آلاییدن عایق ها و نیم رساناها به منظور مغناطیسی کردن این مواد در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته است. چنین موادی کاربرد فراوانی در صنعت از جمله صنعت اسپینترونیک دارند. می توان به جای آلاییدن این مواد، از طریق کپسوله کردن سیم های مغناطیسی و یا نانوذرات مغناطیسی در داخل نانولوله های نیم رسانا آن ها را مغناطیسی کرد. همچنین رشد ساختار نانوذرات مغناطیسی مانند نانوذره ی آهن به دلیل اکسیده شدن...

حس گرهای گازی مقاومتی مبتنی بر نیمه هادی های اکسید فلز با توجه مزایای زیادی که دارند؛ از جمله قیمت پایین، سادگی، سازگاری با فناوری سیلیکون، قابلیت آشکارسازی تعداد زیادی از گازها؛ توجه بسیاری از پژوهشگران را در سالهای گذشته به خود جلب کرده اند. در میان اکسیدهای فلزی، تری اکسید تنگستن، در این حوزه کمتر کمتر مورد توجه قرار گرفته است. در این پایان نامه نانوذره و یک نمونه نانوساختار کروی چندطبقه ی ا...

یک سری از کاتالیزورهای نقره و پلاتین ساپورت شده بر روی اکسید روی توسط روش رسوب دهی مستقیم تهیه شدند. ساختار، اندازه و مورفولوژی نانوذرات سنتز شده توسط xrd و tem مورد بررسی قرار گرفت. فعالیت فوتوکاتالیزوری کاتالیزورهای گوناگون ag-zno و pt-zno در کاهش فوتوکاتالیزوری یون نیترات در محلول های آبی تحت تابش نور uv بررسی شد. اسید فرمیک به عنوان گیراندازنده حفره جهت پیشبرد واکنش کاهش فوتوکاتالیزوری مورد...

در این پایان نامه، سیستم معادلات یک لیزررا در نظر می گیریم، که تحت اثر یک سیگنال نوری خارجی قرار دارد. با استفاده از روش های نظریه ی اختلال، رفتار سراسری مسیرهای روی چنبره ی جاذب و مسیرهایی که در همسایگی آن قرار دارند را برای این سیستم معادلات، مورد بررسی قرار می دهیم. برای این منظور نظریه ی اختلال برای منیفلدهای پایا را مورد مطالعه قرار می دهیم و نشان می دهیم یک منیفلد انتگرالی برای این سیستم...

چکیده ندارد.

لایه¬های نازک نیمرسانای سولفید روی (zns) از جمله نیمه هادیهای ترکیبی گروههای ii-vi می¬باشد که به دلیل کاربرد وسیعش دراپتو الکترونیک، مانند دیودهای منتشرکننده نور آبی، قطعات الکترولومینسانس و سلولهای فوتو ولتائیک تحقیقات فراوانی روی آن صورت گرفته است. در این تحقیق لایه¬های نازک سولفید در دو دمای مختلف زیر لایهc º 25 وcº 200 و در ضخامتهای مختلفnm 600-nm 100 بر روی زیرلایه شیشه¬ای به روش تبخیر د...

در این پایان نامه، خصوصیات ساختاری، الکترونی و اپتیکی نیمرسانای mgseدر سه فاز نمک طعام، بلندروی و ورتسایت مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت شده ی خطی با پتانسیل کامل(fp-lapw)، در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی، با تقریب های مختلف و نرم افزار wien2k انجام شده است. ثابت های شبکه به کار رفته در محاسبات برای ساختار نمک طعام برابر با a° 5/46- a، برای ساختار بل...

در این پژوهش با استفاده از معادله های رانش- نفوذ به شبیه سازی آشکارساز نوری فلز- نیم رسانا- فلز پرداخته شده است. دسته معادله های پواسون، پیوستگی چگالی الکترون و پیوستگی چگالی حفره در نظر گرفته شده و با بهره گیری از فن نیوتن- رافسون، به طور هم زمان حل شده اند. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که مدل ارائه شده می تواند پاسخ افزاره به تابش نور را به ازای دو حالت ایستا و پویا محاسبه کند. نتیجه های به دس...

طرح vcsoa ها نقاط اشتراک زیادی با طرح soa های fabry – perot در یک صفحه ، vcsel ها و فیلترهای fp دارد. سالهای زیادی است که این دستگاه¬ها مورد مطالعه قرار می¬گیرند]11-13[. تا حال مدل¬های تئوری که ساخته شده¬اند، اساس محکمی را برای ساخت تئوری vcsoa فراهم می¬کنند. طرح-هایی که در این فصل برای vcsoa ها پیشنهاد می¬گردد، تا حدود زیادی به طراحی ارائه شده در ussb برای vcsel های قبلی است. اولین مقاله تئوری...

در سال های اخیر انتقال قطبیده ی اسپینی در ساختارهای نیمه رسانا به دلیل ظهور در شاخه ی اسپینترونیک، بسیار مورد توجه قرار گرفته است. آینده ی سازه های دیجیتال ممکن است علاوه بر دست کاری بار الکتریکی، با اسپین الکترون نیز سروکار داشته باشد. فرآیندهایی که علاوه بر بار الکتریکی از اسپین الکترون نیز بهره می جویند، به عنوان اسپینترونیک شناخته می شوند. از این روی، جریان وابسته به اسپین در اتصالات مولک...