در پژوهش حاضر، ترکیب شیمیایی، ضخامت و رفتار تریبوخوردگی لایه اکسیدی بر روی آلیاژ ti-6al-4v، ایجاد شده به روش آندایزینگ1 در محلول h2so4/h3po4 و ولتاژهای بالاتر از ولتاژ شکست دی الکتریک مورد بررسی قرار گرفت. اندازه گیری ضخامت لایه های اکسیدی نشان داد که ضخامت پوشش با افزایش ولتاژ آندایزینگ به صورت خطی افزایش می یابد. تحلیل طیف سنجی پراکنش انرژی (eds2) از فیلم اکسیدی، حضور عناصر فسفر و گوگرد از ال...

تراکم و محتوای رطوبتی خاک، دو ویژگی فیزیکی تاثیر گذار بر عملکرد محصول در مزرعه می باشند. استفاده از حسگرهای خازنی، روشی دقیق برای تخمین محتوای رطوبت خاک می باشند. در این روش، خاک به عنوان بخشی از دی الکتریک حسگر خازنی محسوب می شود. در این تحقیق، یک حسگر اندازه گیر رطوبت خازن-مبنا که می تواند رطوبت خاک را به طور پیوسته اندازه گیری کند، ساخته و مورد ارزیابی قرار گرفت. این حسگر از دو بخش تشکیل شده...

فلاکسون ها در اتصالات جوزفسون مانند سالیتون های معادله سینوسی گوردن رفتار می کنند. به منظور کنترل آن ها، یک دی الکتریک با ضخامت متغیر را بین دو ابررسانا قرار داده ایم. در این پایان نامه، ابتدا ضخامت دی الکتریک را تابع مکان در نظر می گیریم و پاسخ های تحلیلی معادله سینوسی گوردن را در این محیط به دست می آوریم. در مرحله بعد با استفاده از انرژی پتانسیل و جنبشی فلاکسون در مکانیک کلاسیک، رابطه بین سرع...

در این مقاله آنتن صفحه فرنل بالایه دی الکتریک و حلقه های فلزی چاپ شده روی آن در حالت فرستندگی و جریان های معادل مغناطیسی برای میدانهای تابیده شده از تغذیه میدان دور پترن و بهره این آنتن بررسی و میدان تغذیه با مدل مناسبی تقریب زده شده است در این مدل تغذیه بدون مولفه پلاریزاسیون متقابل با بهره متغیر در نظر گرفته شده است این بررسی با نتیجه تجربی ساخت چند نوع آنتن مقایسه شده است .

در این مقاله خواص ساختاری، الکترونی، اپتیکی و کشسانی سولفید استرانسیوم در فاز کلرید سدیم بررسی شده است. محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل  بارپایسته در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از نرم افزار صورت گرفته است. تابع دی الکتریک برای تابش تا حدود 40 الکترون ولت محاسبه شده است. گاف نواری به دست آمده درراستای  (x-γ)  4933/2الکترون ولت است که با دیگر داده های  موجود سازگاری خوبی دارد.

تشکیل قطره، یکی از پدیده‌های مهم در جریان‌های چندفازی است. همچنین، روش شبکه بولتزمن جزء روش‎های جدید و کاربردی می‌باشد. در این پژوهش شبیه‌سازی شکل‌گیری قطره بوسیله‌ی روش شبکه بولتزمن و تحت تاثیر میدان الکتریکی برای یک میکروکانال متقاطع انجام شده‌است. برای اعمال میدان الکتریکی، از مدل لیکی دی-الکتریک استفاده شده‌است. از مدل‌های مختلف تک‌فاز و دوفاز برای صحت‌سنجی آن بهره گرفته شده است. نتایج نشان...

در این تحقیق تعادلات توتومری نیتروز آمین و حالت گذار حاصل از انتقال 1و3 اتم هیدروژن با استفاده از محاسبات کوآنتومی مورد بررسی قرار گرفت. تعادلات در حضور یک تا سه مولکول (آب و آمونیاک) و به صورت دیمر و تریمر نیز انجام شد. بدین منظور انرژی و ساختارهای بهینه با استفاده از نظریه تابعیت چگال با استفاده از تابعیت B3LYP و سری پایه 6-311++G(d,P) در فاز گاز بدست آمدند. توسط محاسبات فرکانسی، توابع ترمودی...

در این مقاله ویژگی های الکترونی، اپتیکی و فاز توپولوژی نانولایه Li2AgSn مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات براساس نظریه تابعی چگالی، بصورت پتانسیل کامل به روش امواج تخت بهبودیافته خطی به اضافه اوربیتال های موضعی و تقریب شیب تعمیم یافته انجام شده است. چگالی حالت های الکترونی این نانولایه با استفاده از این تقریب محاسبه شده است. ضریب خطی گرمای ویژه نانولایه Li2AgSn مورد بررسی قرار گرفته است. با اس...

تأثیر انواع مواد هادی و دی الکتریک مختلف در دو پارامتر ذکر شده برای موجبر گوبائو اصلاح شده مورد بررسی قرار گرفته است، بطوریکه یک بار با تغییر دادن جنس فلز (مس، آلومینیوم و تنگستن) و ثابت نگه داشتن جنس دی الکتریک (تفلون) و بار دیگر با تغییر دادن جنس دی الکتریک (تفلون، پلی استر و پلی آمید) و ثابت نگه داشتن جنس فلز (مس) مورد بررسی قرار گرفته است که تنگستن از میان سه فلز منتخب و پلی آمید از بین سه ...

هدف از این کار تجربی، ارائه و بررسی نتایج حاصل از اندازه گیری مولفه های موازی و عمودی ثابت دی الکتریک در بلور های مایع خالص و آمیخته با نانو ذرات مغناطیسی با درصدهای متفاوت، بدون میدان مغناطیسی و با اعمال میدان است. به این منظور مولفه های موازی و عمودی ثابت دی الکتریک را برای یک بلور مایع خاص (e7 )، در حالت خالص و آمیخته با نانو ذرات مغناطیسی، اندازه گیری می کنیم. برای این کار مولفه های موازی و...