نتایج جستجو برای: ولتاژ شکست دی الکتریک

تعداد نتایج: 34843  

Journal: :مهندسی مکانیک دانشگاه تبریز 0
جلال قاسمی استادیار، دانشگاه زنجان، گروه مهندسی مکانیک میثم نظری دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه ارومیه، گروه مهندسی مکانیک

در مقاله حاضر مطالعه تجربی رفتار انتقال حرارت همرفتی و ولتاژ شکست عایقی متناوب، acنانوروغن جهت استفاده در ترانسفورماتورهای برق مدنظر می باشد. نانوروغن مورد مطالعه حاوی نانوذرات کلوئیدی مغناطیسی اکسید آهن با سیال پایه روغن ترانسفورماتور از نوع نیترو لیبرا است که این نوع روغن از روغنهای متعارف مورد استفاده در ترانسفورماتورها است.آزمایشهای تجربی انتقال حرارت همرفتی با استفاده از دستگاه آزمایشگاهیس...

در مقاله حاضر مطالعه تجربی رفتار انتقال حرارت همرفتی و ولتاژ شکست عایقی متناوب، ACنانوروغن جهت استفاده در ترانسفورماتورهای برق مدنظر می‌باشد. نانوروغن مورد مطالعه حاوی نانوذرات کلوئیدی مغناطیسی اکسید آهن با سیال پایه روغن ترانسفورماتور از نوع نیترو لیبرا است که این نوع روغن از روغنهای متعارف مورد استفاده در ترانسفورماتورها است.آزمایشهای تجربی انتقال حرارت همرفتی با استفاده از دستگاه آزمایشگاهیس...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده علوم پایه 1393

پنتا اکسید وانادیم یک نیمرسانای نوع n است که تراز 3d آن در حال پر شدن است. این اکسید فلزی به شکل فیلم نازک کاربردهای وسیعی در پنجره های هوشمند و کلیدهای اپتیکی دارد. بنابراین، تعیین پارامترهای اپتیکی فیلم نازک v2o5 (شامل ضریب شکست و خاموشی) برای طراحی ابزارهای اپتوالکترونیک و پوششهای اپتیکی به صورت فیلم های اپتیکی نازک چند لایه و فیلترها ضروری است.تا کنون روشها و مدلهای مختلف فیزیکی برای محاسبه...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران - دانشکده علوم پایه 1392

در سال های اخیر، کامپوزیت های هیبریدی آلی و غیرآلی با توجه به ثابت دی الکتریک بالاتر، فاکتور کیفیت بالاتر و جریان نشتی کم تر به عنوان جایگزین مواد گیت دی الکتریک در نظر گرفته شده اند. نفوذ بور از فیلم نازک دی-اکسید سیلیکون، جریان های تونلی و نشتی را افزایش می دهد و نشان می دهد که دی اکسید سیلیکون نمی تواند برای دستگاه های cmos (فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل) مورد استفاده قرار گیرد. برخی از افراد ا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - پژوهشکده فنی و مهندسی 1391

در تحقیق حاضر اثر کمک سینتر 2li2o:3zno:5b2o3 (lzb) بر روی سینتر، ریز ساختار و خواص مایکروویو دی الکتریک سرامیک های li2zn3ti4o12 (lzt)، li2tio3 (lt) و کامپوزیت lt-lzt بررسی شد. پودرهای lzt و lt با استفاده از مواد اولیه tio2، zno و li2co3 به روش حالت جامد سنتز گردید. پودر lzt با کلسینه کردن در دمای °c 900 به مدت h 8 و پودرlt با کلسینه کردن در دمای °c 820 به مدت h 4 سنتز شدند. نمونه های شکل دهی شد...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده مهندسی 1394

لایه های نانوساختار سیلیکات بیسموت به روش سل- ژل تهیه و تأثیر افزودن ماده استرانسیم بر ساختار، مورفولوژی و خواص الکتریکی آنها بررسی شد. ابتدا سل های مختلف با نسبت های مشخص از مواد اولیه تهیه شد. سل های تهیه شده روی زیرلایه شیشه ای لایه نشانی شد. نمونه های تولید شده خشک و به منظور دستیابی به ساختار کریستالی کلسینه شد. نتایج الگوی xrd نشانگر تشکیل تک فاز bi4si3o12 از نمونه های آنیل شده در °c 700 ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده علوم 1392

گرافن یکی از نانوساختارهای پرکاربرد در زمینه های مختلفی از جمله حسگری، الکترونیک و غیره می باشد. اخیراً ترکیبات نیمه رسانای دیگری مانند نیتریدبور، کربید سیلیسیم و اکسید برلیوم نیز در این ساختار کریستالی مورد بررسی های تجربی و تئوری دانشمندان قرار گرفته است. در این پروژه با استفاده از محاسبات اصول اولیه در قالب نظریه تابعی چگالی به بررسی خواص الکترونی و اپتیکی تک لایه گرافنی اکسید برلیوم (beo)و ...

ژورنال: :مهندسی بیوسیستم ایران 0
حامد خلیلیان فارغ التحصیل مهدی قاسمی ورنامخواستی استادیار گروه مهندسی مکانیک بیوسیستم دانشگاه شهرکرد مجتبی نادری بلداجی عضو هیئت علمی سجاد رستمی عضو هیئت علمی

اندازه­گیری و پایش غلظت قند شربت چغندرقند به شکل پیوسته و در مراحل مختلف پخت و تغلیظ یکی از نیازهای اساسی صنعت شکر می­باشد. در این مطالعه یک نمونه حسگر دی­الکتریک استوانه­ای با قابلیت توسعه برای اندازه­گیری برخط غلظت قند شربت چغندرقند ساخته شد و مورد ارزیابی قرار گرفت. این حسگر متشکل از یک استوانه فولادی و مغزی به عنوان قطب­های خازن می­باشد که  توسط کابل هم­محور به دستگاه­های ژنراتور و تحلیل­گر...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
سارا یزدانی s yazdani amirkabir university of technologyدانشگاه صنعتی امیرکبیر کاووس میرعباس زاده k mirabbaszadeh amirkabir university of technologyدانشگاه صنعتی امیرکبیر

در این مقاله، بر اساس نظریه تابعی چگالی و با استفاده از تقریب شیب تعمیم یافته، پس از بهینه سازی ساختار نانوسیم های اکسید روی با سطح غیر اشباع و اشباع شده با اتم های هیدروژن در جهت [000 1  ] ، به مطالعه اثرات فشار تک محور بر ساختار نانوسیم و محاسبه مدول یانگ و ضریب مؤثر پیزوالکتریک آنها پرداخته ایم. همچنین تأثیر فشار تک محور بر قسمت موهومی تابع دی الکتریک را نشان داده ایم.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز 1389

اگر به بررسی موبیلیتی (µ) در ترانزیستورهای لایه نازک آلی در سال های اخیر بپردازیم یک روند افزایشی را در آن به سه دلیل (1-ترکیب نیمه هادی های آلی جدید 2-اتصالات سورس ودرین وشکل بندی کلی ترانزیستور بهینه شده است 3-پارامترهای لایه رسوب شده نیمه هادی آلی بهینه شده اند) مشاهده می کنیم که ما نیز جهت رسیدن به موبیلیتی قابل قبول تحت ولتاژاعمالی گیت پایین روی آنها تمرکز می کنیم. مثلاٌ pentance یکی از عمد...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید