نتایج جستجو برای: استرس ولتاژ قطعات نیمه هادی
تعداد نتایج: 51741 فیلتر نتایج به سال:
در این مقاله یک مبدل افزاینده جدید ارایه گردیده است که برای ایجاد شرایط کلیدزنی نرم از کلید کمکی استفاده نگردیده است بنابراین نیاز به مدار راه انداز اضافی نیست و انرژی مدار کمکی نیز به نحو مناسبی به خروجی منتقل گردیده است. مدار کمکی شرایط کلیدزنی در جریان صفر را برای روشن شدن و شرایط کلیدزنی در ولتاژ صفر را برای خاموش شدن کلید فراهم می نماید. از طرفی تمامی دیودها بصورت ZCS خاموش می گردند و مشکل...
در این مقاله یک مبدل افزاینده جدید ارایه گردیده است که برای ایجاد شرایط کلیدزنی نرم از کلید کمکی استفاده نگردیده است بنابراین نیاز به مدار راه انداز اضافی نیست و انرژی مدار کمکی نیز به نحو مناسبی به خروجی منتقل گردیده است. مدار کمکی شرایط کلیدزنی در جریان صفر را برای روشن شدن و شرایط کلیدزنی در ولتاژ صفر را برای خاموش شدن کلید فراهم می نماید. از طرفی تمامی دیودها بصورت ZCS خاموش می گردند و مشکل...
تحقیق در بازار خرید و انتخاب مناسب ترین تامین کننده، یکی از مهمترین فعالیت ها در سازمان های امروزی است. عدم توجه به شرایط تامین قطعات و مواد اولیه در هر سیستم و همکاری با تامین کنندگان ممکن است به افزایش هزینه های خرید و خدمات نهائی منجر گردد. رتبه بندی و انتخاب تامین کنندگان به منظور همکاری در تامین قطعات باید با توجه به چندین معیار و شاخص صورت گیرد. در مقاله حاضر جهت ارزیابی و رتبه بندی تامین...
در این رساله ساختارهای نوری مختلف با استفاده از تقویت کننده های نوری نیمه هادی و کاواک های نوری برای رزروایر پیشنهاد شده است و عملکرد این ساختارها با استفاده از دو مسئله بازشناسی سری زمانی و بازشناسی سیگنال گفتار نویزی مورد ارزیابی قرار می گیرد. در این تحقیق در طراحی رزروایر تقویت کننده نوری نیمه هادی از ساختار آبشار با فیدبک های داخلی استفاده می شود. فیدبک های داخلی به سیستم حافظه می دهند و ...
در این پایان نامه، ویژگی تقویت کننده نوری نیمه هادی که سبب می شود به عنوان یک آشکارساز استفاده شود بررسی شده است. نشان داده شده که یک آشکارساز علاوه بر آشکارسازی، سیگنال نوری را تقویت کننده نیز می کند. پس از آن مدل سازی دقیقی از رفتار آشکارسازی تقویت کننده نوری برای پالس های در حوزه پیکو ثانیه و فمتو ثانیه انجام شده است. بدین منظور از معادله شرودیگر بهبود یافته که بیان کننده نحوه تغیرات پالس در...
نمونه هایی از فیلم های نازک اکسید روی آلاییده با تیتانیم رشد داده شده بر روی زیر لایه (0001) با استفاده از روش لایه نشانی با لیزر پالسی تهیه شد. با اندازه گیری مغناطش این نمونه ها توسط اسکویید مگنتومتر، نتیجه شد که نمونه ها در دمای اتاق فرو مغناطیس است. با استفاده از اثرمگنتو اپتیکی فارادی زاویه چرخش فاراده و mcd را به صورت تابعی از انرژی در فاصله 4- 5/1 الکترون ولت و همچنین چگالی حامل های هر ی...
سلول های خورشیدی حساس شده با رنگ (dsscs)به علت ساخت آسان آنها، کم هزینه و بهره وری تبدیل بالا ی آنها مورد توجه زیادی قرار گرفته است. در مقایسه با سیستم های معمولی، در اینجا نیمه هادی جاذب نور یا انتقال بار به عنوان دو تابع جداگانه در نظر گرفته شده است. حساس کننده که به وسیله یک سطح از نیمه هادیها حساس شده است نور را جذب می کند. این مقاله در مورد نحوه ی عملکرد این دسته از سلول های خورشیدی و مفاه...
با استفاده از عناصر نیمه هادی تقویت کننده های عملیاتی یکپارچه و لامپهای سه قطبی به عنوان منبع تغذیه ساخته شده است که مقدارآن از صفر تا 5000 ولت متغییر بوده و دقت آن "دو در ده بتوان منفی چهار " است .
همزمان با پیدایش اولین یکسوکننده های قوس جیوه ای، بارهای غیرخطی متصل به شبکه افزایش یافت . اتصال بارهای غیرخطی به شبکه باعث اعوجاج ولتاژ شبکه و در نتیجه کاهش کیفیت شبکه قدرت می گردد. وجود هارمونیکهای ناخواسته در شبکه باعث مشکلاتی از قبیل تلفات خطوط انتقال، کاهش قدرت مفید قابل انتقال، اختلال در کارایی سیستمهای مخابراتی و ... می شود. با افزایش هارمونیکها در شبکه، استانداردهای مختلفی برای بهبود کی...
در این تحقیق، سیلیکون متخلخل به روش نوین حکاکی ترکیبی شیمیایی و الکتروشیمیایی سنتز شد و تغییرات خواص اپتیکی و ساختاری بر اساس درجه تخلخل نمونه ها مورد بررسی قرار گرفت. در این روش سطح زیر لایه های سیلیکونی ابتدا توسط روش اچینگ شیمیایی به مدت td (زمان تاخیر) آماده سازی گردید. سپس در روش اچینگ الکتروشیمیایی حفره های اولیه تولید شده در مرحله قبل، امتداد یافته و سیلیکون متخلخل یکنواختی ایجاد شد. با ...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید