فولادهای زنگ نزن با هدف تولید موادی برای مقاومت به خوردگی گسترش یافته اند که معمول ترین و پرکاربردترین آن ها فولاد زنگ نزن آستنیتی 304 است. با توجه به اهمیت اندازه دانه و اثر چشمگیر آن بر خواص فیزیکی و مکانیکی، رفتار خوردگی فولاد زنگ نزن آستنیتی 304 ال با اندازه دانه های مختلف در محلول اسید کلریدریک 0/1 مولار مورد بررسی و مطالعه قرار گرفت. نمونه های با اندازه دانه های مختلف از طریق دگرگونی ماتن...

در این مقاله، یک تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی (OTA) ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از ترانزیستور FGMOS پیشنهاد شده است. در OTA پیشنهادی در تکنولوژی TSMC 0.18 µm CMOS با ولتاژ تغذیه یک ولت و توان مصرفی ماکزیمم 40 µW، محدوده تنظیم نسبی 50 برابر به دست می‌آید. نتایج شبیه‌سازی تقویت‌کننده پیشنهادی، بهره حلقه باز 30.2 dB و فرکانس بهره واحد 942 MHz را نشان می‌دهند. در مقایسه با کارهای قبلی، تق...

هدف این مقاله ارائۀ طرحی نو از تمایز پژوهش پایه/ پژوهش کاربردی است که در اغلب اسناد سیاستی بنابر مدل خطی از نوآوری ترسیم می‌شود. طرح جدید که شرح کارکردگرایانه نام گرفته بر مدل کارکردگرایانه از تمایزِ علم محض/ علم کاربردی و خصوصاً دو مفهومِ بازنمایی علمی و نقشۀ طراحی استوار است. شرح کارکردگرایانه تقدّم تولید معرفتِ علمی بر کاربرد را، که با وجود پیشنهاد مدل خطی نمونه‌های ناقض فراوانی در تاریخ دارد، کن...

در این پژوهش، خواص لایه پسیو فولاد زنگ‌نزن دوپلکس SAF 2205 در محلول اسید سولفوریک و درجه حساس شدن آنها (پس از 1 و 5 ساعت عملیات حرارتی) با استفاده از آزمون راکتیواسیون پتانسیوکینتیک الکتروشیمیایی دو حلقه (DLEPR) مورد ارزیابی قرار گرفت که همخوانی خوبی با نتایج حاصل از آزمون اچ هیدروکسید سدیم برای طبقه‌بندی ساختار فولادهای زنگ‌نزن دوپلکس داشت. همچنین، آزمون پلاریزاسیون پتانسیودینامیک به منظور تعی...

در این تحقیق، هدف بهبود شیب زیرآستانه به مقادیر کمتر از mv/decade60و نسبت جریان روشن به جریان خاموش با مرتبه بالاتر از 5^10 می باشد. بدین منظور ابتدا روشهای مختلف بهبود عملکرد این افزاره را بررسی کرده و در نهایت روش مهندسی در گاف انرژی با مواد با باندگاپ قابل تنظیم به عنوان روش برتر معرفی می شود. پارامترهای طراحی ترانزیستور اثر میدان تونلی را با استفاده از شبکه عصبی بدست آمده است و ترانزیستورها...

در این مقاله یک مدار دومینو جدید برای کاهش توان مصرفی گیت‌های عریض بدون کاهش چشم‌گیر سرعت پیشنهاد می‌شود. در تکنیک مداری پیشنهادی از مقایسه جریان شبکه پایین‌کش با جریان مرجع جهت تولید خروجی مناسب استفاده می‌شود. بدین طریق دامنه تغییرات دو سر شبکه پایین‌کش کم شده و توان مصرفی کاهش می‌یابد. همچنین از یک ترانزیستور در حالت دیودی به‌صورت سری با شبکه پایین‌کش استفاده شده است تا جریان نشتی زیر آستانه...

چکیده در این مقاله سازوکار تولید پتانسیل عمل یک سلول عصبی و عوامل مؤثر بر ضربان‌سازی آن بررسی شده است. با استفاده از اسیلاتورهای مدل‌کننده یک نرون عصبی، می‌توان سازوکار پتانسیل عمل سلول را از طریق ساخت‌مدار معادل برای جریان‌های یکسو شده یونی بررسی کرد. مدار معادل با استفاده از خازن، مقاومت و ترانزیستور شبیه‌سازی و با تغییر در ظرفیت غشاء و مقاومت نشتی کانال سدیمی و پتاسیمی، تغییر در پتانسیل عمل ...

پسماندهای الکترونیکی و الکتریکی انواعی از پسماندهای ویژه می‌باشند که قطعات اصلی آن‌ها شامل خازن، ترانزیستور، آی.سی، مدارات الکترونیکی، قطعات کاتدی و آندی بوده و دارای خاصیت سمیت، بیماری‌زایی و پایایی در محیط پیرامون و حتی در پیکره جانداران، خورندگی تاسیسات و تجهیزات و مشابه آن می‌باشند.بر این اساس، هدف از این تحقیق بررسی و شناسایی عوامل موثر در آزادسازی این فلزات و اختصاصاً عنصر کادمیوم در محیط ...

تحلیل و مدل سازی ترانزیستور به عنوان مهم ترین بخش مدارهای الکترونیکی فرکانس بالا، جزء بحث های مهم و کلیدی در طراحی دقیق مدارهای الکترونیکی می باشد. معمولاً هنگامیکه فرکانس کاری مدار و به تبع آن فرکانس کاری ترانزیستور پایین است، از مدل فشرده به نام مدل مدار معادل، برای مدل سازی ترانزیستور و طراحی مدارهای الکترونیکی استفاده می شود. ولی صحت و دقت این مدل ها با افزایش فرکانس و قابل مقایسه شدنِ ابعاد ...

در این تحقیق لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم (atzo) به روش سل ژل تهیه گردید. آنالیز فازی توسط تکنیک پراش پرتو ایکس (xrd)، مشاهدات ریز ساختاری و آنالیز عنصری توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fe-sem) و ابزار طیف سنج تفکیک انرژی (edx) انجام شده و زبری سطح با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی (afm) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج xrd نشان داد که حضور اتمسفر احیای...