نتایج جستجو برای: تقویت کننده نوری نیم رسانا

تعداد نتایج: 109639  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده علوم 1381

رشد رونشستی از فاز مایع روشی است که برای ساختن ادوات الکترونیکی و لیزری نیمه هادی بطور وسیعی از آن استفاده می شود. در این پایان نامه، لایه های نازک gaas/algaas روی یک زیر لایه n-gaas با جهتمندی (100) با روش lpe رشد داده شده اند که این لایه های نازک دارای مشخصات زیر هستند: لایه اول) n-gaas:te به ضخامت 4 تا 6 میکرون و تراکم آلاینده n=4x10 18 cm-3 لایه دوم) n-al0.4ga0.6as:sn به ضخامت 5/1 تا 5/...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم پایه 1392

امروزه ساختار های بلوری با ابعاد نانویی مانند نانو سیم ها و نانو میله ها به دلیل ویژگی های بی نظیرشان در کاربردهای الکترونیکی و اپتیکی موضوع مطالعه گسترده به شمار می آیند.افزایش نیاز به ساخت ساختار های ابزاری کوچکتر مارا به سمت مطالعه و تحقیق در مورد نانو ساختار ها سوق می دهد.موفولوژی های بی نظیر نانوساختارها نشان می دهند که آنها برای کاربرد های متنوعی مانند سنسورهای گازی آشکارسازهای نوری گسیلن...

ژورنال: :مهندسی برق مدرس 0
mohammad razaghi tarbiat modares university vahid ahmadi tarbiat modares university abas zarifkar iran telecommunication research center

برای تحلیل تقویت کننده نیمه هادی از شیوه ای مبتنی بر روش ماتریس انتقال استفاده شده است. ورودی تقویت کننده، سیگنال نوری تک فرکانس مدوله شده است و از مدولاسیون سیگنال بایاس الکتریکی صرف نظر شده است. مشاهده می شود که هر چه فرکانس مدولاسیون ورودی کمتر باشد، بهره دچار اعوجاج بیشتری می شود اما در فرکانسهای مایکروویو، بهره مقدار متوسطی خواهد داشت و شکل موج خروجی از ورودی تبعیت می کند.

ژورنال: :مهندسی برق مدرس 0
majid - malakouti iran telecommunication research center nasrollah - granpayeh k.n.toosi university

عملکرد شبکه های فیبر نوری با توپولوژی های متداول نظیر نقطه به نقطه، حلقوی و ستاره ای، با توجه به نیازهای شبکه نظیر نرخ ارسال بیت، ساختار توپولوژی، میزان خطای بیت و مشخصات المان های نوری در دسترس از قبیل تقویت کننده ها، فیلترها، آشکارسازها و فرستنده های نوری مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. پارامترهایی نظیر حداکثر تعداد نودها و محصول شبکه، هم صحبتی ناشی از تقویت کننده های نوری، هم صحبتی ناشی ا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یاسوج - دانشکده علوم پایه 1392

پیشرفت های اخیر در زمینه ی فناوری ساخت نیم رساناها، امکان ساخت نقطه های کوانتومی نیم-رسانا با ابعاد نانومتری را فراهم ساخته است. قابلیت تنظیم اندازه، شکل و تعداد الکترون ها، نقاط کوانتومی را به یکی از موضوعات بسیار مهم در فیزیک ماده چگال تبدیل کرده است. محدودیت کوانتومی سه بعدی در این ساختارها، ترازهای انرژی را کاملاً گسسته نموده و خواص الکترونی و نوری آن ها را تغییر داده است. علاوه بر موارد ذ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده علوم پایه 1393

در این پایان نامه اثر اندازه بر خواص لیزرهای نقطه ی کوانتومی مخروطی ـ شکل inas/gaas با لایه¬ی خیس بررسی شد. ابتدا با استفاده از روش محاسباتی اجزای محدود و بهره¬گیری از تقریب جرم موثر، معادله¬ی تک نواری شرودینگر برای دو دسته نقطه¬ی کوآنتومی مخروطی ـ شکل با لایه ی خیس حل و توابع موج و ترازهای انرژی پایه، برانگیخته¬ی اول و برانگیخته ی دوم (تراز لایه ی خیس) به دست آمدند. سپس با استفاده از تابع موج ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده علوم پایه 1388

خواص نوری نانوذرات نیم رسانا به اندازه ی آن ها بستگی دارد، بنابراین مهم ترین مساله در تولید نانوذرات نیم رسانا، توانایی کنترل اندازه آن ها می باشد. در این تحقیق نانوذرات سولفیدروی با روش شیمیایی و استفاده از عامل پوششی برای کنترل اندازه ذرات، تولید شدند. طیف جذب uv-vis برای اندازه گیری مقدار شکاف انرژی و محاسبه ی اندازه نانوذرات با استفاده از تقریب جرم موثر بکار رفت. طیف های پراش اشعه ایکس (x...

ژورنال: :پژوهش سیستم های بس ذره ای 2013
کامیار قادری فرهاد خوئینی

در این تحقیق، ویژگی¬های رسانش الکترونی یک سامانه کوانتومی متشکل از یک وسیله با شبکه مربعی متصل به دو الکترود فلزی نیم نامتناهی را مطالعه می¬نماییم. رسانش الکترونی سامانه، بر اساس مدل تنگابست با تقریب نزدیک¬ترین همسایه¬ها و در رژیم جفت شدگی قوی بررسی می¬شود. همچنین رهیافت تابع گرین برگشتی برای محاسبات عددی رسانش مورد استفاده قرار می¬گیرد. نتایج نشان می¬دهد که با تغییر پهنای سامانه و اعمال میدان ...

ژورنال: :پژوهش سیستم های بس ذره ای 0
فرید جمالی شینی [email protected] [email protected] رامین یوسفی

آرایه ای از نانوسیم های اکسید روی از طریق لایه نشانی فلز طلادر محیط خلأ بر روی زیرلایه ی فلز روی به همراه اکسایش حرارتی در هوا در دمای oc 400 و به مدت 4 ساعت ساخته شد. الگویپراش پرتو ایکس مجموعه ای از قله های معینی مطابق با ساختار ورتسایت اکسید روینشان داد. تصویر میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخص نمود که نانوسیم های اکسیدروی باطول چندین میکرون تشکیل شده اند. مطالعات طیف سنجی فوتوالکترون اشعه ی ایکس...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید