چکیده : در این پایان نامه، ما یک ترانزیستور soi ldmos جدید به منظور بدست آوردن ولتاژ شکست بالا ارائه کرده ایم. ساختار پیشنهادی از چندین چاه n و p+ که به صورت پریودیک در اکسید مدفون قرار گرفته اند، شکل گرفته است. بنابراین ما ساختار پیشنهادی را ترانزیستور با چاه های چندگانه (mdw-ldmos) نامیدیم. ایده کلیدی در این کار افزایش میدان الکتریکی در لایه اکسید مدفون و بهینه کردن میدان الکتریکی در ناحیه...

اکثر موارد کاربردی که در الکترونیک ارگانیک با آن روبرو هستیم، به یک حافظه غیر فرار نیاز دارد که بتوان آن را به صورت الکتریکی برنامه ریزی نمود، پاک کرد و خواند. حافظه های پلیمری، به عنوان محدوه ای ضروری در الکترونیک ارگانیک، در سال های اخیر از موضوعات فعال تحقیقاتی شده است، چراکه این ساختار احتمالا تکنولوژی جایگزین و مکمل تکنولوژی حافظه های معمول می باشد که با مشکلات فراوانی در حوزه کوچک سازی از...

ماهوارة مخابراتی یک ماهوارة مصنوعی است که سیگنال ارتباطات رادیویی را از طریق یک فرستنده تقویت و بازپخش می­کند. این ماهواره‌ها معمولاً از این قسمت­ها تشکیل شده‌اند: 1) زیر سیستم مخابراتی شامل ترنسپوندر، آنتن و سیستم سوئیچینگ، 2) موتورهایی جهت قرار دادن ماهواره در مدار دلخواه، 3) زیرسیستم پایدارساز جهت تثبیت حرکت ماهواره در مدار اصلی خود، 4) زیر سیستم تغذیة ماهواره و 5) زیر سیستم فرمان و کنترل. بح...

مدار تمام جمع کننده، به دلیل توانایی در پیاده‌سازی چهار عمل اصلی محاسباتی (جمع، تفریق، ضرب و تقسیم) به عنوان یکی از مهمترین و پرکاربردترین بخش‌های اصلی پردازنده‌های دیجیتالی در طرّاحی مدارهای مجتمع، شناخته می‌شود. بدین منظور، در این مقاله تلاش شده است که سلول تمام جمع‌کننده‌ی جدیدی با بهره‌گیری از تکنولوژی ترانزیستورهای نانولوله‌ی کربنی، جهت دستیابی به مداری با عملکردی مناسب و توان مصرفی کم، ارا...

روند رو به پیشرفت تکنولوژی در کوچک سازی ترانزیستورها تا جایی ادامه پیدا نمود که نسل جدیدی از ترانزیستورها که به آنها ترانزیستورهای تک الکترونی گفته می شود پدید آمدند .نسل جدید ترانزیستورها همانند ترانزیستورهای قبلی از قوانین جاری فیزیک در جابجایی الکترونها پیروی نمی نمایند. ناگزیر به بررسی اجمالی چند نمونه از قطعات تک الکترونی و پس از آن به تجزیه و تحلیل ترانزیستور تک الکترونی پرداخته و سعی در...

همان طوری که می دانیم در سه دهه اخیر ، صنعت نیم رسانا مطابق قانون مور به طور تابع نمایی کاهش می یابد که این باعث می شود مهندسین مدارها و سیستم های الکترونیکی با چالش های ناشی از کاهیدگی قطعات الکترونیکی رو به رو شوند. برای غلبه بر مشکلاتی نظیر طول کانال، پهنا و پیوندگاه های swcnt و نیم رسانا و گیت اکسید دی الکتریک سیلیکونی، به مطالعه ی پیوندگاه های نیم رسانا با موادی با تابع کار بالا( hwfm ) پر...

هدف از اجرای این پروژه طراحی تقویت کننده توان در محدوده فرکانسی 4.4ghz تا 5ghz در کلاس f و با سطح سیگنال ورودی 22dbm وتوان خروجی 1wو کارآییpae بیشتر از 35% می باشد . این تقویت کننده توان با المانهای ریز نوار و با استفاده از ترانزیستور fpd3000 ساخت کارخانه filtronic طراحی گردیده است . در طراحی این تقویت کننده توان از روش آنالیز load pull و source pull برای بدست آوردن امپدانس بهینه ورودی وخروجی ت...

با پیشرفت تکنولوژی الکترونیک و کاهش ابعاد تا زیر میکرومتر و نانومتر مشکلاتی برای افزاره ها و مدارهای مجتمع پیش می آید که باید هم زمان با پیشرفت تکنولوژی سعی در بهبود این مشکلات نیز داشته باشیم. یک گام بزرگ در جهت پیشرفت علم الکترونیک استفاده از ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق در ساخت مدارهای مجتمع است. اما با کوچک سازی مدارهای مجتمع تا مقیاس نانومتر مشکلات مهمی برای این ترانزیستورها به وجود می آ...

اصطلاح مدل قطعه در استخراج اتوماتیک پارامترهای مدار معادل سیگنال کوچک، برای طراحان ic های مدرن بسیار حائز اهمیت است. ihp در سپتامبر سال 2009 با انجام یک سری شبیه سازی در فرکانس بالا بر روی ترانزیستورها، به مشخصاتی برای sige:c bicmos ها دست یافتند که فرکانس قطع و فرکانس ماکزیمم بالا( >ghz 120) از آن دسته مشخصات اند. hbt های sige:c امروزه به عنوان مهمترین ترانزیستورها در تکنولوژی bicmos استفاد...

مدل نیمه تجربی جامعی برای قابلیت حرکت الکترون ها در لایه وارون ترانزیستورهای mos کانال n شرح داده می شود. این مدل بر پایه های فیزیکی استوار است و شامل اثرات کوانتمی حرکت الکترونها در لایه وارون می باشد. در این مدل همچنین اثرات پراکندگی کولمبی ناشی از ناخالصی بستر برای بسترهای دارای چگالی ناخالصی زیاد را در نظر گرفته ایم. در اینجا علاوه بر تاثیرات پراکندگی سطحی ناشی از بارهای ناحیه فصل مشترک اکس...