تمرکز این مقاله روی پتانسیل مواد با ضریب شکست منفی به منظور بهتر نمودن مشخصه‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی بلورهای فوتونی مغناطیسی یک بعدی می‌باشد. ما قابلیت مواد دوگانه-منفی در مقایسه با مواد معمولی در بلورهای فوتونی مغناطیسی را بررسی کرده‌ایم. به عنوان یک نتیجه، دریافتیم که یک پهن‌شدگی در طیف‌های اپتیکی و مگنتواپتیکی ساختارهای بلور فوتونی مغناطیسی شامل مواد دوگانه-منفی رخ می‌دهد. در واقع، نتایج نش...

The piezoelectric crystals conven mechanical energy inlo clcclrical energy and vice versa. This propeny has many applications in science and technology. In this paper we reporl the growth of KDP single crystal OUI of a super-saturated KDP liquid by controling the temperature and the pH. We studied the effect of the variation of the pH and temperature on the KDP single crystal. We found th...

 در این مقاله آرایه­ای متناوب مثلثی شکل از بلورهای فوتونی دو بعدی در صفحه­ی x-z ایجادشده است.در این ساختار میله­های شش­ضلعی سیلیکونی در زمینه هوا قرار دارند.با قرار دادن یک منبع نور گوسی در سمت چپ و مرکز ساختار میزان انتشار و انعکاس در اطراف بلور فوتونی به دست آمد. روش تفاضل متناهی حوزه زمان (FDTD)جهت شبیه­سازی استفاده شده است که از جمله روش­های عددی است.با توجه به نتایج شبیه­سازی، بلور فوتونی ...

در صنعت اسپینترونیک به ترکیبات دوتایی عناصر واسطه مانند بلور cras در فاز شبه پایدار بلندروی، به علت رفتار فرومغناطیسی نیم فلزی آن ها، توجه زیاد شده است. در این مقاله خواص انبوهه cras در دو فاز شش گوشیnias و بلندروی مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از بسته محاسباتی espresso بر مبنای نظریه ی تابعی چگالی و نظریه ی تابعی چگالی اختلالی، با تقریب شیب تعمیم یافته (gga) انجام شده است. نتای...

برای تعیین بلورینگی در یک نانو چند سازه، استفاده از مدل چند مقیاسی که در آن دمای ماکروسکوپی و میکروسکوپی و ریخت بلور با یکدیگر در ارتباط هستند، بسیار با اهمیت است. هدف از این پژوهش، ارایه یک مدل چند مقیاسی و یک روش محاسباتی چند مقیاسی برای شبیه سازی بلوری شدن هنگام سرد شدن درپلی پروپیلن و نانوچندسازه برپایه پلی پروپیلن/گرافن است. بر اساس مدل چند مقیاسی، یک الگوریتم از ترکیب روش حجم محدود با روش...

بستگی دمائی ضرائب ترابری در فلزات ساده عمدتا ناشی از اثر پراکندگی همگن الکترون-فونون و الکترون ناخالصی می باشد در فلزات مرکب با اتمهای مغناطیسی مثل بلور upd2si2 الکترون ها بطور ناهمگن نیز توسط اتمهای مغناطیس پراکنده می گردند که این باعث رفتار غیرعادی در وابستگی دمائی ضرائب ترابری در این اجسام می گردد. یکی از مکانیسم هائی که در توجیه این رفتارها موفق بوده مکانیسم پراکندگی اریبی می باشد. در این ر...

در این مقاله، مسئلۀ ویژه مقداری غیرخطی برای محاسبۀ ساختار نواری فوتونی بلور فوتونیک دوبعدی با استفاده از روش عددی mmp بررسی شده است. ساختار نواری بلور فوتونیک دوبعدی برای دو قطبش te و tm محاسبه شده است.  جزئیات روش محاسباتی شامل چیدمان فضای شبیه­سازی، مدل سازی میدان­های داخل و بیرون جسم، شرایط مرزی تناوبی فرضی شرح داده شده­اند. در طراحی فضای شبیه­سازی خصوصیات فیزیکی منطقۀ اول بریلوئن بلور نظیر ...

در این کار پژوهشی ، خواص کشسانی تک بلور NI در میدانهای مغناطیسی متفاوت ، تا 12 کیلو گاوس ، بررسی شده است . مقایسه نتایج بدست آمده در حضور میدان مغناطیسی و در غیاب آن نشان می دهد که در منحنی نمایش میزان تغییرات طولی در ناحیه خطی ، با شدت میدان مغناطیسی باید اثری وجود داشته باشد .

در این پایان نامه مباحثی از نظریه مدول ها، تحت عنوان ads ‏مدول ها و ads* مدول ها را معرفی کرده و ارتباط آن ها را با مفاهیمی چون مدول های ‏شبه پیوسته‎‏، نیم کامل و پیوسته و زیرمدول های متمم و مکمل شده بیان می کنیم. بعد از آن برخی از خصوصیات ads مدول ها را بیان می کنیم. در ادامه مفاهیمی چون زیرمدول افزایشی، ‎نیم کامل‎‎‎‎،‎‎ نیم آرتینی و نامنفرد را معرفی کرده و ارتباط این زیرمدول ها را با مدول های...