چکیده در این پایان نامه علاوه بر سرعت ویگلری و رابطه پاشندگی ویگلر الکترومغناطیس با میدان مغناطیسی محوری در حالت پایا، خود- میدان های الکتریکی و مغناطیسی محاسبه شده که در اینجا خود- میدان مغناطیسی مورد استفاده از مرتبه اول می باشد و مراتب بالاتر محاسبه نشده است. در رژیم رامان با استفاده از نظریه سیالی رابطه پاشندگی لیزر الکترون آزاد با ویگلر الکترومغناطیسی و میدان محوری در حضور خود- میدانهای ا...

خواص عجیب گرافین مانند بیشترین میزان رسانایی الکتریکی در بین مواد شناخته شده،دنیای علمرا تکان داده¬است.گرافین ماده ای منحصربه¬فرد با پایه ی کربنیودانسیته ی اتمی بالااست.خواص گرافین ازطریق عامل-دار¬کردن شیمیایی موردتوجه خاصمحققان قرارگرفته¬¬است واین واقعیت که شیمیدانان به سختی می توانند جایگزینی برایگرافین پیدا کنندسبب شده که این مادهبه دلیل داشتن خواص فیزیکی و الکترونی منحصربه-فرد، کاندیدای منا...

در این مقاله دزیمتری میدان پرتو از طریق اندازه­گیری رادیکال­های آزاد القاء شده در هیدروکسی آپاتیت مصنوعی با بهره­گیری از طیف­بینی تشدید اسپین الکترون یا تشدید پارامغناطیسی الکترون (EPR) مورد بررسی قرار گرفته است. ابتدا نانو پودر هیدروکسی آپاتیت مصنوعی (HAP) به روش سل- ژل تهیه و پس از آمایش حرارتی، توزین و بسته­بندی شد. در ادامه، نمونه­ها با پرتوهای گامای حاصل از چشمه­ی کبالت-60 و باریکه­...

در این مقاله با توسعه یک مدل هیدرودینامیک ذرات هموار (sph) دو بعدی تراکم پذیر ضعیف، جریان ناشی از شارش تبادلی برای دو سیال با اختلاف چگالی کم شبیه سازی شده است. فرایند مدلسازی برای دو سیال با نسبت چگالی های بزرگتر از 9/0 و کوچکتر از 0/1 به انجام رسیده است. با توجه به اختلاف چگالی کم، در توسعه مدل دوفازی تغییر قابل توجهی در فرمول های کلاسیک sph داده نشده است. در این حالت کافی است با یکسان گرفتن ...

کشش بازار از یکسو و فشار فناوری از سوی دیگر همواره باعث رشد و شکوفایی مستمر صنعت قطعه سازی در دنیا شده است. به منظور کاهش هزینه های ساخت و افزایش قابلیت های عملکردی، حداقل ابعاد قابل ایجاد بر روی ویفرهای نیمه هادی (به ویژه سیلیکون) باگذشت زمان کاهش یافته و امروزه به حد چند ده نانومتر رسیده است. برخلاف انتظارات اولیه ساخت قطعات سیلیکونی در ابعاد نانومتری از یکسو هزینه گزاف داشته و از سوی دیگر تو...

هدف از انجام این تحقیق مطالعه ی کنترل رسانش در ساختارهای نیمه رسانا می باشد. رسانش در ساختارهای نیمه رسانا را می توان با استفاده از نیمه رساناها و ترانزیستورها کنترل کرد. این پژوهش در سه بخش مورد بررسی قرار می گیرد که در این سه بخش تاثیر چرخش درونی بر رسانش نانوپلیمرهای هادی دارای حلق? بنزن اعمال می شود .در بخش اول به محاسب? گاف انرژی می پردازیم .در بخش دوم به محاسب? اختلاف بار الکتریکی اتم های...

گرافن ورقه ای دو بعدی از اتم های کربن دریک پیکربندی شش ضلعی می باشد که این اتم ها با هیبرید به هم متصلند و هر اتم کربن با 3 اتمکربن دیگر پیوند داده است که این سه پیوند در یک صفحه قرار دارند و زوایای بین آنها با یکدیگر مساوی و برابر با 120درجه است . نانو لوله های کربنی تک دیواره یک صفحه گرافن است که به شکل لوله در آمده باشد ویکی از مستحکم ترین مواد به شمار می روند و هادی جریان التریسیته و گرما م...

در این مطالعه سرعت زاویه‌یی بیشینه‌ی مجاز استوانه‌ی مدرج تابعی دوار، بر پایه‌ی نظریه‌ی تغییر شکل‌های کوچک در حالت کرنش ـ صفحه‌یی بررسی شده است. مدول کشسانی، چگالی و تنش تسلیم به‌صورت تابع توانی از مختصه‌ی شعاعی فرض شده‌اند. سرعت زاویه‌یی بیشینه‌ی مجاز استوانه، سرعت متناظر با لحظه‌ی شروع تسلیم براساس معیار تسلیم ترسکا معرفی شده است. برای حالت خاصی که پارامترهای توان یکسان باشند، تنش‌های بی‌بعدشد...

این مقاله یک تحلیل پارامتری الاستیک برای بررسی سرعت حد دورانی، جابجایی و تنش¬ها در دیسک¬های دوار ساخته شده از مواد مدرج تابعی (fgms) براساس معیار تسلیم ترسکا ارایه می¬دهد. خواص ماده به صورت تابع توانی در جهت شعاعی تغییر می¬کند. ضریب پواسون به دلیل تغییرات ناچیز در مواد مهندسی ثابت در نظر گرفته شده است. برای مقادیر مختلف ثابت ناهمگنی، سرعت حد دورانی، جابجایی و تنش¬ها در راستای جهت شعاعی رسم شده ...

در مطالعه کنونی، یک شیف باز جدیدازنوع لیگاندچهاردندانه n2o2، n,n بیس(3-برومو-5کلروسالیسیلیدین)-1و2-دی فنیل-1و2-اتیلن دی آمین سنتز و به وسیله ی ir ، 1hnmr و تجزیه عنصری توصیف شده است. بهینه سازی هندسه با انتساب به فرکانس های ارتعاشی و جابه جایی شیمیایی 1hnmr به وسیله ی روش dft و در سطح b3lyp و مجموعه پایه 6-31g انجام شد. طیف ثبت شده 1h و جابه جایی شیمیایی رزونانس مغناطیسی هسته ای 1h مولکول با اس...