلbcs روشی استاندارد جهت بررسی خواص ترمودینامیکی سیستم های فرمیونی دارای برهم کنش زوجیت است. در این مدل با بکار گیری محتمل ترین مقدار پارامتر گاف سایر کمیات ترمودینامیکی محاسبه می شود. پارامتر گاف معیاری از برهم کنش زوجیت است. در سیستم های کوچک، مانند هسته ها که تعداد ذرات آنان بسیار کمتر از حد ترمودینامیکی است، تاثیر افت و خیزهای آماری قابل توجه است. لذا در این سیستم ها به کار بستن مدلbcsکه...

برای کاربردهای نانوالکترونیک، ماده گرافن به یک گاف انرژی در طیف انرژی خود نیاز دارد (همانند نیمه رساناهای متداوال). در این رساله با استفاده از معادله دیراک دوبعدی برای ذرات جرم دار، در گرافن دارای گاف انرژی حل دقیقی برای احتمال عبور مربوط به تونل زنی فرمیون های دیراک جرم دار از یک سد پتانسیل در یک نانوترانزیستور گرافنی درنظر n-p-n دوبعدی بدست آوردیم، که این ساختار می تواند بصورت یک پیوند گر...