گرافین، نامزد مناسبی برای نانوالکترونیک مدرن است. از آن جا که در گرافین نوار رسانش و ظرفیت با هم در تماس هستند، در نتیجه گرافین شبه فلزی با گاف انرژی صفر خواهد بود. برای به کارگیری گرافین در صنعت الکترونیک، نیاز است که گاف انرژی در نوار انرژی آن ایجاد گردد. در واقع گاف انرژی معیاری از ولتاژ آستانه و نرخ خاموش-روشن شدن در ترانزیستورهای اثر میدانی است. در سال های اخیر روش های گوناگونی برای ایجاد ...

در این پایان نامه با استفاده از تبدیلات یکانی پیوسته ( معادلات شار) مدل هابارد یونی یک بعدی نیمه پر در دمای صفر و شرایط مرزی تناوبی را بررسی می کنیم. آنچه در مورد این مدل ابهام آمیز است حالت سیستم بین دو عایق نواری و عایق مات می باشد. بدین منظور ابتدا با استفاده از تبدیلات یکانی پیوسته یک هامیلتونی موثر قطری بدست می آوریم که شامل جمله یونی، برهمکنش درون جایگاهی و برهمکنش نزدیکترین همسایه های بر...

با توجه به اهمیتی که کاربرد سیکلوترون ها دارد، میدان مغناطیسی آن به صورت شبیه سازی و تحلیلی مطالعه شده است. شبیه سازی کامپیوتری دوبعدی بر پایه ی کد پاندیرا برای محاسبه ی عددی (روش اختلاف محدود) میدان مغناطیسی سیکلوترون درنظرگرفته شد. هدف از شبیه سازی، طراحی سیکلوترونی است که میدان مغناطیسی آن در گاف از لحاظ اندازه و یکنواختی بهینه باشد. یکنواختی میدان مغناطیسی و بزرگی اندازه ی آن در گاف به تر...

در این پایان نامه امواج سطحی غیرخطی قطبیده الکتریکی عرضی در مرز میان محیطهای نوری یکنواخت مختلف و بلورفوتونی مطالعه شد. بلورفوتونی به شکل بلورفوتونی یک- بعدی نیمه بی نهایت و تمامی لایه ها بصورت همسانگرد، همگن و بدون اتلاف در نظر گرفته شد. مطالعات ما در ناحیه فرکانسی ریزموجی انجام گرفت. برای این ناحیه فرکانسی، مرتبه مقداری ثابت شبکه بلورفوتونی از مرتبه سانتی متر است. ابتدا، امواج سطحی غیرخطی جای...

نتایج نشان می دهند که ترکیب مورد بررسی، سختی قابل ملاحظه ای دارد. ویژگی های الکترونی از جمله ساختار نوارهای انرژی، چگالی حالت ها، چگالی ابرالکترونی و خواص اپتیکی نیز مورد مطالعه قرار گرفته است. نتایج حاصل از بررسی این ویژگی ها نشان می دهد که ترکیب lioh یک عایق با گاف نواری 3/87الکترون ولت می باشد. بررسی چگالی ابرالکترونی نشان می دهد که بین اکسیژن و هیدروژن یک پیوند کووالانسی و بین اتم های لیتیم...

ترکیبات بس بلور ابررسانای nd1-xprxba2cu3o7- δ در بازه آلایش( 0.3 ≥ x ≥ 0 ) به روش استاندارد پودر حالت جامد ساخته شده اند. خواص ترابردی و ابررسانایی آنها با اندازه گیری مقاومت ویژه الکتریکی و توان گرماالکتریسیته به صورت تابعی از دما و غلظت آلایش مطالعه شده است. با افزایش غلظت آلایش مقاومت الکتریکی و توان گرماالکتریسیته در دمای اتاق افزایش می یابند. دمای شبه گاف به صورت تابعی از چگالی آلایش، از ر...

لایه های نازک zns بر روی زیرلایه های شیشه ای در دماهای مختلف زیرلایه به دو روش تبخیر در خلأ (pvd) و اسپری پایرولیزیز لایه نشانی شدند و در دمای °c 500 درهوا بازپخت گردیدند. تغییر در خواص اپتیکی و ساختاری لایه ها توسط طیف پراش اشعه ایکس و طیف سنجی uv/vis بررسی شد و همچنین به کمک داده های طیف عبوری، گاف انرژی محاسبه گردید. نتایج آزمایش ها حاکی از آن است که همه لایه ها دارای ساختار مکعبی هستند. تبل...

در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب های نیمه هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش پذیری خودبه خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش پذیری و شدت آن برای نیمه هادی های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...

فیلم‏های نازک اکسید منیزیم به روش سل- ژل تهیه شدند. اثر دمای بازپخت روی خواص اپتیکی، ساختاری و مورفولوژیکی فیلم‏ها با استفاده از ftir، uv-visible، اسپکتروسکوپی فوتولومینسانس (pl)، پراش پرتو x (xrd) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) بررسی شد. ثابت‏های اپتیکی و ضخامت فیلم‏ها با رهیافت کمینه‏سازی نامقید نقطه‏گرا تعیین شد. شفافیت اپتیکی فیلم‏ها با افزایش دما کاهش می‏یابد. با افزایش دما ضریب شکست و ض...

نقص ها با توجه به این که می توانند روی خواص الکتریکی و مغناطیسی ساختار ها تاثیر بگزارند از اهمیت ویژه ای برخوردارند. با توجه به کاربرد مواد اگر به دید منفی به نقص ها در ساختار ها نگاه کنیم پس بایدشناخت از تاثیر نقص ها روی خواص الکتریکی و مغناطیسی ساختار ها داشته باشیم تا ساختار ها کاربرد خود را با تغییر در خواص الکتریکی ومغناطیسی از دست ندهند. همچنین اگر با دید مثبت نگاه کنیم یعنی اگر ما بدون ت...