چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

در این پایان نامه به بررسی، تحلیل و طراحی ساختار انتخابگر فرکانس به منظور بهبود عملکرد تششعی آنتن پچ میکرواستریپ می¬پردازیم. این عمل منجر به تولید آنتن فبری پروت می¬شود. آنتن¬های فبری پروت با فناوری¬های سطوح انتخاب گر فرکانس، سطوح باند ممنوعه الکترومغناطیسی و ساختار¬های فرا ماده ساخته می¬شوند. فرم آنتن های فبری پروت به این گونه است که المان تشعشعی بین دو صفحه بازتاب کننده شدید قرار می¬گیرد. قرا...

سلول خورشیدی باند میانی برای افزایش بازده تبدیل انرژی سلول خورشیدی تک پیوندی ارائه شد. سلول خورشیدی باند میانی با قرار دادن نیمه هادی باند میانی بین دو امیتر p و n ساخته می شود. نیمه هادی باند میانی دارای یک باند الکترونی در گاف انرژی است که این باند با قرار دادن خال های کوانتومی (inas) به عنوان ماده ی مهمان در ماده ی میزبان (gaas)، شکل می گیرد. این باند سبب می شود فوتون های با طول موج بالا که ...

چکیده ندارد.

زی چنگ در یک رشته از پژوهش های اخیر خود به بررسی چگالش فوتونی در جسم سیاه ناخطی کر پرداخته است. نتایج این پژوهش ها که ما آن را نظریه ی چنگ می نامیم نه تنها برای پژوهش گران فوتونیک بلکه برای پژوهش گران در زمینه های چگالش بوز - اینشتین، ابررسانایی و ابرشارگی هم می تواند جالب باشد. او در چارچوب نظریه ی میدان کوانتومی و با توجه به نظریه bcs (باردین- کوپر- شریفر) ابررسانایی نشان داده است که دستگاه ف...

فیلترهای نوری یکی از اجزای مهم و ضروری در بسیاری از پردازش ها در عرصه نور و فوتونیک می باشند، بنابراین بررسی انواع فیلترهای نوری و رسیدن به فیلترهایی با تلفات کمتر، سرعت تنظیم زیاد، مکانیزم کنترلی ساده و ابعاد کوچک از اهمیت خاصی برخوردار است. در این پایان نامه، روش طراحی یک فیلتر طول موج تمام نوری 9 کاناله، جهت جداکردن طول موج های 1500، 1510،1520، 1530، 1540، 1550، 1560، 1570 و 1580 نانومتر، ب...

با در نظر گرفتن نظریه اسپین- فرمیون که از مکانیزم افت و خیز اسپینی برای توجیه جفت شدگی در ابررساناهای دمای بالا استفاده می کند، پذیرفتاری اسپینی یا همان عملگر قطبش را برای مسین های حفره دار و الکترون دار محاسبه نمودیم. در حالتی که گاف انرزی را ثابت در نظر بگیریم بخشی از محاسبات را به طور تحلیلی انجام داده ایم. در مورد گاف وابسته به تکانه ابتدا در دمای صفر رفتار عملگر قطبش برحسب فرکانس را نمایش ...

در این مقاله به مطالعه رسانش و چگالی حالت های الکترونی یک بسپار شانه-مانند با انرژی پرش متناوب متصل به دو زنجیره ساده یک بعدی در رهیافت بستگی قوی پرداخته شده است. روابطی برای ضریب عبور الکترونی و چگالی حالت ها به کمک تابع گرین سامانه به صورت تحلیلی ارائه شده اند. نتایج نشان می دهند که طیف رسانش الکتریکی بسپارهای پلی استیلن-مانند در غیاب انرژی پرش پیوند کربن-هیدروژن دارای یک گاف انرژی متناسب با ...

با استفاده از یک روش غیراختلالی که بر پایه متوسط گیری کوانتومی و یک نوع مناسب از تبدیلات تشدیدی بنا نهاده شده است, تشدیدهای سیستم یک اتم دو ترازی در حال اندرکنش با یک میدان کلاسیکی تک مد را بررسی می کنیم. هامیلتونیهای موثر این سیستم را در دو رژیم جفت شدگی ضعیف و قوی به دست می آوریم و نشان می دهیم که نتایج به دست آمده در رژیم جفت شدگی قوی, در حالت تشدید تک فوتونی میدان - صفر, برای تمام گستره ضری...