نتایج جستجو برای: ضخامت اپتیکی

تعداد نتایج: 13482  

سیده زهره نگین تاجی عبداله مرتضی علی,

در این تحقیق میکرو و نانوساختار­های ZnO بر روی زیر­لایه کوارتز به روش تبخیر گرمایی (کربوترمال) در کوره رشد داده و عوامل مؤثر همچون زمان ماندگاری، لایه کاتالیست به عنوان مراکز اولیه هسته‌بندی در روند رشد و مورفولوژی، ساختارها و خواص اپتیکی مانند ضریب شکست (n) و گاف اپتیکی (Eg) مورد بررسی و تحلیل قرار گرفته است. مورفولوژی شامل شکل فضائی، ابعاد، چگالی توزیع بر سطح، به وسیله تحلیل عکس­های میکروسکوپ...

تمرکز این مقاله روی پتانسیل مواد با ضریب شکست منفی به منظور بهتر نمودن مشخصه‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی یک بعدی می‌باشد. ما قابلیت مواد دوگانه-منفی در مقایسه با مواد معمولی در بلورهای فوتونی مغناطیسی را بررسی کرده‌ایم. به عنوان یک نتیجه، دریافتیم که یک پهن‌شدگی در طیف‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی ساختارهای بلور فوتونی مغناطیسی شامل مواد دوگانه-منفی رخ می‌دهد. در واقع، نتایج نش...

ژورنال: :فیزیک اتمی و مولکولی 0

در این مقاله ساخت یک لیزر دو طول موجی ایتربیومی فیبری تک مد با قابلیت گزینش پذیری یا تولید دو قله هم شدت در ناحیه طول موجی یک میکرون با کمترین فاصله طول موجی 0.53 و بیشترین فاصله nm 12.2 گزارش شده است. یک توری موجبر آرایه ای (awg) به همراه یک گزینشگر کانال اپتیکی (ocs) در چینش ارائه شده مورد استفاده قرار گرفت تا سازوکار گزینشگری را برای 23 حالت مختلف از تنظیم پذیری طول موجی به عهده گیرد. یک توا...

در فرایند سردسازی اپتومکانیکی کاواک، میدان اپتیکی لیزر محرک، میرایی اضافی را بر مد مکانیکی کاواک اعمال می‌کند و باعث برگشت آن به حالت پایه می‌شود. در این تحقیق، سردسازی کوانتومی یک کاواک اپتومکانیکی در تماس با یک منبع حرارتی، توسط جعبه ابزار کوانتوم برای پایتون "کیوتیپ" ، شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهند که فرایند سردسازی کاواک، با افزایش یافتن ضریب واهلش مدهای اپتیکی و مکانیکی، ...

صمدبین, الهام, علیزاده, پروین, پورصالحی, رضا,

در این پ‍ژوهش اثر یون آلاینده Cr2O3بر خواص اپتیکی، حرارتی و ساختاری شیشه با ترکیب 53%SiO2-17Na2O-17CaO-13CaF2مورد مطالعه قرار گرفته است. هم‌چنین با انجام عملیات حرارتی دو مرحله‌ای در دمای جوانه‌زنی و رشد فاز بلورین نانومتر در شیشه بدون آلاینده و آلاییده شده باCr2O3متبلور گردید. حضور بلورهای نانومتری منجر به تغییر خواص اپتیکی شیشه، کاهش انرژی نوار ممنوعه و انرژی Urbachدر شیشه‌ها شده است. نوع فاز...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - دانشکده علوم پایه 1391

اخیراً، نیم رساناهای کالکوژنید چهارتایی i2-ii-iv-vi4 به علت کاربرد بالقوه آنها به عنوان جاذب های سلول خورشیدی، فوتوکاتالیست برای تجزیه نوری آب، مواد ترموالکتریکی، جذب اپتیکی بالا ( > 104× 1)، و برای خواص مگنتو اپتیکی و مولتی فرویک در حضور mn ، مورد علاقه وسیعی قرار گرفته اند. ترکیبات چهارتایی i2-ii-iv-vi4 از طریق یک جانشینی کاتیونی عرضی در ترکیبات سه تایی i-iii-vi2 استخراج شده اند ، به این صورت ...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
سجاد احمد a ahmad بخش فیزیک رادیولوژی و زیست مهندسی، شری کشمیر، هندوستان م محب الحق m mohib-ul haq مرکز علوم پزشکی، سرینیاگار، هندوستان

رابطه ساده بین الکترونگاتیویتی اپتیکی، گاف انرژی، ضریب شکست و قطبش الکترونی برای نیمه هادی chalcopyrite سه گانه ارایه شده است. گاف انرژی از الکترونگاتیویتی اپتیکی برآورد شده و مقادیر ضریب شکست و قطبش الکترونی از گاف انرژی با در نظر گرفتن یک رابطه خطی بین آنها برآورد شده است. مقادیر محاسبه شده در توافق قابل قبولی با نتایج تجربی وپژوهش های پیشین است. بررسی حاضر نشان دهنده اهمیت رابطه بین این پارا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان - دانشکده علوم 1391

برای بهبود بخشیدن به خواص الکتریکی و اپتیکی الکترودهای رسانای شفاف به منظور استفاده از آن ها در صفحات و وسایل فوتوولتائیک و دیودهای نور گسیل آلی، بررسی های فراوانی صورت گرفته است و برای طراحی و ساخت این گونه فیلم ها باکیفیت بالا و هزینه ی تولید پایین تلاش فراوانی انجام شده است. امروزه اکسیدهای رسانای شفاف بر پایه ی in2o3، zno، sno2 به طور گسترده ای مورد استفاده قرار می گیرند اما وسایل توسعه یاف...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده علوم پایه 1391

هدف این رساله، بررسی اثرات غیرخطی روی تحول سامانه در حالت پایا و در حالت وابسته به زمان با استفاده از معادله اصلی می باشد. رفتار سامانه که شامل یک اتم سه ترازی محصور شده در یک کاواک اپتیکی تک مد، با یک آینه غیرخطی، می باشد در حالت پایا بررسی شده است. علیرغم اثرات غیرخطی، این سامانه در دو رژیم متفاوت کار می کند. در یک رژیم، سامانه خواص یک لیزر مرسوم را از خود نشان می دهد که با تئوری لیزر نیمه کل...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - دانشکده علوم پایه 1390

نیمرساناهای ii-vi به دلیل گاف پهن نواری و قابلیت کاربرد برای قطعات اپتوالکترونیک بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. انرژی گاف آن ها بین 3- 1 الکترون ولت می باشد، از این رو ابزار مناسبی برای این قطعات در ناحیه مرئی طیف هستند. در این مطالعه، ما با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw) در چارچوب نظریه تابعی چگالی، ویژگی های الکترونی و اپتیکی آلیاژهای نیمرسانای zn1-xmgxs، zn1-...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید