مواد بر حسب رسانندگی الکتریکی به سه گروه رسانا، نارسانا و نیمه رسانا تقسیم بندی می شوند. از بین مواد نارسانا، گروهی از مواد که به عایق های توپولوژیکی معروف هستند و در آن ها برهمکنش اسپین - مدار قدرتمند است، همزمان عضو خانواده رسانا و نارسانا هستند. نیروی وابسته به سرعت ناشی از برهمکنش اسپین - مدار قدرتمند، توانایی خلق حالت هایی شبیه حالت کوانتومی هال را دارد. از طرف دیگر وابستگی نیروی ناشی از ب...

به دلیل رفتار خاص امواج الکترومغناطیسی در محیط های تک منفی، برخی از پدیده های اپتیکی مانند تشدید، تونل زنی کامل، بازتاب صفر و شفافیت در ساختاری دولایه ای از متامواد تک منفی (با یک لایه ی اپسیلون- منفی و یک لایه ی مو- منفی) قابل مشاهده است. اگر فضای داخل یک موجبر با این ساختار دولایه ای پر شود، برخلاف موجبرهای معمولی، این موجبر حداکثر یک مُد را می تواند انتقال دهد و ضخامت آن را نیز می توان به اخت...

در این پژوهش ساختار الکترونی، برخی خواص مکانیکی و خواص اپتیکی اکسید اسپینل mgal2o4 به کمک نظریه ی تابعی چگالی بررسی شده است. محاسبات با استفاده از امواج تخت و روش شبه پتانسیل در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی هوهنبرگ، کوهن و شم با تقریب چگالی موضعی به کمک کد کامپیوتری abinit انجام گرفته است. خواص مکانیکی بلور اسپینل mgal2o4 از قبیل بار موثر بورن، ثابت دی الکتریک در مرکز منطقه ی بریلوین و خواص اپتیک...

در این پژوهش خواص الکترونی و مغناطیسی نانولوله زیگزاگ (0,9) gaas خالص و آلایش یافته با 11/11 درصد عناصر واسطه( sc, ti, cr, mn , fe, co, ni) در دو وضعیت دور و نزدیک، با استفاده از رهیافت نظریه تابعی چگالی و تقریب چگالی موضعیlda توسط کد محاسباتی siesta مطالعه شده است. ساختار نواری نشان دهنده این است که نانولوله خالص زیگزاگ (0،9) gaas نیم رسانای غیرمغناطیسی با گاف نواری مستقیم است.آلایش 11/11 درصد...

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

در این مقاله با استفاده از نظریه تابعی چگالی حالت های جایگزیده در ناحیه گاف انرژی نانوساختارهای بی نظم سیلیکون مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته است. همچنین اهمیت اثر واهلش مکان اتم ها در تغییر گاف انرژی نشان داده شده است. با حذف 2% از اتم های سیلیکون با پیوندهای ضعیف و اضافه کردن هیدروژن به منظور از بین بردن پیوندهای آویزان، موفق به حذف این جایگزیدگی ها و افزایش گاف انرژی a-si شدیم. میزان افزایش ...

در دهه¬های اخیر ساخت ابزارهای الکترونیکی با استفاده از مواد نانومقیاس، تغییرات اساسی در صنعت الکترونیک ایجاد کرده است. انتخاب ماد? مناسب جهت ساخت ابزارهای الکترونیکی با عملکرد بالا با پای? نیم¬رساناهای ترکیبی با گاف نواری پهن، از مهم¬ترین مراحل است. از میان هم? اکسیدهای فلزی، zno به¬دلیل فرآیند ساخت آسان، گاف نواری مستقیم و پهن ev 37/3، انرژی پیوندی اکسایتونی بالا mev 60 و تنوع ریخت از مناسب¬تر...

هدف از اجرای این پروژه بررسی نظری خواص الکترونی و اپتیکی بلور batio3 درفاز تترا گونال، در حالت خالص و اثر جانشانی اتم های baوnb در ترکیب kxba(1-x)tiynb(1-y)o3 است. در بررسی ها از کد محاسباتیwien2k و تقریب شیب تعمیم یافته (gga) در چهار چوب نظریه ی تابعی چگالی (dft) استفاده شده است. نتایج بدست آمده ازساختار نواری نشان می دهد که batio3 دارای گاف نواری غیر مستقیم در راستای a به ? می باشد.سهم عم...

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید مس- آلومینیوم به روش اسپری پایرولیزیز بر روی زیرلایه های کوارتز تهیه شده است. برای این منظور، ابتدا شرایط بهینه تهیه لایه های نازک اکسید مس بدست آمد. لایه های نازک اکسید مس در بازه دمایی 350 تا 550 درجه سانتیگراد بر روی بستر شیشه ای به روش اسپری پایرولیزیز تهیه شدند. مشخصه یابی ها شکل گیری ساختار تک فاز cuo بسبلوری با سمتگیری های (002) و (111) در تمامی نمونه ها...