در این پروژه، مدل سازی تمام گسترده ترانزیستورهای گالیم آرسناید در فرکانس های بالا بررسی شده است. با استفاده از این روش و با فرض ترانزیستور به عنوان سه خط کوپل شده فعال، معادلات amtl و namtl بترتیب در رژیم خطی و غیرخطی استخراج شده اند. این معادلات در حوزه زمان با استفاده از روش عددی تفاضلات محدود در حوزه زمان حل و نتایج آنها با نتایج حاصل از روش شبه گسترده که توسط نرم افزار ads انجام شده، مقایسه...

چکیده ندارد.

امروزه با توجه به کاهش منابع انرژی و ضرورت صرفه‌جویی در مصرف آن، استفاده از انواع پوشش‌های عایق حرارتی در ساختمان‌سازی و صنایع مختلف مورد توجه قرار گرفته است. پوشش‌های عایق حرارتی پلیمری، یک دسته از پوشش‌های عایق هستند که به دلیل استفاده از تقویت‌کننده‌های مناسب در بستر پلیمری می‌توانند دارای خواصی مانند رسانایی گرمایی پائین، مقاومت حرارتی بالا و ضریب جذب پایینی باشند. بهره‌برداری و اجرای آسان ...

هدف: بررسی میزان نقض حق نشر ناشران توسط اعضای ریسرچ‌گیت در خودآرشیوی متن کامل مقاله‌ها. روش‌شناسی: طی یک نمونه‌گیری تصادفی دومرحله‌ای، یک نمونه ۵۰۰‌تایی از مقاله‌های انگلیسی‌زبان تمام‌متن مجله‌ها که در ریسرچ‌گیت موجود بود، انتخاب و اطلاعات آنها و نویسندگانشان از ریسرچ‌گیت گردآوری شد. سپس نقض حق نشر با توجه به سیاست ذکرشده ناشر مجله در سایت مجله یا سایت شرپا/ رومئو بررسی شد. یافته‌ها: ۶۴ مقاله (...

در این پایان نامه ترابرد کوانتومی در دو ساختار گرافینی بالیستیک مطالعه می شود. ابتدا به بررسی اتصالات نامتجانس نرمال-ابررسانا-نرمال گرافینی می پردازیم. همدوسی ابررسانایی باعث می شود در فرود الکترون از ناحیه نرمال اول به مرز اتصال با ابررسانا، علاوه بر پراکندگی (ترابرد) به صورت الکترون به ناحیه نرمال دوم (تونل زنی الکترونی)بازتاب ضربی اندریو (پراکندگی به صورت حفره به ناحیه نرمال دوم) نیز صورت بگ...

یکی از مهمترین پارامترهای نوسان ساز ها، نویز فاز می باشد. نویز فاز نوسان ساز در میکسر سبب تداخل باندهای فرکانسی داده های ورودی می شود. نویز فاز را در سیستم های دیجیتال جیتر نیز می گویند. در واقع جیتر معادل حوزه زمانی نویز فاز می باشد. جیتر در سیستم های دیجیتال سبب می شود که داده ها در لحظه صحیحی از زمان نمونه برداری نشوند. بنابراین شناخت نویز فاز و مدل سازی ریاضی آن از اهمیت ویژه ای برخوردار اس...

سیستمها برای سالیانی با استفاده از تکنولوژی cmos طراحی و تولید شده اند، با بهبودهایی که در فرایند ساخت بوجود آمد طراحی ها توانستند به راحتی در نواحی کوچکتری مقیاس شوند. برای افزاره های cmos با طول گیت زیر 100 نانومتر قابلیت تغییرپذیری شدید افزاره ها معرفی و به عنوان اصلی ترین موانع طراحی مدارات آنالوگ نسل جدید شناخته شد. هندسه کوچک افزاره ها، علاوه بر مجتمع سازی انبوه ترانزیستورها، توانایی طراح...

این روزها تکنولوژی قطعات الکترونیک قدرت در حال تحول شگرف می باشد و حاصل آن igbt و mosfet های قدرت می باشد که در حال حاضر بهترین قطعات سوئیچ در اینورترها هستند. اینورتر های جدید و قویتر سه سطحی که در آنها از igbt و یا mosfet های قدرت استفاده شده است، به منظور جایگزینی با اینورتر های مرسوم طراحی و ساخته می شوند. در این تحقیق طراحی و توسعه یک اینورتر سه سطحی با استفاده از روش کنترل فرکانسی ” مدولا...

پیشرفت سریع تکنولوژی و به دنبال آن کاهش بعد ترانزیستورهای ماسفت باعث شده است که این ترانزیستور ها رفتار متفاوتی در مدارات الکترونیکی از خود نشان دهند. در دهه ی اخیر، مدل های زیادی برای تخمین رفتار ترانزیستور های ماسفت کانال کوتاه ارائه شده است. در این مقاله یک مدل جدید برای پیش بینی رفتار و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت کانال کوتاه پیشنهاد شده است. مدل پیشنهادی با ایجاد تغییراتی روی مدل nth-power ...

یکی از مهم‌‌‌ ­ترین کاربردهای مواد الاستومری فداشونده، عایق گرمایی موتور موشک است. احتراق سوخت جامد در موتور موشک، محیطی متلاطم متشکل از گازهایی با سرعت بیش از m/s 1000، دمای بیش از Cº3000 و فشاری متجاوز از MPa10 ایجاد می­کند که هر آلیاژ فلزی را تخریب می­کند. عایق­های گرمایی نانوکامپوزیتی الاستومری در مقایسه با عایق­ های گرمایی مشابه بر پایه غیرالاستومری، به دلیل تحمل تنش ­های گرمایی و تغییر شک...