مطالعه ی حاضر، بررسی اثر ناهمسانگردی رسانندگی در پاسخ میدان حاصل از یک دوقطبی الکتریکی افقیHED،Horizontal ElectricDipole، بر روی سطح زمین است. مدل اول مورد مطالعه در این پایان نامه یک زمین دولایه ناهمگن و ناهمسانگرد که شامل یک رولایه ناهمسانگردِVTI ، Vertical Transverse Isotropy،یاهمسانگردعرضیبامحورقائم، با ضخامت d و یک زیر لایه همسانگرد و با ضخامت بینهایت،و مدل دوم یک نیم فضای همگن و ناهمساگردِ ...

در این پایان نامه، خواص فیزیکی و نوارهای انرژی ویژه ی گرافن توضیح داده شده و در ادامه پارادوکس کلین در گرافن، با استفاده از معادله ی دیراک را مطالعه کرده ایم. مجموعه ای از تعدادی سد الکترواستاتیکی، در دوحالت همگن و ناهمگن مشتمل بر دو شکل از پتانسیل افزایشی خطی و گاوسی که ارتفاع سدها و عرض چاه ها ثابت است را در نظر می گیریم. با استفاده از روش ماتریس انتقال، احتمال عبور و رسانندگی تمام حالت ها بص...

ما در این پژوهش با مدل سازی سامانه ، نقش عوامل خارجی(آلاینده ها) را بر ترابرد الکترونی سامانه به صورت نظری مورد مطالعه و بررسی قرار می دهیم. در این مدل از الکترودهای فلزی سه بعدی با سطح مقطع مربعی و از مولکول پلی استیلن در فاز ترانس به عنوان پل مولکولی بین دو الکترود فلزی استفاده می شود. با کاربرد مدل هامیلتونی بستگی قوی و روش های عددی مبتنی بر نظریه ی تابع گرین تعمیم یافته و هم چنین فرمول بن...

هدف از پژوهش حاضر، بررسی اثر کرنش در رسانندگی اسپین وبار در ساختارgmr پایه گرافینی است.این ابزار، از سه لایه ساخته می شود، به این صورت که یک لایه گرافین کرنش درمیان دولایه ی گرافین مغناطیسی قرارداده می شود .ساختارهای موازی وپادموازی دو لایه ی فرومغناطیس موردتوجه قرارگرفته ورسانندگی بارواسپین دراین ساختار مورد مطالعه قرار گرفته است. یافته های این پژوهش نشان می دهد که برای تبادل انرژیهای معین با ...

هدف ما در این تحقیق مطالعه رسانندگی گرمایی نیمرساناهای gan و zno بر حسب تابعی از دما است. این نیمرساناها که از گاف نواری مستقیم پهن برخوردارند، در دستگاه های الکترونیکی و اپتوالکترونیکی در شرایط توان بالا و دمای بالا بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. عوامل گوناگونی می توانند در بزرگی رسانندگی گرمایی یک ماده موثر باشند که برخی از آنها به خواص ذاتی ماده و برخی متأثر از عوامل غیر ذاتی نظیر دررفتگی ه...

اسپینترونیک یا الکترونیک بر پایه ی اسپین، شامل، مطالعه، کنترل و دستکاری درجات آزادی اسپین در سیستم های حالت جامد است. در این پایان نامه، روی اصول فیزیکی اسپینترونیک که دربرگیرنده ی تولید قطبش اسپینی حامل ها، دینامیک اسپینی و انتقال اسپین قطبیده در نیمه رساناها و فلزات می باشد، بحث شده است، همچنین اثرات مختلف تزریق اسپین و خصوصیات مواد را بررسی کرده و نتایج آن را برای سیستم های چندلایه ای به کار...

یکی از شاخه های مهم در علم اسپینترونیک ترابرد جریان اسپینی از یک ماده فرومغناطیس به درون نیم رسانا می باشد. امروزه از مواد فرومغناطیس مختلفی برای این منظور استفاده می شود. یکی از راه های افزایش کارایی ابزا رهای اسپینترونیکی به کارگیری فرومغناطیس هایی است که بتوانند جریانی با قطبیدگی اسپینی بالا تولید کنند و نیم فلزات فرومغناطیس با داشتن قطبش اسپینی 100 % در تراز فرمی گزینه ی مناسبی برای این منظ...

بررسی چگالی حالت های ترابرد الکترون و رسانندگی در انواع نانوساختارهای شبه یک بعدی از جمله زنجیره های اتمی و نانولوله های کربنی در ابزارهای الکترونیک در مقیاس نانو از اهمیت خاصی برخوردار است. در این پژوهش به بیان خلاصه ای از ترابرد درانواع نانولوله های کربنی و اهمیت و نقش آن در تکنولوژی روز پرداخته ایم، همچنین در مورد اتم کربن و ساختار گرافین و ساختار اتمی و الکترونی نانولوله ها توضیحاتی داده شد...

در این پروژه ابتدا به طراحی و ساخت یک نمونه دستگاه لایه نشانی چرخشی جهت تهیه لایه های نازک و یکنواخت پلیمری پرداخته می شود. سپس لایه نازک ترکیب آلی (pani+pvc) به روش لایه نشانی چرخشی با سرعتهای چرخش مختلف و غلظت های مختلف تهیه شد. طیف اپتیکی لایه ها در ناحیه نور مرئی مورد مطالعه قرار گرفت. ضخامت لایه ها طبق پیک طیف جذبی نزدیک به nm 386 تخمین زده شد. پیک های جذب متناسب با سرعت چرخش و غلظت محلول ...

در این پژوهش با استفاده از روش تابع گرین غیر تعادلی و فرمول بندی لانداور- بوتیکر، خواص ترابرد وابسته به اسپین از طریق مولکول dna متصل شده به دو الکترود فرومغناطیسی با سطح مقطع محدود، بصورت عددی بررسی می شود. با مطالعه ترابرد همدوس وابسته به اسپین از طریق مولکول dna نشان می دهیم که مقاومت مغناطیسی تونلی(tmr) در ساختار fm/dna/fm وابسته به ولتاژ خارجی است. همچنین نتایج بدست آمده نشان می دهد که ولت...