وجه اصلی تمایز کار ما این است که اتصالات نانو ترانزیستورهای اثر میدانی، از نوع اتم های کربن می باشند، که در زیر به تفصیل شرح می دهیم. 1- ترانزیستورهای طراحی شده سه پایانه ای می باشندکه کنترل جریان خروجی توسط اتصال گیت به کانال صورت می گیرد. 2- جنس الکترودها گرافن و از نانو نوارهای مختلف می باشند همچنین جنس کانال نیز از دیسک یا حلقه گرافنی می باشد که موجب کاهش اثرات مقاومت سطح تماس می شود. 3-...

هدف از این پروژه طرح و ساخت یک واحد محاسباتی کامپیوتر دیجیتال است . کاربرد این واحد محاسباتی برای نشان دادن اصول کار سیستم های محاسباتب کامپیوتر دیجیتال در آزمایشگاه جهت آموزش میباشد. بعنوان مثال اصول انجام چهار عمل اصلی با اتصالات مناسب و یا سرعت های مختلف بوسیله این سیستم قابل نشان دادن است . این اعمال میتواند برای اعداد دودوهی تا حداکثر شش رقمی انجام شود و قابل توسعه برای اعداد بیش از شش رقم...

در این پروژه هدف طراحی و شبیه سازی مداری جهت اندازه گیری بار ذخیره شده در گیت شناور یک ماسفت گیت شناور است. ماسفت گیت شناور ساختاری شبیه به ماسفت معمولی دارد با این تفاوت که بین گیت کنترلی و زیرلایه آن یک گیت شناور پلی سیلیسیمی وجود دارد که توسط عایق دی اکسید سیلیسیم احاطه شده است.می توان بار را با کمک خاصیت تونل زنی دراین گیت شناور برای مدت طولانی ذخیره نمود. برای اندازه گیری این بار ابتدا ساخ...

همواره در تقویت کننده توان کلاس-‏e‏ با توپولوژی خازن موازی، اثرات خازن های خطی و غیر خطی ذاتی عنصر ‏سویچینگ به منظور مدلسازی مدار در شرایط سویچنگ ولتاژ- صفر‎(zvs)‎‏ و تغییرات سویچنگ ولتاژ- صفر‎(zvds)‎‏ مورد توجه ‏قرار می گیرد. در این شرایط، دوره کاری ترانزیستور نه تنها به عنوان یک متغیر طراحی بلکه به عنوان یک پارامتر قابل تغییر به ‏منظور دستیابی به شرایط مشخص و خاصی از عملکرد مدار مورد توجه قرا...

در این پایان نامه ما با ارائه روشهای پیشنهادی، نخست ضریب کیفیت مدار را افزایش دادیم، سپس با ارائه شروطی، روشهای کاهش نویز ولتاژ را پیشنهاد کردیم، در نهایت، مصرف توان را تا حد امکان کاهش دادیم. برای تحقق این اهداف، سه مدار بر پایه ساختار (fai) flipped active inductor پیشنهاد شد. این ساختار با وجود داشتن محدوده سلفی بالا و استفاده از تنها دو ترانزیستور در ساختار اصلی خود، مصرف توانی حدود mw 9 دار...

زمین لرزه یکی از تلخ ترین و مخرب ترین حوادثی است که زندگی بشر را به خطر انداخته است. بدین جهت این حادثه طبیعی، ذهن محققین و دانشمندان را به خود مشغول ساخته است تا بتوانند نشانه هایی قبل از وقوع زمین لرزه پیدا و سعی در پیش بینی آن نمایند. بر اساس پژوهش های انجام گرفته یکی از پیش نشانگرهای زمین لرزه، تغییرات غیرعادی محتوی الکترونی قبل از وقوع زمین لرزه های بزرگ (بزرگتر از 6 ریشتر) است. در این پژو...

جذب تک لایه h-BN بر روی نانولایه WS2 در چارچوب نظریه تابع چگالی و با استفاده از کد محاسباتی کوانتوم اسپرسو بررسی شده است. محاسبات با تابع های تبادلی-همبستگی شامل LDA،GGA و با استفاده از دو رهیافت نیمه‌تجربی و ابتدا به ساکن با به کارگیری تابع‌های DFT-D2، vdW-DF2و vdW-DF2B86R صورت گرفته تا کارایی تابع‌های مختلف برای پیش‌بینی انرژی جذب، مکانیسم جذب و فاصله جذب بین دو لایه h-BN و WS2 بررسی شوند. به...

چکیده ندارد.

چکیده با کاهش ابعاد ترانزیستورهای ماسفت و نزدیک شدن به حد نانومتری، شیب زیر آستانه ترانزیستورها زیاد می¬شود. بالا بودن شیب زیر آستانه در این ترانزیستورها و داشتن نسبت ion/ioff پایین، کاربرد آنها را در مدارهای دیجیتال و آنالوگ دچار چالش می¬کند. برای کاهش شیب زیر آستانه و همچنین افزایش نسبت ion/ioff، ساختارهای تازه ای معرفی شده است که ترانزیستورهای اثر میدانی تونل زنی یکی از آنها است. این تران...

با مشخص شدن مزایای ترانزیستورهای تونلی برای استفاده در کاربردهای توان پایین، نیاز به یک مدل تحلیلی برای توصیف مشخصه های آنها همانند جریان، شیب زیرآستانه و خازن نیز بیشتر می شود. وجود یک مدل تحلیلی علاوه بر ایجاد دید فیزیکی لازم برای درک عملکرد ترانزیستور، برای استفاده درمدل¬های مداری نیز بسیار ضروری است. ما در این پایان نامه به ارائه یک مدل تحلیلی دو بعدی برای ترانزیستورهای تونلی دوگیتی پرداختی...