یکی از موارد مهم در فرآیند ساخت افزاره‌ها در مقیاس نانومتر، آندرلپ بین ناحیه گیت و نواحی درین– سورس است. در این مقاله برای اولین بار اثر آندرلپ بین ناحیه گیت و نواحی درین- سورس برای ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل‌زنی بررسی شده است. برای مطالعه و شبیه‌سازی مشخصات الکتریکی افزاره از حل خودسازگار معادله‌های پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده شده است. عملکرد افزاره برحسب ...

ساختارهای جدید یک بعدی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی نانوسیمی و نانولوله های کربنی بطور گسترده ای به عنوان جایگزینی برای ماسفت های مسطح مورد بررسی و کاوش قرار گرفته اند. در سیمهای کوانتومی شاهد قابلیت حرکت الکترون بیشتری نسبت به چاههای کوانتومی هستیم. زیرا پراکندگیهای الکترون – الکترون در نانوسیمها از اهمیت کمتری نسبت به چاههای کوانتومی برخوردارند. روش مونت کارلو از جمله روشهای نیمه کلاسیکی ح...

در مراحل مختلف طراحی مدارات دیجیتال به کمک ابزارهای سنتز، بررسی مشخصات زمانی مدار امری ضروری می باشد. روش متداول جهت بررسی مشخصات زمانی شبیه سازی می باشد. بررسی مشخصات زمانی با استفاده از شبیه سازی در دو مرحله پس از سنتز و پس از جانمایی مطرح می شود. شبیه سازی پس از سنتز در سطح rtl صورت گفته و شبیه سازی پس از جانمایی بسته به نوع جانمایی می تواند در سطح گیت یا ترانزیستور انجام شود. حجم زیاد توصیف...

در این پایان نامه، در ادامه روند حرکت ادوات نوری به سمت مقیاس نانو، یک ساختار اهمی کانال کوتاه را پیشنهاد کردیم. سپس با کمک فرمول بندی تابع گرین غیر تعادلی، مدلی ارائه کردیم تا بتواند عملکرد نور گسیلی این ساختار را با در نظر گرفتن آثار کوانتومی پیش بینی نماید. مدل ارائه شده علاوه بر در نظر گرفتن آثار کوانتومی قادر است رخدادهای فیزیکی موجود در فرآیند نورگسیلی را به خوبی پیش بینی و بسیاری از ابها...

سیستم های میکرو الکترومکانیک ونانو الکترو مکانیک امروزه بسیار مورد توجه قرار گرفته اند.با توجه به پتانسیل بالقوه شان کاربرد های این سیستم ها رو به افزایش می باشد. سویچ های mos که امروزه در اکثر سیستم های دیجیتالی بکار می روند در واقع با اعمال الکترون به نیمه هادی یا حذف آن باعث ایجاد یک جریان یا قطع آن می شود، حال اگر نوع جدید از سوییچ که در آن قطع و وصل از طریق تونل زنی الکترون انجام شود سوییچ...

چکیده : در این پایان نامه، ما یک ترانزیستور soi ldmos جدید به منظور بدست آوردن ولتاژ شکست بالا ارائه کرده ایم. ساختار پیشنهادی از چندین چاه n و p+ که به صورت پریودیک در اکسید مدفون قرار گرفته اند، شکل گرفته است. بنابراین ما ساختار پیشنهادی را ترانزیستور با چاه های چندگانه (mdw-ldmos) نامیدیم. ایده کلیدی در این کار افزایش میدان الکتریکی در لایه اکسید مدفون و بهینه کردن میدان الکتریکی در ناحیه...

اکثر موارد کاربردی که در الکترونیک ارگانیک با آن روبرو هستیم، به یک حافظه غیر فرار نیاز دارد که بتوان آن را به صورت الکتریکی برنامه ریزی نمود، پاک کرد و خواند. حافظه های پلیمری، به عنوان محدوه ای ضروری در الکترونیک ارگانیک، در سال های اخیر از موضوعات فعال تحقیقاتی شده است، چراکه این ساختار احتمالا تکنولوژی جایگزین و مکمل تکنولوژی حافظه های معمول می باشد که با مشکلات فراوانی در حوزه کوچک سازی از...

ماهوارة مخابراتی یک ماهوارة مصنوعی است که سیگنال ارتباطات رادیویی را از طریق یک فرستنده تقویت و بازپخش می­کند. این ماهواره‌ها معمولاً از این قسمت­ها تشکیل شده‌اند: 1) زیر سیستم مخابراتی شامل ترنسپوندر، آنتن و سیستم سوئیچینگ، 2) موتورهایی جهت قرار دادن ماهواره در مدار دلخواه، 3) زیرسیستم پایدارساز جهت تثبیت حرکت ماهواره در مدار اصلی خود، 4) زیر سیستم تغذیة ماهواره و 5) زیر سیستم فرمان و کنترل. بح...

مدار تمام جمع کننده، به دلیل توانایی در پیاده‌سازی چهار عمل اصلی محاسباتی (جمع، تفریق، ضرب و تقسیم) به عنوان یکی از مهمترین و پرکاربردترین بخش‌های اصلی پردازنده‌های دیجیتالی در طرّاحی مدارهای مجتمع، شناخته می‌شود. بدین منظور، در این مقاله تلاش شده است که سلول تمام جمع‌کننده‌ی جدیدی با بهره‌گیری از تکنولوژی ترانزیستورهای نانولوله‌ی کربنی، جهت دستیابی به مداری با عملکردی مناسب و توان مصرفی کم، ارا...

روند رو به پیشرفت تکنولوژی در کوچک سازی ترانزیستورها تا جایی ادامه پیدا نمود که نسل جدیدی از ترانزیستورها که به آنها ترانزیستورهای تک الکترونی گفته می شود پدید آمدند .نسل جدید ترانزیستورها همانند ترانزیستورهای قبلی از قوانین جاری فیزیک در جابجایی الکترونها پیروی نمی نمایند. ناگزیر به بررسی اجمالی چند نمونه از قطعات تک الکترونی و پس از آن به تجزیه و تحلیل ترانزیستور تک الکترونی پرداخته و سعی در...