امروزه مبدلهای رزونانسی اهمیت بسیاری در کاربردهای مختلف یافتهاند. مسئله مدلسازی و کنترل این مبدل‏‏‏ها بسیار حائز اهمیت بوده و در این رساله راه حلی برای این مسئله ارائه گردیده است. راه حل پیشنهادی مبتنی بر تئوری سیستم‏‏‏های هایبرید و سوئیچ شونده خطی می‏‏‏باشد. رساله شامل دو بخش توسعه تئوری‏‏‏ سیستم‏‏‏های هایبرید و اعمال آنها بر مبدل رزونانسی می باشد. مبدل رزونانسی دارای ماهیت هایبرید بوده و به ط...

چکیده: مقدمه و هدف: جهت اندازگیری فشار خون تاکنون روشهای غیر تهاجمی مختلفی ابداع و به کار گرفته شده اند . اخیراً روش غیر تهاجمی دیگری برای اندازه گیری فشار خون با استفاده از اکسیمتری نبض، گزارش شده است. این پژوهش به مقایسه نتایج اندازه گیری فشار خون با استفاده از روش رایج سمع و روش جدید اکسیمتری نبض در حالتهای مختلف بدن پرداخته است. مواد و روش کار: این پژوهش یک تحقیق تحلیلی ـ کاربردی بوده ...

علل دروغگویی ما                                                                                                         حجت الاسلام محمد سروش محلاتی 1           1-  استاد حوزه علمیه قم و عضو هیأت علمی پژوهشگاه حوزه و دانشگاه      طرح بحث جامعه ما، یک جامعۀ دینی است، نمادهای دینی در آن کاملاً آشکار و بسیار قوی و ریشه‌دار است، ولی این بدان معنی نیست که در همۀ ابعاد زندگی فردی و اجتماعی ما، دین حر...

یک چارچوب هندسی بر پایه ی جت منیفلدها به سیستم های لاگرانژی غیرهولونومیک وابسته ی زمانی گسترش داده شده است.یک ساختار تقریبا ضربی (p,q) روی فضای تکامل یافته ساخته می شود به گونه ای که تصویر دینامیک آزاد توسط ، دینامیک منحصر به فرد مقید را می دهد. 2-فرمی پوانکاره-کارتان مقید نیز تعریف شده است. اگر سیستم غیر هولونومیک تکین باشد، آن گاه یک الگوریتم مقید ساخته می شود. هم چنین نوع خاصی از سیستم های م...

در این مقاله اثر فضای ناجابه جایی بر معادله بته سالپیتر برای حالت مقید دو ذره بررسی شده است. در این بررسی حالات مقید دو ذره ای با ذرات اسپین -0 اسپین0, اسپین 2/1- اسپین 2/1 و اسپین 1/2- اسپین 0 در نظر گرفته شده است. در طیف انرژی, پایینترین تصحیح مستقل از اسپین در همه موارد از مرتبهθα4شروع می شود. در همین حال تصحیح وابسته به آسپین در فضای ناجابه جایی از مرتبهθα6می باشد.

در سطح آزاد نیم رساناها برای مثال سطح سیلیکن، حالت تناوبی اتم های بلور گسیخته می شود به طوری که بعضی از پیوندهای اتمی به صورت پیوندهای آزاد باقی می مانند. در نتیجه حالت های سطحی دهنده و یا پذیرنده زیادی در گاف نواری سطح سیلیکن وجود دارد. به طور مشابه در اتصال شوتکی فلز – نیم رسانا (ti-si)، حالت های میان گاهی الکترونیکی در گاف نواری القا می شوند. به هر حال حالت های سطحی (و یا میان-گاهی) توانایی ...