در این پایان نامه به طراحی و شبیه سازی تقویت کننده ی کم نویز فوق پهن باند در باند فرکانسی 3-5ghz با استفاده از تکنولوژی 0.18µm-tsmc rf cmos پرداخته شده است .هسته ی اصلی تقویت کننده کم نویز ساختار کاسکد است که طبقه ی ورودی آن شامل فیدبک مقاومتی می باشد. چنین ساختاری دارای تطبیق ورودی و گین مناسبی می باشد، امّا عدد نویز و تلف توان بالایی دارد، برای بهبود عدد نویز از تکنیک کاهش نویز استفاده شده است...

در این مقاله یک مبدل DC-DC با راندمان بالا برای کاربردهای ولتاژ بالا که منبع ورودی در آنها غیر رگوله است ارائه شده است. این مبدل مخصوصاً برای راه‌اندازی تقویت کننده‌های لامپ خلأ زمانی که منبع ورودی آن متغیر است (مثلاً انرژی خورشیدی) مناسب است. مبدل پیشنهادی از یک طبقه مبدل Boost تشکیل شده است که هم از انتقال تغییرات ولتاژ ورودی به اینورتر جلوگیری می‌کند و هم ولتاژ خروجی مبدل را در یک مقدار مشخص ت...

تکنولوژی cmos در ابعاد نانو به طور گسترده ای در مدارات مجتمع rf مورد استفاده قرار می گیرد . تقویت کننده های کم نویز نیز اولین طبقه در ورودی گیرنده های بی سیم می باشند و بیشتر در معرض خرابی توسط تخلیه الکترواستاتیک ( esd) می باشند و باریک شدن لایه اکساید گیت در ابعاد نانو به طور جدی مقاومت در برابر esd را کاهش داده است، و طراحی مدارهای حفاظت esd را برای این بخش ضروری می کند . برای مقابله با خراب...

امروزه نانوذرات دنیای جدیدی را پیش روی ما باز کرده اند و تقریبا در تمام بخش های زندگی ما تاثیر گذار هستند. با گذر از مقیاس میکرو به مقیاس نانو، بسیاری از خواص فیزیکی و شیمیایی دستخوش تغییر می شوند، این تغییرات ناشی از افزایش نسبت سطح به حجم و ورود اندازه ی ذره به قلمرو اثرات کوانتومی است. علاوه بر اینکه خواص نانوذرات با حالت توده ای آن تفاوت دارد، می توانند مولکول هایی را که در مجاورت خود قرار ...

تکنولوژی مخابرات پیشرفت عمده ای به جلو داشته است. رشد فوق العاده صنعت بی سیم، دسترسی جهانی به اینترنت و حتی افزایش نیاز و تقاضای انتقال اطلاعات با سرعت بالا ضرورت گام های بزرگ در زمینه تکنولوژی مخابرات را ایجاد می نماید. یکی از اجزای غیرقابل تعویض هر گیرنده فرکانس بالا، تقویت کننده جلویی کم نویز آن می باشد. به عنوان اولین بلوک ساخته شده در جلوی گیرنده، تقویت کننده کم نویز باید ماکزیمم بهره را ت...

هدف از این مطالعه، آشنایی بیشتر با انواع ساختارهای تقویت کننده های کم نویزباند فوق پهن می باشد. تقویت کننده فوق، باید در یک عرض باند وسیع، دارای بهره توان بالا، تطبیق ورودی مناسب و عدد نویز کمی باشد و توان مصرفی و سطح اشغالی آن بر روی تراشه نیز تا حد ممکن کم باشد. طی چند سال اخیر، روش های مختلفی برای پیاده سازی تقویت کننده کم نویزباند فوق پهن، در تکنولوژی cmos ارائه شده است. از روش های پیاده سا...

در این مقاله ارتعاشات آزاد پوسته استوانه ای کامپوزیتی تقویت شده محتوی مایع مورد بررسی قرار گرفته است. پوسته مذکور از کامپوزیت چند لایه تشکیل شده است و تقویت کننده ها شامل رینگ ها و استرینگر ها می باشد. برای پوسته و تقویت کننده ها از تئوری برشی مرتبه اول استفاده شده است و رینگها و استرینگر ها بصورت عناصر مجزا وارد روابط شده اند. برای حل، از روش ریلی ریتزاستفاده شده است. برای حل، روابط انرژی پتان...

موضوع تحقیق این پایان نامه طراحی svc است که با هدف تنظیم ولتاژ طراحی شده است. در این پروژه سعی بر آن بوده است تا با الهام از نمونه های صنعتی جبران کننده های توان راکتیو که در کاربرد مورد نظر این پروژه، عموما از نوع tcr+fc است به جزئیات طراحی بخش های مختلف قدرت و کنترل با نگاه به محدودیت های عملی و رویکرد واقعی بپردازد. در مواردی که روش های مختلفی برای طراحی یک بخش خاص مثل سیستم اندازه گیری ولتا...

مراجع ولتاژ و جریان یکی از اصلی ترین بلوک ها در مدارهای دیجیتال و آنالوگ هستند. عملکرد یک مرجع به وسیله حداکثر تغییرات در شرایط عملیاتی مجاز خود سنجیده می شود. یکی از مهم¬ترین مشخصه های یک مرجع تغییرات دمایی آن است. بنابراین، باید با توجه ویژه¬ای به رفتار حرارتی مرجع ولتاژ و مرجع جریان پرداخته می شود. دیگر مشخصه ایی که کارایی یک مرجع را مشخص می¬کند تغییرات خروجی نسبت به تغییرات ولتاژ تغدیه است....