تکنیک مبتنی بر بدیهیات به عنوان روشی علمی و نظامند در طراحی سیستم است که مورد استقبال دانشمندان و محققان در رشته های مختلف علمی واقع شده است.این مقبولیت ناشی از بکارگیری دو اصل استقلال و اصل اطلاعات در طراحی می باشد که تفاوت معناداری را با سایر تکنیکهای طراحی ایجاد نموده است. اما مهم ترین چالش مدیران این است که چگونه بهترین سیستم را از بین سیستم های مختلف طراحی شده توسط تکنیک طراحی مبتنی بر بدی...

چکیده کوره های قوس الکتریکی برای ذوب و بازیابی فلزات، خصوصاً آهن در کارخانه های فولاد سازی مورد استفاده قرار می گیرند. این نوع از کوره ها، قراضه ها را توسط گرمای ناشی از قوس الکتریکی ذوب می کنند. به دلیل ماهیت قوس الکتریکی و فرآیند ذوب، این دستگاه ها باعث ایجاد مشکلاتی نظیر عدم تعادل ولتاژ و جریان، ولتاژ و جریان هارمونیکی ، نوسانات ولتاژ و ضریب توان پایین می شوند. به منظور استفاده بهینه از توا...

در این پایان نامه هدف، طراحی و شبیه سازی سنتز کننده ی فرکانسی تمام دیجیتال برای پوشش استاندارد ieee802.11a می باشد. سنتز کننده ی فرکانسی تمام دیجیتال از بلوک هایی، از جمله نوسان ساز کنترل شده با کلمات دیجیتال، مبدل زمان به دیجیتال، فیلتر و اجزای کنترلی فرکانس مورد نظر تشکیل می شود. این پایان نامه ابتدا به طراحی و شبیه سازی هر یک از این بلوک های ذکر شده پرداخته و سعی بر بهبود در کارایی آنها شده ...

از آن جایی که tcsc جهت جبران رأکتانس سلفی در خطوط طولانی نصب می گردد و این عمل مزایایی از قبیل افزایش توان انتقالی، افزایش پایداری گذرا و میراسازی نوسان های زیر سنکرون (ssr) را به دنبال می آورد، ولی علی رغم فواید ذکرشده، رفتار دینامیکی تجهیزات و دستگاه های حفاظتی مربوطه، اختلالاتی از قبیل ایجاد تغییر در پارامترهای سیستم قدرت هم چون جریان و ولتاژ راموجب گردیده که این عمل باعث اختلال در عملکرد رل...

در این پایان نامه بهبود عملکرد دینامیکی سیستم های قدرت چند ناحیه ای در محیط تجدید ساختار یافته، در حضور یکی از ادوات facts سری به نام جابه جاگر کنترل شده با تریستور، مورد بررسی قرار گرفته است. سیستم مورد مطالعه، یک سیستم قدرت دو ناحیه ای گرمابی به هم پیوسته است که از طریق یک خط ارتباطی به یکدیگر متصل شده اند. در این جا، ابتدا با استفاده از جابه جاگر فاز، سعی در بهبود عملکرد دینامیکی سیستم شامل ...

همچنانکه ضخامت گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی فلز-اکسید-نیمه رسانا (mosfet) کمتر از 1 نانومتر می شود، مسائلی نظیر تونل زنی مستقیم الکترون و نفوذ اتم های سبک از میان گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون مانع بکارگیری بیشتر گیت اکسید فرانازک سیلیکونی در سی ماس می شود. از میان ماده های مناسب اکسید لانتان تزریق شده با زیرکونیوم (zrxla1-xoy) می باشد. در این کار نانو بلورک های اکسید لانتان تزریق شده...

افزاره های ساخته شده با سیلیکن کاربید پتانسیل گسترده ای را برای چگالی توان بالا و کاربردهای کلیدزنی دمای بالا نشان می دهند. در میان چندگونه های سیلیکن کاربیدی، گونه 4h-sic با توجه به موبیلیتی ذاتی بالایی که دارد به عنوان امیدبخش ترین نوع برای پیشرفت افزاره های قدرت مطرح می باشد. در میان تمام ساختارهای افزاره های قدرت، ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلزی (ماسفت) ساخته شده با 4h-sic بواسطه داشتن ...