نتایج جستجو برای: توزیع میدان کلیدزنی

تعداد نتایج: 57594  

ژورنال: :نشریه دانشکده فنی 2009
فرامرز فقیهی حسین حیدری وحید عباسی

مسیریابی بهینه هادی های انتقال در یک محفظه شامل تجهیزات الکتریکی و الکترونیکی در راستای کارکرد صحیح و بدون اختلال سیستم به عنوان یک مبحث پیچیده مطرح است. میدان های تداخلی ناشی از جریان های بالای برخی از تجهیزات درون محفظه و عملیات کلیدزنی، ولتاژ هادی های انتقال را می تواند تحت تأثیر قرار دهد. این ناسازگاری الکترومغناطیسی عملکرد نادرست ادوات فرمان و اندازه گیری را به دنبال خواهد داشت. در حالت مع...

در این نوشتار طراحی شکل در جریان‌های داخلی و خارجی به‌وسیله‌ی الگوریتمی مبتنی بر روش دیواره‌ی نفوذپذیر ارائه شده است. در این روش با دانستن توزیع فشار هدف بر روی دیواره‌ی یک مجرا یا دیواره‌ی جسم واقع در میدان جریان، شکل دیواره‌ی متناظر با این توزیع فشار به دست می‌آید. روش دیواره‌ی نفوذپذیر، یک روش طراحی معکوس تکراری است و محاسبات از یک حدس اولیه آغاز می‌شود. در این روش همه‌ی انواع معادلات جریان)...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر 1393

امروزه به دلیل استفاده فزاینده از مبدل های الکترونیک قدرت، استانداردهای متنوعی به منظور حفظ محیط زیست برای بهینه سازی عملکرد این گونه سیستم ها تحت بارهای مختلف ارائه شده است. به همین خاطر طراحی مبدل هایی که با این استانداردها همخوانی داشته باشند از چالش های پیش روی مهندسان الکترونیک قدرت است. مبدل تشدیدی llc به دلیل برخورداری از مزیت هایی همچون کلیدزنی در ولتاژ و یا جریان صفر، امکان افزایش فرکا...

در این مقاله، یک استراتژی کنترلی تعمیم‌یافته از مدولاسیون پهنای پالس بر مبنای حامل (GCB-PWM) که برای مبدل‌های چندسطحی پشت به پشت مناسب می‌باشد، پیشنهاد گردیده است. هدف از روش پیشنهادی، ایجاد یک الگوی کلیدزنی به نحوی است که بدون افزایش فرکانس کلیدزنی، دامنه اولین هارمونیک حذف نشده ولتاژ خروجی، حذف شود یا به زیر حد مجاز استاندارد خود کاهش یابد. این امر با ثابت نگه‌داشتن اندیس مدولاسیون دامنه در م...

در این مقاله، انتشار پالس میکروموجی با نمایه گاوسی درون یک موجبر پلاسمایی مستطیلی درحضور یک میدان مغناطیسی یکنواخت خارجی بررسی شده است. برای این منظور، با استفاده از معادلات ماکسول و معادلات هیدرودینامیکی سیال، معادله‌ دیفرانسیلی برای پتانسیل دنباله پالس در موجبر محاسبه شده است. در ادامه با حل این معادله دیفرانسیل با استفاده از روش محاسباتی رانگ-کوتا مرتبه 4، توزیع میدان الکتریکی دنباله پالس (E...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علم و صنعت ایران - دانشکده مهندسی برق 0

اضافه ولتاژهای ایجاد شده در سیستم قدرت ناشی از عوامل مختلف اعم از صاعقه و کلیدزنی سبب ایجاد تنش بر روی تجهیزات مختلف سیستم قدرت و تخریب عایقی می گردند. برق گیرها از جمله عناصرمهم حفاظت سیستم های قدرت در مقابل اضافه ولتاژ ها می باشند. کاربرد گسترده برق گیرهای اکسید روی و اهمیت رفتار دینامیکی این تجهیزات در تعیین محل مناسب برقگیر و هماهنگی عایقی، لزوم استفاده از مدلی دقیق برای شبیه سازی این رفتار...

در این تحقیق تحلیل غیر خطی الکترومگنتوترمومکانیک دیسک دوار ساخته شده از ماده پیزوالکتریک پلیمری تقویت شده با نانولوله های کربنی چندجداره مورد بررسی قرارگرفته است. مدول الاستیسیته این ماده وابسته به دما و تنش جاری می باشد زیرا این ماده رفتار ویسکوالاستیک داشته و مدول الاستیسیته آن از مدول الاستیسیته ماکسول در رابطه ویسکوالاستیک برگر محاسبه می شود. دیسک تحت میدان دما و میدان مغناطیسی یکنواخت با ت...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد - دانشکده برق و کامپیوتر 1392

حالت گذرا پدیده¬ای است که از تغییر آنی کمیت¬های شبکه (ولتاژ، فرکانس و جریان) بوجود آمده و باعث بروز حالتهای نامطلوب و در نتیجه ناپایداری سیستم می¬گردد. هدف از انجام این پایان¬نامه بررسی و امکان سنجی استفاده از گذراهای ولتاژ می¬باشد تا با تشخیص بهتر و مناسب¬تر کلیه پدیده¬های گذرا (صاعقه، کلیدزنی، انواع خطاها، فرورزنانس، برش جریان، جریان هجومی)حفاظت بهتری را از شبکه انجام داد. در صورت اجرا، نتایج...

طرح کنترل مستقیم گشتاور یک ساختار ساده در مقایسه با کنترل جهت میدان است. این روش به طور گسترده‌ای در بسیاری از برنامه‌های کاربردی راه‌انداز موتور استفاده می شود. اما در سرعت پایین باعث اعوجاج جریان و گشتاور و تغییرات فرکانس سوئیچینگ می‌شود. موج‌دار شدن گشتاور، ایجاد نویز و ارتعاشات نموده و این امواج به نوبه خود باعث ایجاد تداخل الکترومغناطیسی می‌شوند. دلیل موج‌دار شدن زیاد گشتاور و جریان در کنت...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز 1389

شبه کریستال های فوتونیکی با توجه به ویژگی های برجسته ای که در زمینه کنترل نور داشته اند، در چند دهه اخیر مورد توجه محققان در رشته فیزیک و مهندسی فوتونیک، بوده است. این ساختارها ویژگی ها و خواص مشابه و البته بهتری از کریستال های فوتونیکی به نمایش می گذارند، که ناشی از درجه آزادی بیشتری است که در ساختارهای غیرپریودیک نهفته است. از جمله مشخصات مهم و بارز این ساختارها، شکاف باند فوتونیکی کامل و ایز...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید